在全球存儲芯片價格連漲兩年，手機廠商等下游廠商怨聲載道接連投訴後，三大存儲芯片巨頭終於迎來了中國反壟斷機構的調查。
據報道，5月31日，中國反壟斷機構派出多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位於北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調查”和現場取證，標誌著中國反壟斷機構正式對三家企業展開立案調查。
對此，三星中國公司相關負責人對媒體確認了上述消息，“5月31日有過現場調查，目前我們正在協助調查，中國三星在接受問詢當中。”
01
存儲芯片連漲兩年，勢頭不減
自2016年三季度以來,存儲芯片價格上漲週期已經持續了近兩年時間，且仍沒有停止的跡象。據有關數據，從2016年6月1日到2018年2月1日，4GB的DRAM內存價格上漲了130%。僅在2017年，DRAM內存價格就上漲了47%，創下近30年來最大漲幅。
信達證券認為，本次存儲器價格大幅增長的原因：一是下游需求快增長，隨著雲計算、物聯網、大數據、汽車電子、消費電子等產業快速發展，存儲器的需求越來越高，以手機為例，除蘋果在運行內存方面比較保守，4GB內存已成為安卓千元機標配，內存需求越來越高；二是供給端產能下降，DDR3升級到DDR4，DRAM產能轉去生產3DNAND，部分存儲器廠商由生產2DNAND轉向生產3DNAND，建廠週期較長影響了存儲芯片的供應。
預計到2018下半年，隨著3DNAND產能和良率不斷提升以及新增產能陸續投產，存儲器供應緊張局面才有望緩解。
此外，高度集中的市場格局也是存儲芯片價值保持高位的重要原因。目前，三星、海力士、美光是全球三大存儲芯片巨頭，在DRAM（動態存儲）、NAND Flash（閃存）兩大產品線中佔據全球絕大多數市場份額。
據市場調研機構的數據，在DRAM市場，三星、海力士、美光的市場份額分別為44.5%、27.9%、22.9%，合計佔95.3%，幾乎壟斷整個市場；在NAND市場，三星、海力士、美光的市場份額分別為39%、10.5%、11.3%，三家合計也高達60.8%。
受益於這一輪存儲芯片漲價潮，三家公司賺得盆滿缽滿。其中，據三家公司的財報顯示，2017年三星、美光、海力士的半導體業務在中國營收分別為253.86億美元、103.88億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。
尤其是三星公司，在Note7"爆炸門"後，其手機品牌形象受到重創。但是，三星在手機市場上喪失的利潤，卻在芯片領域加倍要了回來。財報顯示，2017年三星營收239.58兆韓元(約合2238億美元)，同比增長18.7%，營業利潤53.65兆韓元(約合501.7億美元)，同比增長83.5%，淨利潤42.19兆韓元(約合394.6億美元)，同比增長85.7%。
2017年，三星半導體業務營業收入只佔總營收的20%，但卻貢獻了65.64%的淨利潤。其中，半導體業務在中國營收253.86億元，佔半導體業務總營收的一半。憑藉著半導體業務的強勢增長，三星在全球芯片市場的排位更是在2017年第二季度超過了老大英特爾。
02
中國廠商成漲價最大受害者
目前，中國是全球最主要的存儲芯片消費國。根據研究公司TrendForce提供的數據顯示，中國消耗了全球20%的DRAM內存芯片和25%的NAND閃存芯片。海關數據顯示，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
存儲芯片價格飆漲讓中國的手機廠商等承受了巨大的成本壓力，一時間中國智能手機市場也隨之掀起了一波漲價潮。
去年12月，曾有手機廠商因為存儲器價格上漲和供應不暢，向發改委對三星提出了檢舉。
今年4、5月份，也曾有美國消費者對三星等廠商進行了指控，稱其操控內存行業零售價格。4月27日，美國律師事務所Hagens Berman在加州北部地區法院對美光、三星、海力士發起反壟斷集體訴訟。該律師事務所稱，調查顯示，DRAM製造商協商同意通過限制DRAM的供應來提高DRAM的價格。
事實上，存儲芯片寡頭之間形成價格聯盟並非首次。三星曾被指控從 1999 年到 2002 年人為抬高 DRAM 價格。海力士也被指控價格壟斷陰謀。2002年，美國司法部向美光、三星、海力士、英飛凌等公司的價格壟斷行為展開調查。
2005-2006年間，三星、海力士、英飛凌、爾必達先後承認價格壟斷行為，三星、海力士、英飛凌、爾必達分別被罰款3 億美元、1.85 億美元、1.6 億美元、8400萬美元，總計7.29 億美元。美光因率先認罪並協助調查而免於處罰。
