芯片是所有電子設備的核心，中國目前雖然有自己的光刻機，但是像EUV這樣的光刻機還是得依賴於ASML，要知道一臺EUV光刻機可以1億美刀以上，需求大，但自己無法生產，這也是中國不斷努力研發自己的光刻機的原因。
目前在用的商業化最高規格的芯片製程為7nm，越小的製程意味著芯片功耗將更代，體積將更小。目前高通855、蘋果A12和麒麟980都採用的7nmEUV工藝製造，而馬上要發佈的蘋果A13和麒麟985也將採用7nmEUV工藝製造，且蘋果A13和麒麟985都由臺積電代工。
早些時候，臺積電對外宣佈率先完成5nm的架構設計，且已經進入試產階段，明年將可以投入生產。4月16日，三星電子也宣佈其基於EUV的5 nm工藝技術已完成開發，相應的生產線正在建設，預計2019年下半年完成，明年可以開始投入使用。與7nm相比，三星的5nm 工藝技術將邏輯區域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而能夠擁有更多創新的標準單元架構。
現在，臺積電又正式宣佈了6nm工藝，在已有7nm工藝的基礎上大幅度增強，號稱可提供極具競爭力的高性價比，而且能加速產品研發、量產、上市速度。新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18％，同時設計規則完全兼容第一代7nm，便於升級遷移，降低成本。看來是為7nm到5nm的做一個平滑過渡。臺積電6nm預計2020年第一季度試產，適合中高端移動芯片、消費應用、AI、網絡、5G、高性能計算等。
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