臺灣Attopsemi公司的用於可編程內存的一次性可編程(OTP)熔絲技術，已通過X-Fab的130nm RFSOI工藝的認證。
據X-Fab介紹，Attopsemi公司的OTP熔斷器技術適用於5G通信，可以在2.5V和1.8V下讀取，併兼容MIPI。熔斷器技術可用於模擬訊號調整或數據存儲，如5G新無線電(NR)，並已移植到X-Fab的XR013 130nm RFSOI絕緣子上硅工藝。
Attopsemi公司表示，I-Fuse的編程高於電遷移“閾值”，低於熱失控，這使得它不會爆炸，並區別於其他熔線技術。該公司已經發表了關於I-Fuse的技術論文，但沒有指出它使用的I-Fuse的材料。
2016年，它發表了一篇論文，試圖用金屬柵極定義WSi2、TiSi2、CoSi2和NiSi等材料熱失控的臨界電流。
據悉，該技術此前已移植到Globalfoundries 22FDX 22nm FDSOI工藝中，並已被Melexis部署在傳感器集成電路中。
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