根据历年来LED芯片行业盈利水平和库存、LED指数的走势关系可知：

1、LED指数与行业盈利水平正相关，与库存水平负相关；

2、每一轮上行周期都是由供需共振所带来的；

3、库存拐点往往领先盈利拐点1个季度，盈利拐点与指数拐点几乎同步；

4、库存水位不再上升，LED指数确认底部区域。

2009 年至今，LED 芯片已经历三轮周期

由于LED芯片属于重资产行业，扩产和量产时间较长，短期内供给与需求的博弈使其存在周期性的特征，回顾2009年至今， LED芯片行业大致以4年为一个周期。

第一轮周期（2009~2012）：2009~2011，由于下游需求旺盛，背光源市场快速增长，LED芯片进入上升周期，2011~2012年，全球LED厂商集中扩产后竞争激烈，带来短期供大于求。

第二轮周期（2013~2016）：2013~2014年，LED下游照明市场加速渗透，爆发的需求完全消化之前增加的产能，LED芯片厂商度过了短暂的甜蜜期，但随着2015年开始中国大陆厂商的MOCVD的产能利用率和开机率不断上升，LED芯片产能集中释放，供给过剩，LED芯片价格下降。

第三轮周期（2016至今）：2016年下半年开始，随着供给端有效产能减少+LED照明应用的渗透+小间距市场爆发，行业进入第三轮上行周期，中国大陆厂商再次大幅扩产，到2017年底供给过剩，4Q2017再次进入下行周期。

如何理解当前时点LED芯片行业的供需关系和价格？

我们认为，LED行业在经历了近百年的发展，不能单纯以供给端的扩产和需求端的整体情况来判断芯片的价格变化，而是应通过供需端的结构性变化来理解LED芯片的供需关系。

以2H2016~4Q2017LED芯片涨价为例，需求端的增量

供给端：

中低端领域：新增产能的集中领域，老旧产能有望加速出清

MOCVD设备的国产化降低了行业大规模投资门槛，大陆厂商新一轮扩产中纷纷选用国产MOCVD设备。用于外延生长的MOCVD是LED芯片生产中的关键设备

本轮扩产的LED芯片主要应用于照明和和普通显示领域。根据各LED芯片公司的公告可知，本轮扩产的新增产能主要集中于照明和普通显示领域，即偏中低端领域，如果扩产产能按照进度逐步落地释放，将使得中低端领域的LED芯片竞争加剧。

如果扩产产能按照进度逐步落地释放，将使得中低端领域的LED芯片竞争加剧，加速小厂老旧产能的出清，但对于有竞争力的芯片厂商影响有限。LED芯片是典型的规模效应的行业，生产规模的提升和先进MOCVD设备的应用都会带来单芯片成本的下降。

根据我们的测算，以34片机、150元/片的芯片为例，100w片/月的厂商与20w片/月的厂商相比，前者的毛利率一般要高于后者十个百分点以上。同样规模下（20w片/月），14片MOCVD机的厂商已处于亏损状态（早期MOCVD设备较贵且产出效率低）。目前二线厂商的产能集中在10万片/月以下，且新一代机型占比低规模较小，机型落后的厂商在大规模先进产能的冲击下利润空间进一步压缩。

高端领域：竞争格局稳定，产能转移利好大陆 LED 龙头

国际巨头逐步放弃传统LED照明业务，重点布局汽车照明以及智能照明等差异化竞争领域。

全球LED巨头主要战略方向和计划

综上所述，本轮LED芯片扩产集中在中低端领域，因此新增产能主要对中低端领域的供需关系和竞争格局产生影响，体现在加速老旧产能出清，长期来看将刺激LED芯片行业集中度的提升，利好LED芯片龙头；高端领域的竞争格局稳定，龙头厂商的优势明显，随着国际巨头逐步放弃传统LED照明业务，国内LED芯片龙头有望充分受益于产能转移。

现状：4Q2017 开始供需失衡，行业再次进入下行周期

LED芯片行业在2016下半年开始迎来了新一轮上行周期，中国大陆LED芯片龙头和部分新进入者纷纷开始巨额投资扩产，经历了一年左右的扩产周期，产能都已陆续集中释放，3Q17市场变淡，同时产能逐步释放，供给充沛，4Q17开始行业再次进入下行周期。在价格和库存的压力下，大部分厂商18年的扩产均有调整或推后。