這次反壟斷調查，若裁定三巨頭存在價格壟斷行為，按照中國《反壟斷法》，這些企業將繳納銷售額1%-10%的罰款，以2016-2017年度銷售額計算，罰金在8億-80億美元之間。
03
2019年或成國產存儲芯片量產元年
為了擺脫受制於人的局面，掌握行業話語權，中國在芯片領域重金投入。研究機構指出，中國存儲器產業目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於行動式內存的合肥長鑫，以及致力於利基型內存晉華集成三大陣營為主 。以目前三家廠商的進度來看，其試產時間預計將在2018年下半年，隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國存儲器生產元年。
長江存儲
2015年11月，紫光國芯發佈定增額度預案，在存儲器領域投入932億元建設存儲芯片工廠。而後，又認購多家半導體存儲器領域封測廠股份，並在收購武漢新芯後成立長江存儲，著力發展大規模存儲器。
今年4月5日，長江存儲首批400萬美元的精密儀器開始進場安裝，標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段。5月19日，價值7200萬美元的首臺193nm浸潤式光刻機抵達武漢，將成為長江存儲的第一臺光刻機，用於生產14nm~20nm工藝芯片。
根據長江存儲規劃，預計7月底或8月初具備試生產條件，年內將可產出5000片32層三維NAND閃存芯片；2019年，32層三維NAND閃存芯片產量將提升至每年10萬片，當年年底試產64層三維NAND閃存芯片；2020年，64層三維NAND閃存芯片產能將提升至每年10萬片，並研發具有全球先進水平的128層三維NAND閃存芯片。
長江存儲重點聚焦的是64層3D NAND芯片。如果一切進展順利，長江存儲2019年開始量產64層的3D NAND閃存，屆時他們與三星等大廠的差距就可縮短在2年以內。
福建晉華
國家重點支持DRAM存儲器生產項目，由福建省電子信息集團及泉州、晉江兩級政府共同投資。項目被國家納入了“十三五”集成電路重大生產力佈局規劃項目列表，並獲得首筆30億元人民幣的國家專項建設基金支持。
2016年5月，福建晉華宣佈與聯電合作，將結合臺灣的半導體制造能力以及中國大陸的市場與資金。由聯電在臺灣進行技術研發，晉華提供DRAM特用裝備，技術成果為雙方所共同擁有，共同角逐市場份額。
有關媒體報道,福建晉華集成電路公司的生產線設備安裝將於7月底完成，三季度實現大規模量產，預計達到6萬片/月的產能規模。
合肥長鑫
早在2013年，合肥市政府便出臺了《合肥市集成電路產業發展規劃(2013—2020年)》。規劃提出，合肥將重點發展芯片設計業和特色晶圓製造，計劃到2020年，實現現綜合產能超10萬-15萬片/月。
據Digitimes報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地所需的300臺研發設備已基本全部到位，待裝機完成之後，從2018年下半年開始便全力投入試生產的環節。
2018年4月15日，長鑫存儲技術有限公司的董事長王寧國在合肥集成電路重大項目發佈會上表示，合肥長鑫DRAM內存芯片一期（一廠廠房）已於2018年1月完成建設，並開始安裝設備；2018年底就將開始生產8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達到2萬片/月的產能；2020年再開始規劃二廠廠房的建設；2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。在將來，合肥長鑫希望憑藉自身的DRAM IDM平臺，來大力扶持處在行業上游的、國產半導體設備與材料的研發和產業化的進程。
業界預計，合肥長鑫存儲項目正式投產後，將佔據世界DRAM市場約8%的份額。
申萬宏源表示，隨著存儲器容量及儲存速度需求的不斷提升，大容量3DNAND將成為未來主流，刺激前驅體需求快速增長，同時國內長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲器項目投產臨近，2019年有望成為量產元年，前驅體國產化勢在必行，率先切入產業鏈的企業將形成先發優勢，充分享受產業上升期的市場紅利。
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