內存作為一個電腦中或不可缺的存在，想必大家對於這麼一個存在都已經習以為常了。而且隨著目前遊戲大作的頻出不斷，我們對於遊戲內存的要求也是水漲船高，高頻率，高容量又或者是RGB燈效等等，都成了我們挑選內存的首要條件。
不知道你有沒有注意過，內存的其中一面會有一個貼紙，上面除了容量，除了頻率之外還有很多別的數據，那麼，今天就為大家詳細解答有關內存的小常識。
在內存上，除了內存容量以及內存頻率，如上圖所示，這一條光威 TYPE-A內存條的容量為8GB，頻率為2400MHz，默認工作電壓是1.2V，還有一行小標註：CL 17-17-17-39。這是什麼意思呢？
在CPU-Z裡面，我們也能清晰得獲得該參數的詳細資料。其對應的項目名稱為：CL/tRCD/tRP/tRAS共4大類，並且標註單位為“時鐘”。其實這是內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間（CL），行尋址至列尋址延遲時間（tRCD），內存行地址控制器預充電時間（tRP）以及內存行有效至預充電的最短週期（tRAS）。其實他們所列舉的都是內存在運作過程中的一些延遲參數（單位ns納秒）。我們所要知道的就是，在相同類型，相同容量，相同頻率的情況下，這些參數的數值越低，代表著內存的性能更強。因為他們在每一次運作之間的所需時間更短。
但是，我們並不能只看內存時序值，因為當頻率不斷爬升，內存的時序值是會相應的延長的。DDR4時序要比DDR3高，DDR3時序比DDR2高。在保證穩定性的前提下，內存在頻率提升的同時也需要相應拉高時序。
在購買內存的時候，我們總說DDR4，DDR3。那麼又有多少人真正知道DDR的意思，又有多少人直接將DDR等同於內存呢？
其實，內存的本名為RAM: Random Access Memory，隨機存儲器。我們所熟知的DDR內存條，是SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存儲器的升級產物：DDR SDRAM。之所以稱之為DDR，是因為它採用了雙倍速率同步動態機制。由於DDR內存是在SDRAM基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此習慣性就省略了SDRAM，直接稱呼為DDR內存條。
因此，DDR內存實際上應該算作第二代SDRAM產物。而DDR4內存條應該算作第五代產物。與傳統的單數據速率相比，DDR技術實現了一個時鐘週期內進行兩次讀/寫操作，即在時鐘的上升沿和下降沿分別執行一次讀/寫操作。所以我們在CPU-Z上經常看到內存頻率僅為標稱數值的一半，也是因為它僅標註單倍速率的緣故。
特別是在運行一些大型軟件或者是遊戲的時候，內存的溫度也會身高，內存本身也可以進行物理散熱，比如光威 TYPE-A內存條在顆粒表面粘合了一套散熱馬甲，通過增大散熱面積，就可以達到對顆粒的快速降溫。那麼內存在工作的時候到底多少度以內才不會影響性能以及穩定性呢？
通過使用AIDA64軟件對光威TYPE-A內存條進行拷機。此過程中將內存所有容量滿足。穩定運行30分鐘。
30分鐘後，我們採用紅外測溫槍指向內存顆粒表面的散熱馬甲處，在室溫約為26攝氏度的情況下，測得溫度為40.5攝氏度。內存依然穩定運行。
對於內存而言，在出廠的時候都會通過一系列穩定性測試來確保內存的工況閾值。在恆溫箱中，將會被設定55攝氏度正負10攝氏度的環境條件來考驗內存能否在標稱頻率下長期運行。因此，當內存溫度為40攝氏度的時候，大可不必擔心內存的穩定性。
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