李在鎔：三星計劃利用全球首個3納米工藝製造芯片

IT之家1月2日消息 據韓媒koreaherald報道，三星電子事實上的領導者李在鎔週四討論了該公司將利用全球首個3納米工藝技術製造芯片的戰略。

李在鎔當天參觀了三星位於京畿道華城的半導體研發中心，這是他在2020年首次正式進行現場管理。李在鎔談到了該公司的計劃，該計劃旨在使用正在開發中的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡稱GAA)工藝技術，使全球客戶訂購的尖端芯片商業化。

GAA被稱為當前FinFET技術的升級版，該技術能夠使芯片製造商將微芯片的製造工藝進一步提升。

三星去年4月完成了基於極端紫外線技術的5納米FinFET工藝技術的開發，該公司正在研究下一代納米工藝技術。三星稱，與5納米制程相比，3納米GAA技術在邏輯區域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

三星發言人說：“李在鎔對半導體研發中心的訪問，再次凸顯了三星承諾成長為非內存領域頂級芯片製造商的承諾。”

去年，三星宣佈了一項1118.5億美元的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的芯片系統製造商。