国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

中科院昨天宣布研发成功分辨率为22纳米,极限制程能达到10纳米工艺的芯片,这给我们讨论未来芯片留下了空间。

国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

之前国产只能制造90纳米的光刻机,所以军用芯片一般来说90纳米也够用,军用芯片第一是稳定性 第二是安全性 第三是功耗 第四是性能。

国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

未来的电磁炮 和激光炮等高新武器可是耗电大户,所以未来解决方式如下 1.增加发电量,这种方式很难有革命性的提升 2.降低功耗,这种方式应该和前者配合使用。

国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

那么我们来谈谈降低功耗,军用芯片功耗不高是事实,但是一艘军舰上的芯片非常非常多,所以累积起来耗电量就大了,怎么解决芯片的耗电问题,那就是先进的制造工艺。

国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

制造工艺对芯片的能耗影响最大,例如22纳米的4790k和14纳米的6700k,同频性能几乎没有提升,但是发热和功耗大大降低。

所以未来制造高能武器的时候,科研人员肯定要考虑高能武器电力配备充足,所以未来引进先进的制造工艺有助于这类武器的使用。

国产22纳米分辨率光刻机可制造10纳米芯片,可军用可民用

架构影响芯片性能 主频也影响芯片性能 而制造工艺改善的是发热与功耗,未来武器需要多重手段的使用来保证高能武器的运行,不是说光增加发电量就能解决的。


分享到:


相關文章: