近日據知情人士消息稱華為已經將旗下中低端芯片交由中芯國際代工生產，而其後華為發言人表示：這種轉變是行業慣例，華為在選擇半導體制造商時，會仔細考慮產能、技術和交貨等問題。
中芯國際是中國內地規模最大，技術最先進的集成電路芯片製造企業。中芯國際在2019年實現技術突破成功14nm製程芯片工藝，已經有能力實現量產，而且其良品率達到95%，完全符合要求，這估計也是華為海思將自己的中低端半導體交由中芯國際生產的部分原因，另一方面也是因為由於美國方面的施壓使得華為不得不尋找新的代工廠，來保證自己的退路。
目前7nm是能量產的最先進的製程，其性能相對於上一代的14nm的性能提高了將近20%，其功耗降低了將近一半。所以目前市面上銷售的旗艦機與與非旗艦機的處理器宣傳頁都會標註7nm工藝。
中芯國際2012量產40nm，2015年量產28納米，2019年底量產14納米，而且2019年開始進行N+1製程工藝的研究。其發言人稱與自家的14納米工藝相比，N+1性能提升了20%，功耗將降低57%。而且相對於臺積電的7納米工藝來講可以將成本降低大約10%。但是其性能仍然無法與7納米技術相競爭。目前該工藝有望在2021年或者2022年進行量產。
臺積電2009年40納米已經投入生產，28nm在2011年實現量產，（中芯國際在2013年宣佈研發28nm）2016年10nm量產，2019年7nm投入量產。目前主流手機的CPU製作工藝幾乎都是臺積電7nm工藝代工的。而且目前臺積電的5納米工藝已經在試產，3nm工藝預計在2022年左右也會量產。
就目前來看臺積電領先中芯國際三代的差距。而且隨著7nm製作工藝的完善，曾經的摩爾定律的失效，每一代的研發都會增加困難。但是從中芯國際的研發進程來看趕上臺積電確實需要一定的時間。
但是隨著國內廠商的訂單增多，那麼中芯國際在研發上的投資也會越來越多，畢竟硬件投資確實是一項不小的投資。2016年臺積電為了研發7nm領先三星和英特爾研發投資高達720億元。
隨著中芯國際購買的光刻機，以及自己技術的沉澱以及摩爾定律預計在2021年左右有望攻破7nm製造工藝。
一旦攻破了7nm製造工藝，那麼中芯國際將打破芯片代工幾乎壟斷的局面，中國的芯片製造業也將邁出一大步，擺脫受制於人的局面。