价格调整导致18年国内LED芯片厂商毛利率下滑，存货占比处于较高水位。年初至今LED芯片价格下跌幅度在0%~60%不等。例如1030价格下滑约30%，同时国内LED芯片厂商的毛利率也呈现不同程度的下滑趋势，聚灿光电Q3单季度毛利率为负，芯片厂商存货/收入（TTM）达到31%，处于历史高点。

测算，考虑到供给端部分产能出清和需求端通用照明有所恢复，2019年LED芯片有望恢复供小于求的状态。

LED芯片市占率

根据 LEDinside 数据显示，国内 LED 芯片龙头企业以三安光电、华灿光电、乾照光电为主，台湾企业以晶电为主。在 2016年到 2018 年现阶段，前三大 LED 芯片厂商在整体的市场中市占率从 44%提升至 71%（大陆地区的三安、华灿以及中国台湾地区的晶电）

三安光电目前产能位居全球第一，约占全球LED芯片产能的20%，约占中国LED芯片产能的31%。

需求端：整体向高端迁徙，Micro/Mini LED 打开成长新空间

LED 下游各领域空间预计

通用照明是 LED 下游应用的主力，

2016 年中国 LED 下游应用分布中，通用照明占比 47.6%，是下游应用占比最大的领域。而根据Digitimes 和 Statics 的统计数据，2017 年全球 LED 照明渗透率达 35%，中国LED 照明渗透率达 50%。预计 2020 年将分别提高至 61%和 70%。

2017 年全球 LED 照明市场产值规模达到 5360 亿元，其中中国大陆 LED 照明产值规模 2969 亿元，全球占比达到 55.40%，在目前渗透率 50%的基础上，未来几年中国LED照明市场规模仍有望维持在15%左右的市场增幅，预计 2020 年将达到 4614 亿元，为 LED 照明芯片带来广阔的成长空间。

植物照明：

据 Technavio 预计，2020 年全球植物生长灯市场将超过 30 亿美元，其中 LED 生长灯为 19 亿美元，占比达 61%。

可见光通信

于医院医疗、电子产品、广告展示、交通控制、室内定位及飞机水下通信等多个领域。

2018 年全球 LiFi 市场规模将达 61 亿美元，是 LED 芯片未来强有力的营收增长点。

不可见光 LED

广泛应用于印刷、包装、广告、建材、装潢、电子、家电、光纤、汽车等行业

2014 年的 9000 万美元增长到 2019 年的5.2 亿美元。据 yole développement 预测，IR LED

的市场规模将在 2022 年达到 15 亿美元，2027 年达到 38 亿美元。

LED 车大灯加速渗透

2016 年国内 LED 车灯的渗透率约 10%-15%，LED 车灯总体市场规模超过 50 亿元，按照 2022 年 LED 车灯渗透率 60%，国内汽车市场未来几年销量复合增速为 5%估算，到 2022 年，国内 LED 车灯市场规模有望达 766 亿元。

显示屏：

目前难以估算产值。但 LEDinside 假设 MicroLED 技术成熟后，可能取代现有显示器的零组件规模来测算，具体包括背光模组、液晶、偏光板等现有液晶面板零组件，未来的潜在市场规模可达 300-400亿美元。

长期：Mini/Micro LED渗透率提升，有望大幅拉动芯片需求

根据之前的LED芯片行业复盘可知，每一轮上行周期都是由供需共振所带来的，我们认为，本轮上行周期应重点关注Mini/Micro LED的进展。

Mini/Micro LED主要需求对LED芯片的需求测算如下：

Micro LED：根据我们的测算，每台4K电视大约需要尺寸为30um*30um的LED芯片14片，在渗透率仅为1%的假设下需要2寸片262万片，约为2018年全球LED芯片供给量的20%，再考虑到手机、电影屏等其他应用领域的渗透，Micro LED有望大幅拉动LED芯片的需求量。

产业链相关公司陆续布局。

产业链 相关A股公司 国际客户产业链公司

LED芯片 三安光电、华灿光电、乾照光电 日亚化学

LED背光模组 -- 瑞仪光电

LED显示屏 洲明科技、利亚德 --

化合物半导体：百亿美元市场，政府扶持加速国产化

2017年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元据 Strategy Analytics 统计，2010-2015 年代工厂产值占比全球 GaAs 市场逐年升高，2015 年占比为 13.35%，预计未来会不断提高。

2017全球氮化镓半导体市场潜在规模达94亿美元。据 transparencyMarket Research 统计，2012 年全球 GaN 半导体代工厂市场规模约 3.7982 亿美元（约合人民币 23.3 亿元），预计到 2019 年达到 22.0373 亿美元（约合人民币 135亿元），年复合增长率为 24.6%。

2016 年全球SiC功率半导体市场约5亿美元，预计未来SiC功率半导体市场容量有

化合物半导体即Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料，它们是有别于第一代硅半导体的二、三代半导体。从 2000年开始，化合物半导体市场逐步扩大，以砷化镓、氮化镓、碳化硅为首的半导体材料应用增多。

Ⅲ-Ⅴ族化合物与传统硅材料相比具有以下优点：一、带隙较大，所制造的器件能够耐受较大功率，且工作温度更高。 电子迁移率高，适合制备高频、高速器件。二、光电转换效率高，适合制作光电器件。

因此，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体多应用于光纤通讯、无线通讯、卫星通讯、高端功率器件等领域。其中，砷化镓主要用于民用射频器件、氮化镓主要用于军用/高性能民用射频器件、碳化硅主要用于高压功率器件领域。

GaAs/GaN 等化合物半导体 IC 制造工艺与 LED 芯片类似，但由于功能复杂而需要在制造前先进行 IC 设计。

但由于化合物半导体的材料特性、外延方式和制造环境等要求和 LED 及 Si 都不同，因此需要采用专门的生产工艺流程与产线设备，从而产生了化合物半导体 IC 制造工厂。与硅基集成电路产业类似的，也产生了 IDM（整合元件制造商）和 Fabless（无晶圆设计公司+晶圆代工厂）两种商业模式。

砷化镓半导体：5G 带动砷化镓需求量新一轮成长，代工经营模式发展壮大

根据Strategy Analytics调查数据，2017年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元，较2016年的81.9亿美元成长7.8%。

砷化镓产业链包括外延片、IC 设计、晶圆制造、封装测试四个环节，

目前全球 GaAs 产业由美国IDM厂主导，2016 年 Skyworks、Qorvo 和 Broadcom 三家 IDM 厂商占据了全球 66%的市场份额。

砷化镓半导体代工经营模式： Fabless

外延片厂商主要有 IQE、emcore、全新等；

IC 设计厂商主要有 Microchip、Microsemi、和茂、锐迪科等；晶圆制

造厂商主要有 GCS、稳懋、宏捷科技、三安光电等。

台湾稳懋（Win）和宏捷科（AWSC）分别占据了58.2%和21.4%的市场份额，其主要客户分别为Avago、Skyworks 等 IDM 大厂，，

2017 年 12 月，全球第二大半导体制造商博通旗下控股公司 Avago 以 1.85 亿美元入股稳懋，成为稳懋第三大股东，未来 Avago 的 HBT 生产线产品将全部由稳懋代工。再次应证了未来设计公司去晶圆化及 IDM 产能外包成必然趋势，化合物半导体代工市场将加速成长。

氮化镓大功率器件未来应用前景广阔。根据MA-COM预计，未来随着氮化镓半导体在新能源、智能电网、信息通讯设备及4C产业的应用逐步拓展，全球氮化镓半导体市场潜在规模达94亿美元。

GaN 技术掌握在欧美日企手中，中国相对薄弱。GaN 技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显；我国氮化镓核心材料、器件原始创新能力仍相对薄弱，主要研发仍集中于军工方面。由于将 GaN 晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长 GaN 晶体来制备晶圆。其中日本住友电工是全球最大 GaN晶圆生产商，占据了 90%以上的市场份额。

碳化硅半导体：高功率器件用途广泛，应用市场将逐步拓展

SiC材料能够同时实现高耐压、低导通电阻、高频这三个特性。2016 年全球SiC功率半导体市场约5亿美元，预计未来SiC功率半导体市场容量有望超过20亿美元

另外SiC的导热率远高于其他材料，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。

SiC功率半导体适合用于深井钻探、太阳能逆变器（实现直流与交流的转换）、风能逆变器、电动汽车与混合动力汽车、工业驱动以及轻轨牵引等需要大功率电源转换的应用。

SiC 产业格局呈现美欧日三足鼎立态势，全球碳化硅市场基本被在国外企业垄断。美国产业优势显著，欧洲产业链完备，日本在设备和模块技术方面领先。由于碳化硅产业环节（芯片性能与材料、结构设计、制造工艺）之间的关联性较强，不少企业仍选择采用 IDM 模式。罗姆和 Cree 均覆盖了碳化硅衬底、外延片、器件、模组全产业链环节，其中 Cree 占据衬底市场约 40%份额、器件市场约 23%份额。目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破。

