不向高難度技術屈服!我國光刻樣機光刻出最小9納米線寬的線段

據相關報道,武漢光電國家研究中心甘棕松團隊採用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制,採用遠場光學的辦法,光刻出最小9納米線寬的線段,實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻製造的重大創新。

不向高難度技術屈服!我國光刻樣機光刻出最小9納米線寬的線段

由於一些國家和地區起步早,目前一些關鍵設備和技術都掌握在他們手中,我國經常面臨受制於人的處境。但中國科研人員卻偏偏有一股不怕鬼、不信邪的韌勁,很多高難度技術就這樣被他們攻克了。

不向高難度技術屈服!我國光刻樣機光刻出最小9納米線寬的線段

前不久,中芯國際發佈了2018年財報。中芯國際2018年收入約33.6億美元,同比增長8.3%。中芯國際在研發上的投入超6億美元,在先進製程研發方面取得突破性進展,中芯國際已經完成了28納米HKC+以及14納米FinFET技術的研發,並開始相關客戶導入的工作。預計於2019年內實現生產。中芯國際也成功開發出了國內第一套14納米級光罩,具備了國內最先進的光罩生產能力,今年可為客戶提供14納米光罩製造服務。中芯國際雖然與臺積電等巨頭還存在不少差距,但這樣的追趕速度還是令不少國人感到自豪與欣慰。其實我們只要戒驕戒躁、穩紮穩打、務實鑽研,保持這樣的速度和韌勁,我們在關鍵核心技術上的崛起不是夢!

不向高難度技術屈服!我國光刻樣機光刻出最小9納米線寬的線段

目前中國企業在技術上領先西方做得最好的當屬華為。華為很早就開始了對核心芯片和系統的自研,避免被人卡住生命線。這使得華為在戰略上較之其他科技巨頭,明顯技高一籌。任正非此前曾表示:“其實我們非常多的技術遠遠領先了西方公司,不僅是5G光交換、光芯片……,這些領先的數量之龐大,是非常非常複雜艱難的技術,同行會比較清楚。”華為的案例說明,中國人在一些關鍵核心技術上領先西方是完全可以做到的。我們現在要做的就是持續不斷的努力,堅持就是勝利!

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轉載:大哥大短訊

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