大到電腦手機，小到穿戴設備，我們日常生活中的各種數碼電子設備幾乎都離不開閃存。
要說閃存是如何製造的，在1987年發明閃存的東芝應該很有發言權了。閒來無事，筆者通過東芝存儲的官網尋覓了與閃存製造相關的一些信息，一起來看這種黑色小芯片到底是如何製造出來的。
當前我們使用的閃存大多屬於3D閃存，它是將閃存單元立體堆疊而來，靈活地解決了半導體制程發展遇到的瓶頸。東芝在2007年首次在IEEE學術會議上展示了三維（3D）閃存技術：
由東芝發明的BiCS閃存經過48層和64層發展後，目前已發展為96層堆疊的BiCS4。
下圖是東芝存儲BiCS4閃存（尚未封裝的die），它採用96層堆疊結構，擁有TLC和QLC兩種類型，後者實現了1.33Tb/die的存儲密度。
為了實現一層層的堆疊效果，東芝存儲在3D閃存的製造過程中廣泛應用了等離子蝕刻技術，將電極和介電層交替堆疊，然後在所有層上穿孔，並在通孔內沉積介電膜，形成電極柱。
為了獲得理想的孔形狀，東芝研發了新的掩膜材料和蝕刻氣體，並通過表面和氣體層控制技術增加閃存堆疊層數。
作為精密的半導體工藝產品，製造完成的閃存晶圓需經過高度精確的缺陷檢查。東芝用SEM掃描電子顯微鏡解和機器學習技術，高效發現和排除製造過程中產生的缺陷，保障閃存品質。
由於物理限制的原因，半導體光刻工藝的成本不斷增加，東芝正研發納米壓印光刻技術，使用壓印將模板上的納米級圖案轉移到晶圓上。該技術是備受期待的下一代光刻方法，可用較低成本實現先進的存儲器製造。
作為NAND閃存的發明者，東芝存儲已於2019年10月1日起改名為Kioxia（中文名鎧俠）。Kioxia是日語kiodu（存儲）和希臘語axia（價值）的組合：融合存儲和價值，通過存儲推動世界進步。
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