寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進製造、國防等領域發展的重點新材料。
推動中國寬禁帶功率半導體產業，成為發展建設綠色節能社會與智能製造的關鍵一環。
近日，由張家港市政府與中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟主辦的《中國寬禁帶功率半導體發展路線圖》（以下簡稱《路線圖》）終審會召開。
這項工作的開展將為我國政府部門、產業從業者、各方資本提供一份完整的寬禁帶半導體技術和產業發展路線圖，作為決策的重要依據。對於推進我國寬禁帶功率半導體產業有著重大的意義和深遠影響。
應用需求驅動，展現良好發展前景
以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料具有良好的物理性質，隨著硅（Si）與化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展，難以應對能源與環境面臨的嚴峻挑戰，業界迫切需要新一代半導體材料技術的發展與支撐。
碳化硅與氮化鎵優勢互補。
GaN功率半導體的市場應用領域偏向中低電壓範圍，集中在1000V以下，而1000V以上的中高電壓範圍內SiC更具優勢，兩者的應用領域覆蓋了新能源汽車、光伏、機車牽引、智能電網、節能家電、通信射頻等大多數具有廣闊發展前景的新興應用市場。
支撐未來互聯網的可持續發展，推動綠色節能技術勢在必行，寬禁帶功率半導體在這方面有著優良的特性和巨大的潛力。據IDC估計，全球300萬臺數據中心每小時耗電量為3000萬千瓦，幾乎等於30座核電站的發電量。由於電-電轉換效率不高，產生龐大熱量，必需冷卻系統維持散熱，還要增加數據中心的能耗。
——中國科學院院士、南京大學教授 鄭有炓指出
在新能源汽車方面，去年我國新能源汽車銷量約為80萬輛，今年預計會超過100萬輛。新能源汽車存在的核心困難是充電速率過慢，主流的研究熱點集中在快速充電技術上，而快充技術的實現就需要用到高壓SiC半導體器件。
未來，在包括車用、輔助設施、充電樁等整個新能源汽車產業，均會成為支撐SiC在中高電壓領域高端應用的重要組成部分。
在射頻通信方面，GaN技術正助力5G通信的發展。5G移動通信從人與人通信拓展到萬物互聯，預計2025年全球將產生1000億個設備的連接。
5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性，以支持海量設備的互聯。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。
數據顯示，從2018-2022年，全球SiC電力設備市場將以35.73%的年複合增長率增長。2016年全球GaN器件市場規模165億美元，到2023年將達到224.7億美元。
產業生態發展不足，中國產業機會與挑戰並存
雖然我國寬禁帶功率半導體創新發展的時機已經逐步成熟，處於重要窗口期。然而本次終審會上的與會專家認為，目前行業面臨的困難仍然很多，一個產業的發展與兩個方面有關：一個是技術層面，另一個重要問題就是產業的生態環境。
在技術上，寬禁帶功率半導體面臨的技術難題很多，如襯底材料的完整性、外延層及歐姆接觸的質量、工藝穩定性、器件可靠性以及成本控制等，寬禁帶功率半導體產業化的難度比外界想象的要大很多。
另一個重要問題就是產業發展的生態環境的建設並不完善。5G移動通信、電動汽車等是寬禁帶半導體產業最具有爆發性增長潛力的應用領域，國內在產業生態的成熟度上與國外的差距還比較明顯，落後程度更甚於技術層面的落後程度。產業鏈上下游協同不足，尚未解決材料“能用-可用-好用”發展過程中的問題和障礙。
此外，中國半導體照明/LED產業與應用聯盟秘書長關白玉指出：“寬禁帶功率半導體需要產業鏈、創新鏈的協同發展。”
但是目前國內產業的創新鏈並沒有打通，整體創新環境較差。
寬禁帶功率半導體涉及多學科、跨領域的技術和應用，需要聯合多個領域優勢資源，開展多學科、跨領域的集成創新，但研發和產業化需要昂貴的生長和工藝設備、高等級的潔淨環境和先進的測試分析平臺。
目前國內從事寬禁帶半導體研發的研究機構、企業單體規模小，資金投入有限，研發創新速度慢，成果轉化困難。
加強頂層設計，助力產業協同發展
正是由於寬禁帶功率半導體產業具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點，因此要想推進其快速協同發展，必須做好頂層設計，進行統籌安排。
國務院印發《“十三五”國家科技創新規劃》 （以下簡稱《規劃》），提出發展新一代信息技術，發展微電子和光電子技術，重點加強極低功耗芯片、新型傳感器、寬禁帶半導體芯片和硅基光電子、混合光電子、微波光電子等技術與器件的研發。《路線圖》的起草將有利於《規劃》的落實。
通過《路線圖》指明發展方向與主要的脈絡，在做好頂層設計的同時，有利於對產業進行統籌安排，有利於產業的協調發展，同時吸引各方的關注，有利於新的資金與資源的導入。
專家指出
發展寬禁帶半導體：
一方面要依靠自主研發，實現技術突破；
另一方面要充分發揮產學研用相結合的作用，開展以需求為導向，以市場為目標的研究與開發，做到克服瓶頸、解決難題、進入市場、用於實際。
此外，加強寬禁帶半導體材料研發及應用，急需引進和培養人才雙管齊下，遴選領軍人才、充實技術骨幹、加快隊伍建設。
一碼不掃，何以掃天下
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