国内碳化硅产业仍处于起步阶段，已初步建立起相对完整的产业链体系。国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。由于生长 SiC 晶体难度很大，国内企业尚未研发出关键技术。国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口，主要来自 Cree、Infineon、罗姆等。国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，

包括有 IDM 厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，

单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，

外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。

三安集成也于 2018 年底公布商业版本的 6 英寸碳化硅晶圆制造流程，正式进军碳化硅晶圆代工市场。

民用市场国产替代即将开启，国产替代加速

军事应用有望成为化合物半导体实现国产化的突破口。砷化镓/氮化镓材料现在正处于发展阶段，目前全球该领域参与者数量远远小于硅，市场分布较为均衡，这对于国内厂商来说易于寻找突破口，快速追赶国际先进水平。目前国内从事砷化镓/氮化镓芯片制造的多为军工科研院所，如中电五十五所、中电十三所等，主要从事科学研发，难以实现批量生产，有望成为突破口。

民用市场国产替代即将开启。目前设计领域，国内第三大IC设计厂商锐迪科（RDA），依托大陆强大的白牌手机制造业迅速发展，在白牌手机的PA、蓝牙、FM Turner、DVB-S Tuner市场均为中国第一。锐迪科的砷化镓微波半导体产品是由台湾的稳懋来代工生产。

另外包括国民技术、汉天下等设计公司，均是三安光电未来潜在客户。

综上所述，以砷化镓/氮化镓/碳化硅为代表的化合物半导体的市场规模高达百亿美元，代工模式拥有强大的市场竞争力，国家政策扶持将加速化合物半导体的国产化进程。

三安光电：LED 芯片龙头强者恒强，化合物半导体打开成长空间

LED

三安光电目前产能位居全球第一，约占全球LED芯片产能的20%，约占中国LED芯片产能的29%。

2018 年，公司主要生产设备 MOCVD 预计可达近 400 台（折合 2英寸 54 片机数量），产能全国占比近 30%，可年产外延片 2400 万片、芯片 3000亿粒

公司的产业链覆盖：

三安光电通过上下游垂直整合，不仅节省了成本，也不断的提高行业议价权。

公司成立全资子公司实现蓝宝石衬底和气体的稳定供应，从而不受原材料上涨的影响。其中安徽三安气体可年产 4000 吨高纯氨，晶安光电随着三期项目完全投产将实现 LED 衬底平片产能 150 万片/月、PSS 图形化衬底片 240 万片/月及自制晶棒 306 万毫米/月。

公司的技术实力以及产品：

三安光电作为国内LED芯片龙头，具有强大的技术壁垒，在专利、客户和产品方面远远领先于其他国内厂商。

三安光电作为国内LED芯片龙头，LED产品覆盖了全部可见光和不可见光的光谱。公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产与销售，能够提供全波长范围的LED，产品可覆盖全部可见光和不可见光谱。

产品结构转变，转向高端市场。

芯片主要有砷化镓（红黄光）、氮化镓（蓝绿光）和氮化镓（PSS）等。2010 年以来，公司业务结构随着生产技术的突破发生改变，产品结构逐步由技术门槛较低的砷化镓芯片转向技术门槛较高的氮化镓（蓝绿光）、氮化镓（PSS）芯片，尤其是大功率、中功率白光产品（PSS）。

根据 DIGITIMES，近期公司 Mini LED 产能几乎已被三星包下，而三星也预计在第 3 季将高阶 Mini LED TV 推向客制化市场，测试顶级市场买气及水温，而三星 2017 年也曾采购三安 LED 晶粒应用至大尺寸的室内商用显示屏，这也意味着三安光电打入三星供应链的地位更趋稳固。目前华为、OPPO 和小米等智能手机厂商，计划在新推出的智能手机中采用 Mini LED 背光显示屏。

Micro LED 电视推出，三星包圆公司 Micro LED 产能。据 Engadget 报道，三星宣布，此前亮相 CES 的 146 英寸 MicroLED 电视“The Wall”将在 8 月份对外发售。“The Wall”MicroLED 电视所用组件为三安光电提供。

在制造方面：

LED 芯片行业是高度资本密集型行业，其制造需要持续高投入且高折旧，制造外延片需要的 MOCVD 设备每台机器价格高达 2000 万元，要具备一定产能和规模竞争力，至少需要投入数十台甚至上百台，总投资以数十亿计。

