近日，IBM披露了其新一代主機IBM z15的諸多技術細節，再次彰顯了藍色巨人的雄厚實力，尤其是緩存容量和密度驚人。
IBM z15集成了122億個晶體管，比上代z14增加了25億個，每顆芯片12個物理核心，總面積696平方毫米，與上代完相同。
IBM z15、z14核心規格對比
緩存分為四個級別，其中一二級集成於核心內部，三四級位於核心外，容量則都大大提升：每個核心一級指令緩存128KB、一級數據緩存128KB，總容量3MB；每個核心二級指令緩存4MB、二級數據緩存4MB，總容量96MB，比上代翻番。
三級緩存從128MB翻番至256MB，四級緩存則從672MB來到了960MB，幾乎增加了一半。
這樣算下來，每一顆處理器的四個級別緩存總容量就達到了驚人的1315MB。
頻率方面，一二級緩存與CPU核心一樣都運行在5.2GHz，三四級緩存則是半速2.6GHz。
IBM z15四個級別的緩存
更驚人的是，IBM z15的製造工藝依然是IBM、GlobalFoundries聯合研發的14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多，總面積卻保持不變，當真是寶刀不老。
另外，z15的二三四級緩存都是高密度的eDRAM存儲單元，每單元面積為0.0174平方微米，甚至比臺積電5nm工藝下的SRAM密度還要高，後者每單元面積為0.021平方微米。
當然這樣比較並不完全精確，因為SRAM每單元一般是六個晶體管，eDRAM則是一個，但也足以看出14nm工藝的爐火純青。
WikiChip分析師David Schor也表示，IBM/GF 14nm被證明是極為出色的。
領先工藝的SRAM集成密度對比
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