昨天，EDA巨頭Synopsys(新思科技)武漢全球研發中心正式落成啟用! 全球總裁兼聯席CEO陳志寬博士、新思科技半導體事業部全球總經理柯復華、中國董事長兼全球資深副總裁葛群、華中科技大學領導、武漢未來科技城開發管委會領導以及產業界、媒體界數百人參加了落成典禮儀式。
新思科技武漢全球研發中心是新思科技首個在海外投資建設的頂級研發中心園區，它將承擔新思科技重要的IP\\安全產品研發任務，它的啟用也將助力武漢地區半導體產業鏈更趨完善。目前，武漢地區已經吸引了包括長江存儲、武漢新芯、武漢弘芯、天馬微電子、華星光電等多個半導體產業鏈項目，總投資超過4000億！
武漢別稱九省通衢，是中國交通最發達的省會城市，以兩小時經濟圈輻射周邊數省 ，目前武漢有130萬高校生，是重要的人才儲備基地，武漢目前有包括華為武研所、烽火、夢芯、小米、芯動、高德紅外等多家半導體公司和電子系統企業。隨著新思科技武漢研發中心落成，未來將吸引更多半導體下游公司聚集武漢。
新思科技全球總裁兼聯席CEO陳志寬博士在致辭中指出，“電子設計進入的新時代，新思科技武漢全球研發中心落成是新思科技在中國發展的重要里程碑。將有力促進中國半導體和電子信息產業的快速發展，並在支持公司的全球戰略佈局上發揮重要作用。”
新思科技武漢研發中心胡雋介紹了武漢研發中心的7年發展歷程，自2012年正式入駐武漢科技城以後，新思科技武漢研發中心穩步發展，目前已經發展到200多人規模，未來新思科技會持續投資，人員要發展到500人!有業界人士也指出新思這樣的投資對於未來發展本土EDA產業也有幫助！為新思科技點贊！
新思科技武漢研發中心內部設立了新思科技未來館，詳細展示了全球半導體產業鏈以及新思科技發展歷程。
作為全球EDA龍頭，新思科技每年將營收的1/3投入到研發中，每年持續投入10億美元研發。
在落成典禮以後，新思科技舉行了半導體科技研討會，邀請半導體業界知名人士現場宣講5G等領先技術。
臺積電原共同運營長、中芯國際原獨立董事武漢弘芯半導體(HSMC)CEO蔣尚義在祝賀視頻中指出摩爾定律已經趨緩但是半導體仍然有創新的空間，例如汽車已經發展了百年，但現在創新仍不斷，另外，我們看到千年前古人造的橋我們仍在使用，而千年以前，古人並不知道力學知識、材料學知識等，但是他們造的橋千年後還在使用，這就是創新的典範。弘芯半導體就採用了創新的晶圓代工模式--CIDM（CommuneIDM。
中國信科通信集團副總、專家委主任、IEEE Fellow陳山枝博士分析了5G給人類社會帶來的鉅變，他指出很多人看到5G想到的是高速通信其實這只是5G帶來的1/3變革，另外2/3是給產業帶來的鉅變。例如ARVR、智能製造、智能電力、智能醫療等等。5G也會造成很多顛覆，例如同傳翻譯等會消失。
他以智能網聯汽車為例指出中國的智能網聯汽車會走與基礎設施結合的模式發展自動駕駛，他強調這是其他國家無法比擬的，中國智能網聯汽車將以獨特的發展模式超越其他國家。
遂原科技創始人兼CEO 趙立東盛讚新思科技投資中國的盛舉，指出人工智能領域是開放的市場，也是剛剛起步，提供了很多創新的機會，在數據、算法和算力的推動下推動了人工智能的落地。
他指出目前人工智能領域的挑戰是算力難以滿足，open AI預測算力需求每年翻倍~10倍！所以人工智能應用階梯式提升是以模型和算力指數級需求為代價的。
另外的挑戰是最高端AI訓練處於壟斷地位，以下圖為例，高端訓練被NV壟斷，而云端推斷是英特爾、賽靈思等混戰。由於NV的GPU不是針對AI優化的，但因為是壟斷，所以它優化的動力不大，這個領域需要競爭者。
他指出如果訓練不能做好則推斷也難以做好，長期以往將對中國人工智能發展造成限制，此外它的CUDA生態是封閉的，不利於本土人工智能發展，還有NV的GPU開發板價格昂貴，一個訓練卡往往動輒5000-8000美元，讓中小公司難以承受。