此外 MOCVD 设备的寿命一般在 10 年以上，但设备厂商 1-3 年就会推出性能更好、生产效率更高的新机型，因此通常 5 年左右时间就需要重新购置。

除设备成本外，高纯气体供应系统、超洁净厂房等基础设施也需要巨大的投入，从而带来巨大的折旧费用，以三安为例，2017 年公司的固定资产折旧达到 10 亿元。

目前公司的产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区，自 2010 年来公司一共进行了三轮扩产，截止 2017 年底 MOCVD 设备的数量约 352 台(折合 2 英寸 54 片机，考虑 2008 年以前设备全部淘汰)。公司目前产能位居全球第一，约占全球LED芯片产能的20%，约占中国LED芯片产能的29%。

市场有观点认为公司通过拉长折旧年限提高了利润率。

的确，只从各 LED芯片厂的固定资产折旧政策来看，公司的折旧年限的确较长，其中房屋及建筑物折旧年限为 30 年，2012 年及以前机器设备折旧年限为 8 年，之后改为 8-25年，超过其他公司近 1 倍。

客户方面：

客户方面，三安光电与三星、首尔半导体和CREE等纷纷达成合作。2014年三安与首尔半导体、首尔Viosys成立合资公司安徽三首半导体；2017年4月与CREE组建合资企业，用于经营经营高性能、中功率照明级LED封装产品；2018年2月与三星电子签订1683万美元预付款协议，与海外大客户的合作进一步深入。

公司与奇瑞汽车共同组建的安瑞光电营业收入增长迅速，已成为多家国内汽车品牌的供应商。

集成电路产业基金入股，携手环宇推进化合物半导体

2017年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元

据 Strategy Analytics 统计，2010-2015 年代工厂产值占比全球 GaAs 市场逐年升高，2015 年占比为 13.35%，预计未来会不断提高。

2017全球氮化镓半导体市场潜在规模达94亿美元。

据 transparencyMarket Research 统计，2012 年全球 GaN 半导体市场规模约 3.7982 亿美元（约合人民币 23.3 亿元），预计到 2019 年达到 22.0373 亿美元（约合人民币 135亿元），年复合增长率为 24.6%。

2014年，公司成立子公司三安集成电路有限公司，开始切入化合物半导体领域，同年通讯微电子（一期）项目基建工程开工。2015年7月三安光电非公开发行1.57亿股募集资金35亿元，其中16亿元用于投资通讯微电子器件（一期）项目，建设GaAs/GaN外延片产线各一条、适用于专业通讯微电子市场的GaAs高速半导体芯片与GaN高功率半导体芯片生产线各一条。项目建设周期为45个月，建设完成后，将形成

三安集成电路进展顺利。根据公司2018年半年报显示，三安集成电路砷化镓射频已与103家客户有业务接触，出货客户累计58家，14家客户已量产，达89种产品，产品性能及稳定性获客户一致好评；氮化镓射频已实现客户送样，初步性能已获客户认可；

三安集成电路于2016年与GCS成立三安环宇。2016年11月，公司与GCS（环宇通讯半导体有限责任公司）合资成立子公司三安环宇，其中三安出资204万美元，股权占比51%。环宇是全球知名的化合物半导体代工厂，2017年GaAs代工市场份额占比达到7.2%，位居全球第三，仅低于稳懋和宏捷，更重要的是GCS拥有丰富全面的化合物半导体制造技术，此次合作将有利于公司提升射频通讯和光通讯元件技术水平和构筑相关专利平台，同时有望引入环宇已有客户资源。

目前GCS拥有2寸、3寸和4寸的GaAs、InP、GaN和SiC晶圆产能，其中以4寸产能为主，提供包括磷化铟镓（InGaP）异质介面双极电晶体（HBT）、磷化铟HBT、PHEMT、HFET、GaN HEMT、THz混频器二极管与积体被动元件（IPD）等制程技术。在多元化业务驱动下，公司的营收快速增长，2017年营业收入达4.23亿元，毛利率高达46.5%。

募集资金以及在建工程：

在建工程：

按2014年募集资金的项目看：

2014年募集的资金投资方向发生了变更

按2015年募集资金的项目看：

（一）厦门光电产业化（二期）项目 1、募集资金使用计划及项目基本情况 本项目总投资为 364,510 万元，其中固定资产投资 294,916 万元，流动资金 69,594 万元；募集资金投入金额不超过 191,000 万元，全部用于本项目固定资产 建设。本项目由子公司厦门三安光电有限公司实施，项目建成后将形成年产

