隨著製程節點邁入7nm，EUV極紫外光刻工藝將在未來的半導體芯片製造上成為主流。近日，三星宣佈將率先為DRAM內存顆粒生產引入EUV工藝。
三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，2021年大規模量產的DDR5和LPDDR5內存芯片將因此受益，預計會使12英寸晶圓的生產率翻番。
根據三星此前判斷，EVU工藝將幫助其將製程節點 推進到3nm，那麼在未來7nm、5nm製程節點上，EUV將發揮極大作用。
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