華為今年5月份被美國看上後，啟用備胎計劃自行研發更多的芯片，最新消息稱華為已經研發PA芯片，將交給國內公司代工，明年1季度量產。

PA芯片指的是Power Amplifier功率放大器，是射頻芯片中的一種，5G時代因為要兼容多種網絡標準，PA芯片的重要性日益增加，生產PA的基礎材料就包括半導體化合物，今天我們就一起發掘這種華為最新概念材料的相關機會。

砷化鎵（GaAs）是當前最重要、技術成熟度最高的化合物半導體材料之一

GaAs材料可分為半絕緣（SI）GaAs 和半導體（SC）GaAs

射頻為當前GaAs材料應用的最主要下游

• 從2017年GaAs襯底的出貨量數據來看，四大主要應用領域中，射頻、 LED、激光和光伏市場佔比分別為 46.52%、42.19%、10.17%和 1.12%， 射頻和LED是GaAs襯底應用的最主要市場。
• 外延片領域，射頻和激光應用是外延片外包領域兩個重要市場，從2017年 GaAs外延片出貨量數據來看，射頻領域在規模上也具備明顯優勢。

5G浪潮下，移動設備射頻產業有望迎來重要發展機遇，作為器件的重要基石，上游材料的需求預計也將迎來新一輪迅猛的增長。

需求增加8-16倍

手機端需求

換機潮+滲透率提升+PA數量增加，GaAs需求迎來大放量。興業證券預測， 2019-2023年全球智能手機+功能手機GaAsPA需求量將從61.8億個增長至127億個，GAGR達19.8%。即使考慮小型化趨勢，未來幾年GaAsPA的需求量也有顯著的增長。

基站需求

5G的Massive MIMO技術的應用，要求單個基站PA數量成倍增長。Massive MIMO通過在基站使用大規模的陣列天線來實現通信系統頻譜效率、覆蓋能力和網絡容量的提高，這就需要相應的射頻收發單元陣列與之相配套，從而帶來單個基站PA數量則大幅增長。4G時代的天線陣列以4T4R和8T8R為主流，假設5G基站普遍採用64T64R的天線陣列， 則隨著從4G到5G的演變，單個基站PA數量預計將會有8-16倍的增長， 這無疑將為GaAs等半導體化合物材料帶來巨大的需求增量。

另外根據Yole預測，傳統顯示、汽車照明、激光領域、空間光伏發電領等領域用GaAs襯底體量大，仍有穩健的增長，且符合增長率都不小。

打破國外壟斷 國產化替代開啟

由於射頻領域用GaAs工藝技術門檻較高，所以PA市場具有集中度非常高的特點，從材料到設計，均由海外主導。從全球GaAs產業鏈來看， 襯底和外延片市場均為少數幾家海外企業所壟斷。2017年，GaAs襯底市場費爾伯格、住友電工、AXT3家公司的市場份額達到94%。

三安光電：半導體化合物龍頭，目標價19.2元

公司作為國內化合物半導體晶圓代工的龍頭企業，目前在射頻、光通信等領域均已實現小批量出貨，未來隨著5G商用的 開展，公司化合物半導體晶圓代工業務具有廣闊的發展前景。

• 另外集團公司參股大基金二期，顯示了國家大基金對公司集成電路發展的支持力度，這也就是未來公司的客戶保證

天風證券看好公司集成電路業務受益國產替代催化，加速替代海外供應鏈廠商，上調至“買入”評級，目標價19.2元。華西證券預計公司2019-2021年的收入分別為75.28億元、94.10億元、112.91億元，同比增速分別為-10%、25%、20%；給予公司2020年30倍PE，目標價18.30元。

雲南鍺業：佈局GaAs和InP材料

公司GaAs單晶片產能為80萬片/年（摺合4英寸），2019年上半年生產GaAs單晶片4.17萬片。目前公司生產仍以4英寸為主， 6英寸GaAs尚未批量生產，產品主要銷往韓國、福建、臺灣等地。2019年上半年公司非鍺半導體材料級產品（GaAs、InP）實現營業收入541.78萬元。

有研新材：定位高端LED市場

目前有研光電擁有60萬片/年的GaAs襯底產能，採用水平GaAs單晶生產線，產品均勻性優異，定位於高端LED應用，附加值高，是全球紅外LED用砷化鎵基片的主要供應商之一。