東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣佈，其“U-MOS X-H系列”產品線新增採用其最新一代工藝製造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用於數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。
U-MOS X-H系列產品示意圖
新增產品包括採用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及採用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產品於今日開始出貨。
由於採用了其最新一代的工藝製造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此，新產品可提供業界最低[3]功耗。
東芝正在擴展其降耗型產品線，從而為降低設備功耗提供幫助。
應用：
・開關電源（高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
・電機控制設備（電機驅動等）
特性：
・業界最低[3]功耗（通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡）
・業界最低[3]導通電阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
・高額定通道溫度：Tch=175℃
主要規格：
註釋：
[1] 總柵極電荷（柵源+柵漏）、柵極開關電荷、輸出電荷。
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）進行比較，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導通電阻 x 柵極開關電荷改善約為10%、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。
[3] 截至2019年3月30日，東芝調研。
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