自從中興、華為受到美國芯片制裁依賴，芯片這個戰場就成了我國與美博弈的主戰場，美國妄想通過打壓和限制華為芯片來源阻斷華為、中興5G的進步和成長，進而阻斷我國5G技術的發展。美國在打壓和限制華為的過程中，也發現了自己的弱點，那就是美國芯片出口雖然佔據了去全球50%以上的份額，但是芯片製造的78%由亞洲控制，已是不爭的事實。
尤其是上海微電子宣佈28nm光刻機明年將開始出貨後，美國也開始不淡定了。美國沒有想到國產光刻機竟然這麼快就出現了，美國也非常擔心，一旦全國產光刻機在EUV技術瓶頸上形成突破，也就意味著美國對華為斷供的徹底破產。其實美國也明白自己在半導體領域的控制力越來越弱，現在不得已採用自己的霸權來強制各國斷供華為芯片，這個過程能持續多長時間連美國自己都沒有把握。
再加上在斷供華為的過程中，其實美國的損失相當嚴重。原來在中國國市場中獨佔鰲頭的高通芯片逐漸被聯發科和紫光展銳佔據，形勢正在發生傾斜；原來在國內佔據壟斷地位的美國芯片幾乎清零，再加上疫情對美國半導體產業的沉重打擊，美國突然發現自己在半導體制造領域已經落後了。於是美國開始著急了，美國6月份開始投入370億美元加大對美國半導體廠商的補貼，隨後又在7月份繼續加碼半導體產業，向美國各州提供250億美元用於半導體補貼，妄圖牢牢控制半導體體產業。
然而事與願違，國家大基金對中芯國際注資200億元，中芯的上市融資500億元，中芯今年年底將試產7nm芯片，這些都證明中國芯片製造產業已經開始崛起。更讓美國想不到的是，近日，中科院蘇州納米所研究員張子晹與國家納米中心劉前合作，研發出來一種新型超高精度的5nm芯片直寫技術。這種技術是張子晹團隊設計開發的一種三層堆疊薄膜結構，在無機鈦膜光刻膠上採用雙激光束交疊技術，通過精確控制密度和步長，實現了最小5nm特徵線寬，具備了納米級陣列結構的大規模製備可能。
也就是說用這種技術可以製造出5nm芯片，而且該研究團隊還研發出了具有知識產權的的激光直寫設備，打破了傳統光刻技術中只能用光刻膠作為受體的限制，不僅可以用多種材料作為受體，而且還拓展了激光直寫的應用場景。據瞭解這項技術不僅可以用於傳統芯片、光芯片、微納米加工等多個領域，大幅降低了器件的製造成本，是一種極具競爭力的芯片製造技術，更重要的是這種技術繞開了EUV光刻機。
要知道，長期以來我國芯片產業受制於EUV光刻機的限制，始終無法制造出我們自己的5nm級芯片，我國科研工作者都在積極尋找繞過光刻機制造芯片的辦法。雖然這種技術仍處於試驗階段暫時不能用於5nm芯片的大規模製造，但是卻釋放了一個信號，表明光刻機並非芯片製造的唯一途徑，只要通過努力中國科研機構一定能找到實現更先進工藝製程的辦法。
實際上，華為也很明白，即便光刻機技術突破了，也只能跟在臺積電的後面，要形成超越是做不到的。所以華為兩條腿走路，一條是等待和積極參與國產技術的研發，另外一條就是自主研發。據悉華為正在英國建設全新技術的光芯片製造基地，目前華為光芯片技術已遠超美國。實際上，美國已經開始著急了，傳統光刻芯片技術有望被改寫，中國芯片彎道超車成為可能，這些技術一旦實現產業化，將意味著美國斷供將徹底破產，中國芯片產業的春天也將到來。