项目实施进度安排 本项目由厦门三安光电负责实施，项目建设期为 24 个月。2017-2018全部完工

6、项目效益预测 本项目建设期为 24 个月，

预计达产年销售收入 317,424 万元（不含税），达 产年税后净利润 66,468 万元，净利率20%

（二）通讯微电子器件（一期）项目 1、募集资金使用计划及项目基本情况 本项目总投资 300,475 万元，其中固定资产投资 243,213 万元，流动资金 57,262 万元，其中使用募集资金投入不超过 160,000 万元，全部用于本项目固定 资产建设。本项目由公司子公司厦门市三安集成电路有限公司实施，项目建成后 将形成通讯用外延片 36 万片/年（以 6 吋计算）、通讯用芯片 36 万片/年（以 6 吋计算）的产能。

项目实施进度安排 本项目建设期为合计 3 年零 9 个月（合计 45 个月）。2020年后完工

项目效益预测 本项目建设期为 45 个月，

预计达产年销售收入 401,539 万元（不含税），新 增年净利润 59,624 万元。净利率：14.8%

总结：因为现在已经已经能投产，还有led价格的波动，不好估值

2019年募集资金

本次非公开发行募集资金总额不超过 700,000.00 万元。其中，先导高芯拟认 购金额为 500,000 万元，格力电器拟认购金额为 200,000 万元。各发行对象认购 的股票数量=本次发行认购金额/每股发行价格（小数点后位数忽略不计）。

半导体研发与产业化项目（一期）建设主要包括三大业务板块及公共配套建 设，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板 块。本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片；高 端砷化镓 LED 外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品 方向的研发、生产基地。其中，各业务板块具体的产能规划如下：

1、氮化镓业务板块：（1）年产氮化镓芯片 769.20 万片，其中：第五代显 示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/ 年、紫外（UV）芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年；（2）PSS 衬底 年产 923.40 万片；（3）大功率激光器年产 141.80 万颗。

2、砷化镓业务板块：（1）年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片，其中：第五 代显示芯片（Mini/Micro LED）17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40 万片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健 康芯片 8.80 万片/年；（2）年产太阳电池芯片 40.50 万片，其中：商用卫星电池 13.50 万片/年、临近空间装置 27.00 万片/年。

3、特种封装业务板块：（1）UV LED 封装 81.40kk/年；（2）Mini LED 芯 片级封装 8,483.00 kk/年；（3）车用级 LED 封装 57.80kk/年；（4）大功率 LED 封装 63.20kk/年；（5）IR LED 封装 39.00kk/年。

本次募集资金投资项目建设期为 4 年，达产期为 7 年。

本次募集资金投资项目预计达产年销售收入 824,393.32 万元（不含税），达 产年净利润 199,176.70 万元。净利率在24%

盈利估值测算

1、LED芯片业务：

LED 芯片：2017 年公司 LED 芯片业务收入为 61.89 亿元（LED 业务营收除去汽车照明业务），19 年随着部分新进入厂商芯片产能释放，行业竞争会有所加剧，但 LED 价格降幅将逐渐缩窄，2020 年随着 Mini LED/MicroLED 等需求逐渐释放，

汽车照明：公司汽车照明 2017 年营收为 8.56 亿元，2018 年上半年营收为4.25 亿元，同比增长31.58%。受到宏观经济影响，汽车销量下降，公司该业务今年增速放缓，

材料、废料销售：公司的材料、废料销售业务是公司生产 LED 产品所需原材料之一的黄金回收收入，2017 年对应营收为 9.95 亿元，忽略黄金价格变动，用LED芯片业务增速预计，

2、化合物半导体业务：

三安集成砷化镓射频已与103家客户有业务接触，出货客户累计58家，14家客户已量产，2018年上半年实现营收规模0.67亿元，同比营收增幅超过1.5倍。预计三安集成的客户认证顺利，19年大部分认证的产品进入量产阶段，同时产量逐月累加；公司15年募集资金30亿，其中16亿用于建设一期项目，考虑到固定资产折旧，预计化合物半导体到2020年收入达13个亿实现盈亏平衡。

化合物半导体：营收2018年 2 亿元，2019年4亿元，2020年 6亿元，毛利率 35% 40% 40%

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