詳細看了瀾起科技的招股說明書和之前的歷史後，在分析瀾起科技的財務數據之前要清楚瀾起業務的以下的幾點：
1.內存接口芯片不是DRAM芯片
2.內存接口芯片與DRAM芯片為伴生關係，內存接口芯片下游才是DRAM市場
3.內存接口芯片的技術迭代可以稍慢於DRAM的技術迭代
瀾起科技和IDT 內存接口芯片崛起之路都是從新濤科技開始的，那麼接下來的分析就避免不了將瀾起和IDT做財務上的比較，但在此之前還有幾個很需要我們去注意的方面
（1）存儲市場繁榮景象已到末期
從此圖可以看出從2001年後，DRAM的每次大的繁榮週期為6年，而目前從2013年起算，目前DRAM的景氣週期已經過去了6年多
（2）DDR5全面普及還有多久？
從第一條DDR4內存條在2011年三星宣佈完成開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。於2012年投入商用，其後在2015年Intel六代CPU的發售標誌著進入DDR4時代，於2016年全面普及後，瀾起的招股說明書財務報表情況正是從2016年開始的，也正是說瀾起的崛起絕對是因為直接和JEDEC協同確定了DDR4內存接口芯片的標準，比其它主要廠商早完成認證，趕上了DDR4全面普及時代從而帶來了營收和利潤的大幅增長，但從DDR4內存條的出現到全面普及已經過去了4年多的時間
此時要關注的時間點是從2011年三星宣佈完成開發後到2016年DDR4的全面普及花了4年的時間
2017年9月22日，Rambus宣佈在實驗室中實現完整功能的DDR5 DIMM芯片，預期將在2年開始量產。
2018年10月，Cadence和鎂光公佈了自己的DDR5內存研發進度，兩家廠商已經開始研發16GB DDR5產品
在這裡要注意的是RAMBUS具有DDR5的先發優勢,而目前瀾起科技的DDR5內存接口芯片仍處於研發狀態中，預計量產為2021年-2022年
在這裡有另一個重要的時間節點，即2013年10月，瀾起完成DDR4內存接口芯片的認證，是在2011年三星宣佈完成DDR4研發後兩年，而現在離RAMBUS 2017年9月宣佈完成DDR5工程樣片已經過去兩年的時間，如果瀾起到2020年底完成第一代DDR5內存接口芯片的量產版研發，完成認證可能要都2021年，到時就過去了4年時間
瀾起科技第一代DDR5內存接口芯片工程樣片是在2019年推出的，要到2020年底才能完成第一代DDR5內存接口芯片量產版的研發 ，隨後形成量產可能要到2021年-2022年，從瀾起招股說明書中提及，DDR4內存條的面世時間是2014年，估計DDR4內存條也就是在2014年完成的生產線量產，而在量產一年前瀾起就完成了DDR4內存接口芯片的認證，瀾起是否能在DDR5內存條面世前形成量產，瀾起必須在CPU廠商完成新一代芯片迭代前完成DDR5內存接口芯片的三方認證，才能趕上技術迭代後的大規模擴產
這裡值得商榷的一點是RAMBUS宣佈的是實驗室中實現完整功能的DDR5 DIMM芯片，這個不是DDR5的面世，畢竟DDR5的內存條面世還需要搭載DDR5內存模組的系統，目前來看如果DDR5在2020年面世，如果瀾起在2022年才能完成DDR5內存接口芯片的量產，也就是在DDR5面世之後了，可能會錯過大好時機
（3）我國大陸資金大幅度的投入DRAM行業，同時海外廠家均有擴產計劃，下游DRAM市場的產能過剩會導致DDR4過快進入產能過剩
隨著國家集成電路基金在DRAM行業上的大量投放資金，目前所知的在建DRAM工程廠家有$兆易創新(SH603986)$ （兆易創新目前募資投放是用於DRAM芯片設計），長鑫存儲，福建晉華（做個比喻，國內DRAM廠商的行為就像國內通信業已經要進入5G時代，而你還在持續投入4G。
長鑫12吋存儲器晶圓製造基地項目（300mm）項目單位：合肥長鑫集成電路有限責任公司
項目內容：長鑫12吋存儲器研發項目總佔地1582畝，總投資約80億美元（約550億元），規劃月產12.5萬片DRAM存儲器晶圓。項目採取一次規劃、分三期實施，首期計劃投資約180億元，建設12吋存儲器研發線。
項目進展：合肥長鑫項目一期已於2018年1月完成建設一廠並開始安裝設備，2018年7月16日項目投片。按照規劃，該項目將於2019年末實現產能每月2萬片。
2019年9月20日，合肥長鑫DRAM存儲項目正式投產，由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與兆易創新共同出資組建。項目一期設計產能每月12萬片晶圓，屆時影響全球1Xnm制式工供應大概6%-8%（由於缺少全球1Xnm產能數據，僅能從長鑫本身預估市佔率取得數據）。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發，也還是1Xnm制式工藝，我國內存接口芯片製造工藝落後國外巨頭至少5年
從消息來看，兆易創新、合肥長鑫的DRAM項目都是面向DDR4建立起來的生產線，現在合肥長鑫是國內內存芯片的龍頭，主要已建成和在建工程制式是1Xnm，而目前DDR4內存條的出貨增幅已經在開始下降，目前合肥長鑫的設計產能是每月2萬片晶圓，相當於海力士無錫二廠66%的產能，到1-2年後這批國內廠商在建工程完工實現量產後，估計會進一步破壞DDR4的供需情況，屆時就是DDR4走向終結的時刻。
現在國際三大DRAM巨頭量產內存芯片都是1Xnm制式，在建的基本是1Ynm和1Znm制式
總結：隨著內存條面臨的DDR5更新換代，全球像三星、海力士、美光這樣的超級巨頭已經在佈局下一代的製程和技術，而國內還在大幅度的投入資金到DDR4時代產物，會加快存儲市場景氣週期的終結，破壞2020年可能到來的DDR4供需平衡，而其中DDR5的量產版推出速度和Intel對於DDR5支持認證時間至關重要，而瀾起科技在內存接口芯片研發的速度上過慢可能導致趕不上DDR5迭代速度，從而被迫在景氣週期結束時在紅海里廝殺，真是在各大勢力夾縫中求生存
下一章主要分析瀾起營收增幅下降、全球DRAM需求情況和IDT市盈率對比問題
本文僅代表個人觀點建議，不構成投資建議。買賣自由，盈虧自理。
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