如果你对场效应管有一定了解的话，发现它的原理图符号中都会有一个二极管，这是虾米情况？
要回答这个问题，我们有必要了解一下场效应管的基本结构，其基本结构如下图所示（以N沟道增强型MOS场效应管为例）：
在一块P型硅片（半导体）衬底上，形成两个高掺杂的N+区，分别命名为源区与漏区，从中引出的电极分别称为源极与漏极。在P型衬底表面覆盖薄薄的一层SiO2（二氧化硅）作为绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，再在上面覆盖一层金属，其引出的电极称为栅极（Gate, S），这就是金属-氧化物-半导体名称的由来。
其原理图符号本应如下所示：
从MOS管的基本结构上可以看出，MOS管是完全对称的，因此理论上源极与漏极是可以互换使用的。在MOS管中，源极为提供载流子的端子，而漏极为接收载流子的端子，源和漏的命名也由此而来，N沟道MOS管的源极通常连接至电路的最低电位，而P沟道MOS管的源极连接至电路的最高电位。
对于单个独立的MOS场效应管，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移（后面会提到），所以，你看到的MOS场效应管符号可能如下图所示：
这样场效应管就应该如下图所示：
实际的场效应管通常把衬底电极与源极电极做在一起，因此，通常我们是看不到衬底电极的。由于N区与P型衬底之间存在PN结（也叫做耗尽层），因此上图中已经形成了两个二极管，如下图所示：
很明显，左边的那个PN结（二极管）因B极与S极的短接而相当于不存在，右侧的二极管则称为寄生二极管，它是由源极S指向漏极D，这就是我们的原理图符号中寄生二极管的来源。
然而，为什么我们又说这个寄生二极管在集成电路中不存在呢？我们下一节再来讨论一下。
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