▲第一作者：Tomoyuki Yokouchi
通讯作者：Tomoyuki Yokouchi，Yoshinori Tokura
第一单位：RIKEN Center for Emergent Matter Science
DOI：10.1038/s41586-020-2775-x
背景介绍
电感器（inductor）是现代电子设备中最基本的电路元件之一，它能够将电能转化为磁能存储起来。可应用于模拟电路、信息处理、变压器、滤波器以及谐振器等领域。常规的电感器通常由螺旋线圈组成，并遵循着法拉第电磁感应定律，感应电压作为对穿透线圈的时变磁通量的抵消。然而，这种常规的电感器件的电感与电感线圈的体积成正比，极大的阻碍了电感器的微型化。在本期Nature中，来自日本的科学家报道了螺旋自旋磁体中的新兴电磁感应，基于量子力学的方法可以克服了电感器微型化的问题。同期，Nature以“电感器进入量子力学世界“为题对该工作进行了点评！
本文亮点
1、 作者在微米级磁体Gd3Ru4Al12中观察到了与商用电感器相当的电感（约400纳亨），但是体积仅为商用电感器的百万分之一。
2、 观察到的器件电感因电流的非线性而增强，且显示出非单调的频率依赖性。
3、 与传统的电感器不同，器件的电感大小随着横截面的减小而迅速增加，且结构简单，不需要线圈或是铁芯。
4、 该研究证明了量子力学中贝里相位的实际应用，在量子力学和现代电子学之间架起了桥梁。
图文解析
▲图1 层展电磁（emergent inductance）的概念
1、 层展磁性（bi）是在一种叫做斯格明子（skyrmion）的自旋结构中发现的，其自旋方向刚好将单位球体包裹一次（图1a）。因此结构中产生了层展磁场，导致了拓扑霍尔效应。
2、 螺旋和铁磁畴壁等非共线自旋结构，由于被n（与自旋方向平行的单位矢量）覆盖的立体角度为0，无法产生bi。
3、 当非共线自旋结构在运动时，n(t)所扫过的立体角不再为0，由此产生了层展电场ei。
4、 图1e显示去除背景后复阻抗的虚部（Im ΔZ1f）由感抗主导，在0到10 kHz下与频率成线性相关。
▲图2 Gd3Ru4Al12中的层展电感
1、 扇形结构中的复阻抗的虚部Im Z1f明显小于螺杆和横向锥形结构的Im Z1f（图2a-c）。这是因为扇形结构中自旋方向并不是圆周旋转（图2e-j），因此在电流驱动下，n(t)所扫过的立体角明显小于螺杆和横向锥形结构，导致了较小的层展电场。
2、 当多畴壁Q态转变为单Q-锥形态时，Im Z1f达到了最大值（图2k）。
3、 当磁场H在单Q-锥形态的ab平面内自旋时，Im Z1f在Q//I(θ = 90°)出达到最大（图2l）。
4、 与传统的电感器相反，随着截面积的减小，器件的电感反而增大（图2m）。
▲图3 层展电感的非线性
1、 Im ΔZ1f与电流密度密切相关，由于层展电场与角度ϕ的时间导数∂tϕ成正比，因此这种非线性可以归因于电流角度ϕ的非线性（图3a）。
2、 在非共线相中，三阶谐波复阻抗的虚部（Im Z3f）增强，但是在转变温度之上却消失了，进一步证明了系统的非线性特性（图3b,c）。
▲图4 层展电感的频率依赖性
1、 为了研究层展电感的频率依赖性，作者假设了一个与频率有关的复电感L~(ω)= L′(ω) + iL″(ω)。
2、 在10 kHz以下，采用LCR测试仪测出的L~(ω)与采用锁定检测（lock-in）放大器测出的数值几乎相同（图4a）。L″影响极小，且不依赖于频率。
3、 在10 kHz以上，伴随着L″峰的出现，L′明显下降（图4b）。
原文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-020-2775-x