遂原科技近日發佈了首款人工智能訓練產品 “雲燧T10”。這是一款面向雲端數據中心的人工智能訓練加速卡、雙槽位標卡，支持PCIe 4.0，該芯片以12nm FinFET工藝打造，總計141億個晶體管，將主要應用於雲端人工智能訓練，支持 CNN、RNN、LSTM、BERT 等網絡模型以及 FP32、FP16、BF16、Int8、Int16、Int32 等數據類型，將於2020年第一季度上市。
此外，基於可重構芯片的設計理念，燧原科技發佈的“邃思”芯片的計算核心包含了32個通用可擴展神經元處理器（SIP），每8個SIP組合成1個可擴展智能計算群（SIC）。SIC之間通過HBM實現高速互聯，通過片上調度算法，數據在搬遷中完成計算，實現SIP利用率最大化。其單卡單精度（FP32）算力可達 20TFLOPS，支持單精度 FP32 和半精度 BF16 的混合精度計算，最大功耗 225W，這與英偉達最新 Tesla V100S 單精度算力 16.4TFLOPS、最大功耗 250W～300W 相比，具有性能上的優越性。
臺積電南京廠總經理羅鎮球在發言中指出EUV技術已經在半導體領域成功應用，這在以前是難以想象的，臺積電將穩步推進高級工藝量產，目前臺積電已經能在研發2nm工藝，而臺積電5nm工藝已經幫助客戶tape out ，這個工藝優勢很多，例如同等功耗下速度可以提升15%，而功耗降低30%！晶體管密度可以提升1.8倍！SRAM面積縮小到原來的0.75！
另外，他還透露臺積電繼續優化28nm工藝，最新推出了22ULL工藝，可以實現更多更低的功耗，激發更多可穿戴設備創新。
此外他也分享了新思科技合作在3D封裝領域的最新進展，如下圖所示，最新的CoWoS設計流程，它可以將兩顆不同的芯片封裝在一起。新思科技的Design Platform全面支持TSMC WoW直接堆疊和 CoWoS®先進封裝技術。Design Platform支持與3D IC參考流程相結合，幫助用戶在移動計算、網絡通信、消費和汽車電子等應用中部署高性能、高連接性的多裸晶芯片技術。
清華大學周祖成教授也現場發言，他指出5G是一種高速傳輸技術如果沒有和人工智能技術應用結合，則這樣的高速傳輸沒有意義。另外他指出EDA是IC的基石，跟EDA結合就有好的發展，而新思科技將全球研發中心定在武漢很有遠見，武漢有大量的人才，有雄厚的歷史積澱，加上政府的大力支持，希望武漢可以成為全球的EDA領頭羊！
華中科技大學則分享了和新思科技的合作，如成立了華中科技大學新思科技微納電子設計聯合實驗室，此外，華為中科技大學也和長江存儲有深度合作，推動三位相變存儲器的量產。
新思武漢研發中心項目規劃了9年，歷時七年建成，新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群在演講中激情回顧了武漢研發中心建設過程以及新思科技25年發展歷程。
他指出集成電路要依靠人才，而中國集成電路人才有30萬缺口每年中國的微電子學院只能培養2萬人，這個缺口會越來越 大，如何解決？他認為EDA工具要要提升效率，以更少的人開發更多的產品以此彌補人才缺口，這也是新思科技目前在做的。
如何讓行業走的更遠？就是對人才的投資！他說新思科技持續關注集成電路產業人才培養，未來會和更多高校合作培養人才，另外新思科技也成立了新思資本，投資中小企業。
他強調致新至遠，共思同行是新思科技不變的承諾!新思會與中國半導體同行！2020年是新思科技進入中國25週年，新思科技將舉行一系列慶祝活動請關注我們後續的報道！
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