Author: Jackie Long
很多硬件工程师面试官都会问一些"看似比较偏"的技术问题，比如，晶振的匹配电容计算公式。然而，看似偏的技术问题其实并不是真正的偏，是因为真正（去）理解的人比较少。
有些读者说：我就是不会这个计算公式，也不需要知道这个知识，但我的水平依然还是Biang Biang声厉害，你咬我？
其实，这就是普通工程师与优秀工程师之间的区别！有太多的东西实际应用起来差别并不大，优秀工程总会比普通工程师要懂得多一些，比如晶体，51、AVR、STC、PIC、STM32等单片机典型应用电路一大堆，照着画原理图就是了，无论是大牛还是菜鸟，使用起来大家都一样！
但事实是：1%的那部分知识就能决定你的技术层次，而其它99%的知识大多数地球人都知道，这与二八法则是有多么地相似。大多数人的工作内容都是很相似的，然而能解决其它人所不能解决的人才是公司最需要的，换言之，从面试单位的角度判断，如果你理解某个"看似很偏"的技术问题，从概率上来讲，你的水平比那些不理解的工程师要高很多（当然，我没有说是绝对，也许你走狗屎运恰好知道这个知识点，而其它都不知道，么么哒～～）。
大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierce oscillator）
上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。 X1是晶体，相当于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（Shunt Capacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
好了，你现在可以把面试官KO了，祝一路顺风，么么哒～～
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