如果你對場效應管有一定了解的話，發現它的原理圖符號中都會有一個二極管，這是蝦米情況？
要回答這個問題，我們有必要了解一下場效應管的基本結構，其基本結構如下圖所示（以N溝道增強型MOS場效應管為例）：
在一塊P型硅片（半導體）襯底上，形成兩個高摻雜的N+區，分別命名為源區與漏區，從中引出的電極分別稱為源極與漏極。在P型襯底表面覆蓋薄薄的一層SiO2（二氧化硅）作為絕緣層，叫柵氧化層或柵絕緣層，再在上面覆蓋一層金屬，其引出的電極稱為柵極（Gate, S），這就是金屬-氧化物-半導體名稱的由來。
其原理圖符號本應如下所示：
從MOS管的基本結構上可以看出，MOS管是完全對稱的，因此理論上源極與漏極是可以互換使用的。在MOS管中，源極為提供載流子的端子，而漏極為接收載流子的端子，源和漏的命名也由此而來，N溝道MOS管的源極通常連接至電路的最低電位，而P溝道MOS管的源極連接至電路的最高電位。
對於單個獨立的MOS場效應管，襯底B通常與源極S連接在一起，這樣兩個電極的電位是一致的，這樣可以避免體效應引起閾值電壓的漂移（後面會提到），所以，你看到的MOS場效應管符號可能如下圖所示：
這樣場效應管就應該如下圖所示：
實際的場效應管通常把襯底電極與源極電極做在一起，因此，通常我們是看不到襯底電極的。由於N區與P型襯底之間存在PN結（也叫做耗盡層），因此上圖中已經形成了兩個二極管，如下圖所示：
很明顯，左邊的那個PN結（二極管）因B極與S極的短接而相當於不存在，右側的二極管則稱為寄生二極管，它是由源極S指向漏極D，這就是我們的原理圖符號中寄生二極管的來源。
然而，為什麼我們又說這個寄生二極管在集成電路中不存在呢？我們下一節再來討論一下。
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