用两种光普光,光刻胶,重叠的部分就可有0.1纳米技术,对不?

江苏省西京市


不对。

光谱光是指在特定光度条件下,引起光强度感觉相等的、两个辐射的辐射的辐通量之比,人对各种波长光所感受的平均相对灵敏度,简称光视见效率。

两种光谱的光应该是指光的干涉现象

它是指因两束光波相遇而引起光的强度重新分布的现象。干涉现象的必要条件是:①频率相同;②光矢量(即电场强度矢量E)的振动方向相同;③在相遇处两束光的相位差恒定。因此两种光谱,是指频率不同,所以不会发生干涉现象。

我们在刻蚀机方面已经获得了不错的进步,这就要为我们的中微半导体点赞了,是他们的努力,让我们的刻蚀机技术进入了5nm领域,这是世界上领先的,而光刻机,这就有些遗憾了,可以说我们和国际上的差距可不是一句话可以说完的。

光刻机研制异常艰难,涉及到的领域非常多,大家都知道,现在高端光刻机基本上都被外国所垄断了,甚至可以直接说是被荷兰的“ASML”所垄断了,而这个垄断是包含很多的“垄断”的。

光刻胶:作为微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻胶是光刻机研发的重要材料,通俗的解释是光刻机就是利用特殊光线将集成电路“映射”到硅片表面,而要想在硅片表面的避免留下“痕迹”,这就需要在硅片表面涂上一层特殊的物质,这个物质就是“光刻胶”。这个光刻胶可不是平时的胶水,性能指标要求极高,比如特殊感光性能,不能说感光无痕迹,粘附性要求高,不能说不能附着在硅片表面,或者不能匀称的附着,粘滞性低,这样光刻胶厚度才能均匀,另外,抗蚀性、表面张力上都有极高的要求。

光刻胶不止应用于芯片,而在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上应用广泛,而说一个很无奈的话,现在我们所需要的高端光刻胶基本上都是从国外进口的,这个不但影响了我们高端光刻机的研制,同时也影响到了其他相关产业的发展。

制造芯片现在普遍使用的是193纳米准分子激光,10~15纳米的极紫外线光刻技术,这里的193、10、15指的是光的波长。用两种不同波长的紫外线光重叠不能发生干涉现象,也不能出现0.1纳米干涉线宽,如果能够使其发生干涉而减小线宽,那么对机器精细的要求程度特别高。


分享到:


相關文章: