中美貿易戰停戰，這是一個振奮人心的好消息。不過，無論是加大進口農產品、能源，還是在知識產權方面的讓步，中國終究付出了不小的代價。
打鐵還需自身硬！我們必須在接下來的停戰期內，努力提高自生的研發能力和技術水平，特別是在芯片產業。5月21日，在浦東新區康橋工業園南區，由華虹集團旗下上海華力集成電路製造有限公司建設和營運的12英寸先進生產線建設項目（簡稱“華虹六廠”）實現首臺工藝設備——光刻機搬入，標誌著華虹六廠從基建階段進入工藝設備安裝調試階段。
華力12英寸先進生產線建設項目是上海市最大的集成電路產業投資項目，總投資387億元人民幣，將建成月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線，工藝覆蓋28-14納米技術節點。項目計劃於2022年底建成達產。項目主要從事邏輯芯片生產，重點服務國內設計企業先進芯片的製造，並滿足部分事關國家信息安全的重點芯片製造需求。項目已被列入國家《“十三五”集成電路產業重大生產力佈局規劃》，也是“十三五”期間上海市重大產業項目和上海市重大工程。
此次搬入的首臺工藝設備為荷蘭阿斯麥公司（ASML）的NXT 1980Di光刻機，是目前中國大陸集成電路生產線上最先進的浸沒式光刻機。ASML是世界唯一一家的高端光刻機制造商，其光刻機的年產量也只有幾十臺，全球各大頂級芯片生產商如英特爾、三星、臺積電都要搶購，屬於市面上“有錢也買不到”的稀缺品。想要發展我國自主的芯片產業，離不開光刻機。
根據賽迪顧問的統計，按照銷售額，上海華虹位列2017年國內十大集成電路製造企業第五位。
除了華虹，近日陸續有多臺ASML 的設備運入中國大陸晶圓製造廠。其中，長江存儲的首臺光刻機也已運抵武漢天河機場，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，可生產20-14nm工藝的3DNAND閃存晶圓，售價達7200萬美元，約合人民幣4.6億元。
2016年底，國家存儲器基地項目(一期)一號生產和動力廠房在武漢正式開工建設，2017年9月底提前封頂，2018年4月5日首批價值400萬美元的精密儀器進場安裝。
長江存儲擁有完全自主知識產權的32層堆疊3D NAND閃存已經開始試產，不少產業鏈企業都拿到了樣片測試，預計今年第四季度量產。
同時，長江存儲還在推進64層堆疊3D閃存，力爭2019年底實現規模量產，與世界領先水平差距縮短到2年之內。這臺光刻機來到中國，意味著中國在生產設備上與其他國家處於同一起跑線，國產SSD固態硬盤也將迎來重大突破。
存儲器不僅是我國進口集成電路的大頭，而且在全球半導體市場佔有舉足輕重的地位。從Gartner發佈的數據看，2017年全球半導體行業前10大企業中，憑藉在存儲器產業的壟斷地位，韓國的三星與SK海力士的排名上升至第一和第三。
而中國在DRAM和FLASH領域，長江存儲可以說是唯一的玩家。目前長江存儲的重心放在3D NAND flash的開發上面，同時也在推進20/18nm的DRAM開發。長江存儲正全力推進64 層 3D NAND ，估計2019年底能實現量產。
目前韓國三星已經在2017年量產64層 NAND，可以看出中國和韓國的技術差距在2年，2年看似很短，其實在競爭激烈瞬息萬變的市場，已經是極大的差距了。
其實中國在政府的政策支持下，發展半導體產業不遺餘力已經不是新聞。不論是式在晶圓代工製造、DRAM、NAND Flash 等領域，過去企圖透過併購、挖角以獲得先進技術。但是，在製程的過程中，關鍵的技術設備在過去難以取得，也是阻礙中國半導體發展的原因之一。如今，似乎這樣的限制正逐漸地被打開中。在相關的半導體生產中，中國廠商也開始逐漸導入先進的製程設備，以方面往更先進的製程。
然而包括存儲器在內的芯片行業是一個技術密集型產業，製程沒人家好，生產效率沒人家高，市場就是人家的，中國企業只能跟在後面吃土。中國要想實現在芯片行業的逆襲，就要做好長期燒錢，10年不盈利的心理準備，要做好隨時被國外設備廠商卡脖子的準備。
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