對於3D閃存來說，堆棧層數越多，就能實現更大的容量，帶來更高的存儲密度，這也是3D閃存的核心競爭力。東芝、三星、SK海力士還美光均計劃在2020年大規模量產100層以上的3D NAND閃存。
三星線路圖
每家閃存製造商採用不同的技術方案，東芝、西數的BiCS 5代3D閃存是112層，美光、SK海力士是128層，英特爾則是144層浮柵極技術，三星2019年推出的第六代V-NAND閃存也做到136層，是2020年量產的主力;長江存儲公司在上週宣佈攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到1.33Tb容量，創造三個世界第一。
國產閃存突飛猛進，三星在積極開發160堆棧的3D閃存。160層及以上的3D閃存是136層之後的產品，將成為第七代V-NAND閃存的基礎。三星目前尚未公佈160層的3D閃存的詳細技術信息。
韓媒報道稱，三星可能會大幅改進製造工藝，從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack)，以便製造更高層數的3D閃存。
考慮到三星佔據了NAND閃存行業超過1/3的市場份額，160層以上堆棧的閃存應該會由三星首發，繼續保持閃存技術上的優勢，拉開與對手的差距。
三星固態硬盤
另外，三星的160層閃存還不是最高的，SK海力士在年宣佈正在研發176層堆棧的4D閃存，但考慮到SK海力士閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同，單看層數的意義並不大。
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