臺積電是一家既可敬又可怕的企業，可敬的是其突破性的芯片代工模式顛覆了半導體行業的遊戲規則；可敬的是其成為晶圓代工界的黃埔軍校，為代工界培育了大量的人才；可敬的是其對中國半導體產業所作出的貢獻。但臺積電也越來越可怕，可怕在其過去數十年的霸主地位，僅一家便吞下晶圓代工的半壁江山；可怕在其對先進工藝的追逐，7nm幾乎獨攬生意，5nm進入量產階段，2nm已有謀劃；可怕在其早早地對先進封裝技術的未雨綢繆和遠見，並不斷取得突破。
十年磨一劍，不，半導體業可能要更久，半導體業沒有彎道超車，有的只是在這個熾熱和浮躁的大環境下的冷靜和堅持。
過去十年不斷攀升的市佔率
臺積電的專業芯片代工模式改寫了半導體產業的遊戲規則，長久以來，臺積電一直處於晶圓代工界的老大，其市佔率逐年攀升，過去十年臺積電的市佔率一度處於一半以上的態勢，也因此格羅方德曾向歐盟和中國投訴臺積電壟斷。
2009年臺積電的市佔率為45%，正值金融危機之時，已經退休4年的張忠謀重回臺積電，上任之後，張忠謀帶領檯積電全力衝刺當時最前沿的28nm製程芯片，這一年，臺積電實現了40nm量產和28nm的開發，並且開始部署20nm的研發。
2010年臺積電經歷了強勢復甦的一年，其所有晶圓代工廠滿負荷運轉，並實現了14%的產能提升。且40/45nm實現全面量產，28nm也開始和客戶預約訂單，2010年臺積電的市佔率上升為47%。
2011年全球半導體市場增長接近於零，對臺積電來說是具有挑戰的一年。但臺積電市佔率仍增長了2%，由2010年的47％上升到49％。這主要是由於，在臺積電的技術優勢下，全球主要IC領導廠商與臺積電、聯電的關係將更為緊密，助其全球晶圓代工市場地位日益穩固。除此之外，臺積電在2011年下半年率先提供28nm製程的量產技術。
2012年，憑藉平板電腦和智能手機等移動IC的強勁需求，臺積電實現了創紀錄的營收和利潤，其產能迅速轉向28納米，出貨量也比2011年增長了30倍。2012年臺積電的市佔率增長到49.5%。
2013年，臺積電28納米出貨量和收入快速增長，並且引入了FinFET晶體管結構，使得16納米獲得了更好的性能，除此之外，臺積電還開始了10納米工藝的研發。臺積電的市佔率為46％。
得益於28納米技術的強勁需求以及客戶對20納米片上系統代工的快速接受和需求提升，2014年臺積電創收和利潤再次達到新紀錄，其市佔率一舉躍升到53.7%。其16nm FinFET Plus於2014年12月按計劃完成技術認證，7納米技術進入了高級開發階段。
2015年全球經濟發展疲軟阻礙了半導體的發展，但受益於先進工藝的發展，臺積電20納米訂單增加了一倍，16納米FinFET工藝也被成功引入，10納米取得了良好的進展並且完成了技術認證，7納米在產量和良率上都得到了提升。2015年臺積電在晶圓代工市場的市佔率上升到55%。
據 IC Insights 的統計資料顯示，臺積電在2016年以59%的市場佔有率排第一，這主要是得益於臺積電通過成為世界邏輯IC行業技術和能力的可信賴提供商，10納米取得成功量產，7納米完成了技術認證。
2017年臺積電10納米工藝訂單激增，7nm量產，並抓住了移動設備、高性能計算、物聯網和汽車半導體的機遇，不但在收入、淨利潤和每股收益上都實現了穩健的增長，還為臺積電在未來幾年建立了強勁的發展勢頭。2017 年臺積電於全球晶圓代工市場的市佔率高達 55.9%。
根據CINNO Research 產業研究統計的晶圓代工排名中，2018年積電的市佔率為53.3%。據調研機構Trendforce指出，臺積電2019年第四季在代工市場的市佔率為52.7%，而且2019年11月，臺積電市值一舉超越三星的市值，達到約2620億美元。
臺積電市值顯著走高，主要與全球半導體生態系統的變化有密切關係，隨著手機時代的到來，高性能及高節能的應用處理器(AP) 越顯重要，故臺積電的高端晶圓製造技術與量產能力，將能幫助臺積電在市場內取得大量訂單。臺積電市值走高還歸因於格芯宣佈放棄進軍7 納米制程，而從格芯流出的高階晶片訂單，也令臺積電更為擴大在晶圓代工市場之影響力。
在今年年初召開的法人說明會上，臺積電總裁魏哲家預測，受惠於5G和人工智能晶片應用快速成長，臺積電營收有望在2020年第一季度達到102億-103億美元，創出新高；全年增幅則會優於產業平均值，同樣來到歷史最高點。
先進工藝的壟斷
臺積電創業初期，在飛利浦的技術支持下，是以3.0um與2.5um切入市場，在當時落後Intel 2個世代。在1999-2009這十年，臺積電通過高強度的資本和研發投入，工藝突飛猛進，逐漸趕超英特爾。後來隨著智能手機的興起，臺積電擁抱行業最優質的客戶，與華為海思、蘋果、高通、蘋果等客戶共同成長，不斷觸底摩爾定律的極限，突破14nm、7nm、5nm等技術節點，也因此在先進工藝上長期處於壟斷地位。
在先進製程的戰爭中，28nm可以說是臺積電甩開其他晶圓廠的一大制勝武器，28nm製程從2011年開始量產，領先競爭對手3-5年。為了充分發揮技術優勢，臺積電非常注重迅速擴張先進產能，也正因為如此，幫助臺積電在每一個先進製程節點都能快速搶佔客戶資源、擴大先發優勢，2012年，臺積電在28nm製程工藝芯片市場的佔有率接近100%。
放眼整個晶圓代工行業，目前主要還剩下臺積電、三星、英特爾、聯電、格羅方德和中芯國際這幾個頭部企業，再加上聯電、GlobalFoundries等主要競爭對手相繼宣佈放棄14nm以上節點研發，英特爾10nm工藝久久未出，臺積電在先進工藝上的壟斷地位更加鞏固。
而臺積電卻在先進工藝的路上愈戰愈勇，28nm製程攻克之後，臺積電的先進製程發展迅速。2014年臺積電啟動“夜鷹計劃”，全力奮戰10nm，研發人員實施24小時三班輪值不停休，從而大大提升了研發效率，到2016年底，臺積電的10nm開始量產，2017年10納米開始爬坡。
在7nm工藝上，只有臺積電和三星兩家能做到，但臺積電在市場份額上佔據絕對優勢。2019年臺積電Q3季度財報會顯示，臺積電的先進工藝產能爆發，蘋果、華為、AMD等客戶都相繼推出了新一代7nm芯片，包括麒麟990系列、A14及銳龍3000、RX 5700系列等，所以臺積電在7nm的訂單上可謂一家獨大，而且7nm產能早已供不應求，交付期都從2個月延長到了6個月。
在先進工藝的追逐戰中，EUV光刻機是關鍵的一環，而在三星、臺積電和英特爾三家中，臺積電的EUV佈局當屬領先。Arete Research高級分析師Jim Fontanelli也表示，臺積電在EUV領域處於領先地位，無論是所用的工具還是訂購的工具，生產的商用EUV晶圓的數量，還是將EUV集成到他們未來的路線圖中。據悉，今年臺積電的7nm（包括EUV）晶圓產能大概在10-11萬片/月。三星7nm LPP（EUV）工藝的晶圓產能大概在1萬張/月，只有臺積電的1/10左右。
2019年10月，根據臺積電聯席CEO魏哲家此前公佈的數據，公司的5nm工藝已經完成研發，目前正在風險試產，量產時間也提前到了今年Q1季度。目前可以確定會用5nm工藝的就有蘋果、華為海思，這兩家是最早首發的。後續AMD的Zen4處理器、高通的麒麟875、賽靈思的新一代FPGA也有望用上臺積電的5nm工藝。
5nm之後，其3nm新廠可望於明年動工，更為厲害的是，2nm工藝的研發也已經開啟，預期4年後就可以投放到市場上。更先進的工藝上，臺積電也走在了前列。
