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週一（4月13日）最新消息顯示，國產芯片又取得了一大突破。中證網援引中企紫光集團旗下的芯片公司長江存儲稱，該企業128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）正式研發成功，並且已經得到多家控制器廠商SSD等終端存儲產品的驗證。
報道指出，這不僅是我國首款128層3D NAND閃存芯片，而且也是全球第一款128層QLC規格的3D NAND閃存芯片，這一突破可能意味著我國芯片研發與製造在與全球其他國家的競爭中正實現"彎道超車"。
事實上，早在去年9月份，長江存儲就曾表示，該企業開始對自主研發的Xtacking架構的64層三維閃存（3D NAND）進行量產，此舉對於降低我國芯片對外依存度有著重要意義，當時有分析認為，這一突破有望令我國的芯片自給率從此前的8%上升提高到40%；同時還將"中國芯"與全球頂尖3D NAND企業的技術差距縮短至2年內，是打破美日韓等國壟斷的關鍵。
不過，長江存儲最新推出128層3D NAND閃存芯片的舉動符合外媒此前的預期。早在2019年，外媒曾指出，2020年長江存儲很可能直接跳過96層而直接進入128層3D NAND，將中國與美日韓等國芯片巨頭的技術差距縮小1到2年，從而實現彎道超車。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊對此表示，作為閃存芯片行業的新人，該企業能在短短3年時間實現了從32層到64層到128層的跨越，離不開該企業數千名員工的努力和全球產業鏈上下游的通力協作。
在長江存儲推出128層3D NAND閃存芯片之後，美日韓等國對國際芯片市場的壟斷可能將進一步被打破。據悉，早在去年初，美國英特爾和美光、韓國三星、SK海力士和日本東芝等全球芯片巨頭由於擔憂長江存儲在量產後將衝擊芯片價格，因此已經在加快生產92層和96層芯片，並將於今年推出128層芯片生產，以維持其競爭優勢。
然而，從目前的情況來看，長江存儲也在持續提高自身的競爭力，隨著長江存儲芯片量產，未來中國芯片自給率或將繼續提高。美國近期擬議芯片出口進行相關調整，這一新動作遭到了美國芯片行業9大組織的聯合反對。他們認為，這一調整可能會影響美企對華部分半導體和其他技術的出口，從而導致美企永久失去在華的市場份額。
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