東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣佈，其“U-MOS X-H 系列”產品線新增採用其最新一代工藝製造而成的 80V N 溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM 和 TPN19008QM。新款 MOSFET 適用於數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。
U-MOS X-H 系列產品示意圖
新增產品包括採用表面貼裝 SOP Advance 封裝的“TPH2R408QM”以及採用 TSON Advance 封裝的“TPN19008QM”。產品於今日開始出貨。
由於採用了其最新一代的工藝製造技術，與當前 U-MOS Ⅷ-H 系列中的 80V 產品相比，新款 80V U-MOS X-H 產品的漏源導通電阻降低了大約 40%。通過優化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此，新產品可提供業界最低[3]功耗。
東芝正在擴展其降耗型產品線，從而為降低設備功耗提供幫助。
應用：
- 開關電源（高效 AC-DC 轉換器、DC-DC 轉換器等）
- 電機控制設備（電機驅動等）
特性：
- 業界最低[3]功耗（通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡）
- 業界最低[3]導通電阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
- 高額定通道溫度：Tch=175℃
主要規格：
（除非另有說明，@Ta＝25℃）
註釋：
[1] 總柵極電荷（柵源+柵漏）、柵極開關電荷、輸出電荷。
[2] 與 TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H 系列）進行比較，TPH2R408QM 的漏源導通電阻 x 總柵極電荷改善約為 15%、漏源導通電阻 x 柵極開關電荷改善約為 10%、漏源導通電阻 x 輸出電荷改善約為 31%。
[3] 截至 2019 年 3 月 30 日，東芝調研。
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