在日前臺積電召開的法人說明會上，CFO黃仁昭介紹到，對於2020年全年資本支出情況，臺積電給出了150億-160億美元的預期，繼2019年全年支出達到歷史新高後，再破記錄。在2020年的全部支出中，約80%將用於3nm、5nm與7nm等先進製程技術上，其餘僅10%則用於包括先進封裝與光罩，另外的10%則是用於特殊級製程技術上。他還指出，從細分業務來看，5nm、7nm等先進製程則或將成為臺積電最強有力的增長動能。
高級封裝上的進擊
早些年，蘋果iPhone處理器一直是三星獨攬。但從A11開始，臺積卻接連獨拿兩代iPhone處理器訂單，關鍵之一，就是臺積電開發的全新封裝技術InFO，它能讓芯片與芯片之間直接連結，減少厚度，給電池或其他零件騰出寶貴的手機空間。此舉也成為高級封裝技術走向大規模商用的標誌性事件。
高級封裝技術在最近幾年熱度不斷攀升，已經成為高性能芯片的必選項，也被視作延續摩爾定律生命週期的關鍵。過去，晶圓代工與封裝廠基本都是各司其職，但隨著終端對芯片要求的提升，一方面，處理器所存在的“內存牆”問題大大限制了處理器的性能，另一方面，隨著高性能處理器的架構越來越複雜，晶體管數越來越多，再加上先進半導體工藝的價格昂貴，處理器良率提升速度差強人意。
為了解決這些問題，先進封裝開始走上風口，而臺積電很早就看到了這個需求。2011年的臺積電第三季法說會上，張忠謀就宣佈臺積電要進軍封裝領域，其第一個產品，叫做CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），就是是將邏輯芯片和DRAM放在矽中介層（interposer）上面，然後封裝在基板上。
兩、三年後餘振華領導的整合連結與封裝部門順利開發出CoWoS技術，而到了量產之後，真正下單的主要客戶只有賽靈思一家，可以看出，在彼時這種技術還不能完全被一眾廠商接受，主要原因是價格太高。後來臺積電開發價格略微低的先進封裝技術，性能比CoWoS略差一些。這也就是後來首度用在iPhone 7與7Plus的InFO封裝技術。
臺積電的兩大先進封裝COWOS和InFO，這兩年在市場上也取得了很大的優勢，除了CoWoS和InFO這兩大2.5D IC封裝技術外，臺積電在3D IC封裝上還有SoIC 及 WoW。其SoIC 及 WoW 等3D IC先進封裝也陸續試產成功。
2018年臺積電已完成搭載7納米邏輯IC及第二代高頻寬記憶體（HBM 2）的 CoWoS 封裝量產，並藉由高製造良率、更大硅中介層與封裝尺寸能力的增強、以及功能豐富的矽中介層，例如內含嵌入式電容器的矽中介層，使得臺積電在 CoWoS 技術上的領先地位得以更加強化。
2019年10月，臺積電在美國舉辦的開放創新平臺論壇上，與ARM公司共同發佈了業界首款採用CoWoS封裝並獲得硅晶驗證的7納米芯粒(Chiplet)系統。臺積電技術發展副總經理侯永清表示，臺積電的CoWoS先進封裝技術及LIPINCON互連界面能協助客戶將大尺寸的多核心設計分散到較小的小芯片組，以提供更優異良率與經濟效益。
因看好未來 5G、人工智能、高效能運算（HPC）等新應用，而且芯片設計走向異質整合及系統化設計，臺積電不斷擴大先進封裝技術研發，去年臺積電順利試產 7nm系統整合芯片（SoIC）及 16 納米晶圓堆疊晶圓（WoW）等 3D IC 封裝製程，預期 2021 年之後進入量產。
不得不說，原先不起眼的封裝技術，現在儼然成為臺積甩開三星、英特爾的主要差異點。在商業的推廣上，臺積電更是不遺餘力地推廣高級封裝領域開放生態，包括封裝技術、互聯接口標準以及相關的IP，希望能給客戶帶來更多價值。
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