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【长江存储128层闪存研发成功，可我们离存储芯片降价还有很长一段路】
可以说这个消息是非常振奋的，4月13日，长江存储在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
根据其内容显示，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。这一次同时发布的1128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片，能够满足不同场景的需求。
并且，我们也获知它还能够带来1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,也证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度。
实际上存储芯片对于我们来说非常的重要因为它不仅仅能够运用到我们所熟知的手机更主要的，它能够运用到AI，物联网以及云计算等各个方面。
它不仅仅是能够保证终端的存储要求更能够提升运行的速度；而在目前，NAND的单价价格虽然有所下降，当然对于很多终端来说，仍然是保持着高价比。
随着我们对于物联网的需求加深，存储芯片表现的越来越重要，不管是普通的个人消费者，还是企业级的市场，存储芯片的作用表现的尤为重要。很多企业都在不断的采购存储设备，这些存储设备，它们的表现也不同。
这里也包括品牌，比如说三星，海力士，镁光，英特尔，东芝等等一些老牌厂商，他们都占据着非常大的主流市场。对于我们来说，如何打破它们的市场占比，这是一个需要我们花费长期的时间去研究突破的。
确实长江存储在这一次128闪存研发成功，给了我们很大的信心，但是也给了我们很多的警示，我们目前仍然是处于相对劣势的阶段，要想能够占据绝对的优势，还需要有一段路要走。
LeoGo科技
2020年4月13日，长江存储科技宣布其128层QLC 3D NAND闪存研已经发成功，并已通过多家控制器厂商SSD等终端存储产品使用验证（型号： X2-6070），并且同时发布了128层512G TLC规格闪存芯片“X2-9060”。
国内芯片企业的崛起
作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。X2-6070和X2-9060在1.2V Vccq电压下均可实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前行业内最高。也就是说目前我们的芯片技术已经达到全行业的领先水平。
硬盘等存储设备价格的下降
科技改变生活，在拥有新的工艺技术，我们的闪存芯片不在受制于人，在相同的存储面积下，128层的3D NAND闪存存储容量就越大，大家可以看到的是目前1TB手机存储设备很少见到，但是长江存储的这款工艺上市后，1TB的手机容量也不是问题。
芯片制造厂家的匹配
目前最快闪存颗粒是东芝的BiCS5（这也是现在市面上几款PCIe 4.0 SSD使用的闪存颗粒），最高传输速度为1.2GT/s。据说下一代的BiCS6可以达到1.6GT/s，和长江存储这次发布闪存持平。8颗组成的1.33TB型号读取速度大概是6.4GB/s，这个速度的话目前还有哪款主控能达到这个性能，但是不管怎么说，在容量方面算是已经达到了行业领先水准了，并期待更多的厂商参与进来，建设国内自己的各大硬盘品牌。
总结
国内各科技行业迎来重大突破，也是展现了我国的综合实力和地位，拥有自己的核心技术，从此我们也不在受它人限制，厉害了，我的国！
小虎科技
喜大普奔，虽然不想提，但是没办法只有菊厂有全产业的集成能力…
菊厂手机里面也就dram和nand不能国产了，现在长鑫有lpddr4x，长江有nand。ufs封装应该难度较小吧，菊花自己也是jedec成员，开发一个ufs主控理论上对海思没有技术难度。至于ssd主控，菊厂应该也有方案。
