合肥長鑫存儲近日宣佈，已成為國內第一家也是唯一一家DRAM（動態隨機存儲器）生產商。
長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，今年9月20日，長鑫存儲宣佈總投資約1500億元的內存芯片自主製造項目正式投產，其與國際主流DRAM同步的10nm級第一代8Gb DDR4也首度亮相 。
長鑫存儲的代表透露，該公司已經完成合肥Fab 1及研發設施建設，目前月產能2萬片，並計劃在2020年第二季度將產能提高一倍，達到每月4萬片，約佔全球內存產能的3%。
長鑫內存自主製造項目總投資1500億，將生產國產第一代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，並獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。
據瞭解，該晶圓廠每月產量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會提升到40000晶圓/月，大概能佔到全球內存產能的3%。
DRAM是最常見的系統內存，也是集成電路產業產值佔比最大的單一芯片品類。
在該領域，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計接近95%。與此同時，這三家企業掌控著諸多DRAM技術專利。
而以長鑫存儲為代表的中國存儲芯片企業正應對挑戰，該公司一直在從韓國和臺灣地區招募工程師，並“挖角”德國奇夢達（Qimonda），以建立DRAM相關人才儲備。
另外，知識產權問題也日益受到重視。不久前，長鑫存儲通過加拿大知識產權公司WiLAN獲得大量來源於英飛凌的DRAM技術專利的實施許可。
除上述項目之外，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠以及一些基礎設施，為3000名員工及其家人提供住房。
Object Analysis首席分析師漢迪（Jim Handy）評論稱，“長鑫存儲擁有比大多數人預期的中國DRAM製造商更高的專業水平”。
“（長鑫）基本是奇夢達在中國的設計中心，因此他們能夠使用奇夢達的知識產權。這讓他們比中國其他DRAM和閃存芯片（NAND）的新興製造商處於更有利的位置。”漢迪表示。
今年5月披露，長鑫存儲已從奇夢達獲得部分技術來源。與後者的合作使長鑫存儲獲得一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據，成為公司最初的技術來源之一。
另外，紫光集團在3D NAND領域取得突破之後，也開始進軍DRAM領域，力求在2021年量產。
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