長江存儲主導的國產3D NAND閃存已經開始安裝光刻機等生產設備，預計今年下半年就要開始量產。相比之下，DRAM內存芯片因為難度更高，國內投入研發內存芯片的主要是合肥長鑫、兆易創新以及福建晉江/聯電。最新消息顯示兆易創新、合肥長鑫的國產DRAM將使用19nm工藝，預計下半年試產，項目建成之後產能可達全球DRAM產能的8%。
與長江存儲的國資背景不同，合肥長鑫主要是合肥市政府、投資基金主推的項目，而且專注DRAM內存領域。與紫光的高調相比，合肥長鑫的DRAM項目一直很低調，低調到連官方網站都沒有，但從媒體報道中又時常看到長鑫DRAM的進展，比如去年該公司進口了47.9億元的設備，外貿額位列安徽省第二位。
去年10月份兆易創新宣佈斥資180億元進軍DRAM市場，與合肥市產業投資控股有限公司合作，目標是研發19nm工藝的DRAM內存，預計在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片佔整個晶圓的比例）不低於10%，而這個項目就是跟合肥長鑫合作的，原來傳聞的前日本爾必達社長坂本幸雄投資的香港兆基公司已經出局。
來自安徽商報的消息，位於合肥空港經濟示範區的長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目的300臺研發設備已全部到位，運營及研發團隊全部入駐廠房辦公區，今年下半年將投片試生產。據瞭解，長鑫今年有望造出第一顆“合肥造”的19納米級12寸DRAM工藝的存儲器，說的應該就是與兆易創新合作的那個19nm工藝內存芯片了。
目前三星、美光、SK Hynix早已經完成了20nm工藝DRAM芯片的研發，三星主力製程更是達到了新一代的18nm，不過長鑫的19nm內存芯片還不算落後，畢竟三大DRAM之後也只有臺系的華亞科完成了20nm級內存工藝研發，而華亞科現在已經被美光全資收購。
合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成後月產能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產能將佔到全球DRAM內存產能的8%。
目前SK Hynix在無錫的DRAM晶圓廠月產能也就是10-12萬片晶圓，這麼看的話合肥長鑫這個DRAM產能真不低了，8%的全球產能足夠影響很大市場份額了，別忘了當年無錫DRAM工廠大火導致全球DRAM市場大漲價呢。
目前唯一的問題就是國產19nm DRAM芯片的良率還是很低的，研發目標是不低於10%，這個水平是不可能量產的，要解決良率問題可能還要幾年時間。
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