隨著人們綠色節能意識的提高，電動車、變頻家電、智慧電網等市場正在快速興起，同時也推動了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)等功率半導體等產品的應用變得愈來愈普及。
這是導致去年下半年以來市場上出現MOSFET等功率半導體供貨緊張的重要原因之一。
相關消息顯示，當前市場上的MOSFET缺貨潮已經延續超過半年之久，隨之出現的則是漲價與交期延長。不過這種情況的出現，對於我國功率半導體行業來說又是一個難得的發展機遇，不應輕易放過。
缺貨潮延續已超半年 交貨期大幅拉長
2017年以來，全球半導體行業颳起的缺貨風潮正在擴大範圍，從存儲器、硅晶圓一路擴展到MOSFET、MCU等產品領域。根據相關市場數據，2018年第一季度雖然是傳統上的淡季，但MOSFET等產品卻出現了逆市上揚的走勢。
缺貨還導致了交貨期的延長與價格上揚。一般情況下，MOSFET、整流管和晶閘管的交貨週期在8～12周左右，而在目前有些情況下，據悉意法半導體、威世(Vishay)等主流廠商的MOSFET，交貨期已經拉長到30～40周。
MOSFET的價格也開始上浮。有市場人士預計，高壓MOSFET產品上半年價格上浮累計可達到10%～15%。
對此，有業者認為，MOSFET目前的景氣情況，堪稱是20多年來最佳。在分析此輪MOSFET供應緊張的原因時，萬國半導體元件執行長何約瑟表示，電動汽車、無線充電等新應用導入，是MOSFET需求持續旺盛的原因之一。
MOSFET是目前最常用的功率半導體器件之一，廣泛用於電子產品與馬達設備當中。受到電動汽車、無線充電等新應用的快速發展，MOSFET需求強勁。
同時也有人指出，近年來，IDM廠普遍開始採取輕晶圓(fablite)策略縮減產能，這也是導致當前MOSFET供不應求的原因之一。
為了壓縮成本，全球主要半導體IDM廠近年來不僅沒有擴增自有晶圓廠的產能，還大動作關掉舊有5英寸及6英寸晶圓生產線，縮減8英寸產能。據預測，2018年上半全球高壓MOSFET市場供需缺口達30%左右。
其實本輪供應不足的產品不僅限於MOSFET，整個功率半導體市場都被波及。市場調研數據顯示，2017～2021年間，功率半導體的銷售額將會繼續增長，合計2016～2021年全球功率半導體銷售額年複合成長率(CAGR)為4.8%。2017年，包括功率離散元件、功率模組以及功率IC等產品在內的全球整體功率半導體市場銷售額約達380億美元。
展望未來，汽車電氣化、先進車輛安全系統、能源效率，以及普遍連網能力等，將是未來5年推動全球功率半導體銷售額增長的主要力量。
填補市場空缺 產能與技術需兩路齊進
從目前全球功率半導體市場格局來看，基本被英飛凌、安森美半導體等國際巨頭所佔據。
根據《電力電子器件產業發展藍皮書(2016—2020年)》的介紹，在中小功率領域(900V以下)，功率MOSFET是應用最廣泛的電力電子器件，也是目前市場容量最大、需求增長最快的器件，其中以超級結為代表的新結構器件是該器件的重要發展方向。
在中大功率領域(電壓1200V～6.5kV)，IGBT是市場上的主流產品。近年來，以德國英飛凌，瑞士ABB，日本三菱、東芝和富士等為代表的電力電子器件企業開發了先進的技術和產品。
據市場發佈的數據，英飛凌在功率MOSFET的市場份額達到26.4%，佔據第一的位置，第二位是安森美半導體。國內的功率 MOSFET市場份額也主要被英飛凌、安森美半導體等國際巨頭佔據。士蘭微和華微電子等國內企業只佔據了少量市場份額。
不過，國內企業佔據的市場份額雖然很少，但也意味著未來成長空間巨大。而本輪MOSFET等功率半導體的缺貨潮就給了國內企業一次絕佳的發展機會。
元大投資顧問公司在分析本輪MOSFET市場時表示，英飛凌、意法、德儀、瑞薩、東芝等國際大廠紛紛轉攻高毛利的工業用、車用中高壓產品，淡出一般用於PC、手機等消費電子產品用MOSFET。
而這給了國內企業填補空缺的機會。長期以來，功率半導體主要被歐美、日本等國壟斷。
對於國內企業而言，可以藉助這次漲價潮帶來的寬鬆環境與利潤回升，加大對功率半導體的投入，先主攻需求旺盛的消費類市場，再打入新能源汽車市場。
何約瑟也表達了相同的看法。在談到萬國半導體在重慶投資建設新的功率半導體生產基地——重慶萬國半導體科技有限公司時，何約瑟表示，新生產基地將率先投產市場急需的MOSFET等產品。
隨著技術的升級，未來還將導入IGBT等產品。重慶萬國將推動中國功率半導體產業的發展。
看到市場機會，進而推進功率半導體產業發展的國內企業還有很多。從去年年底至今，已經有多個項目開始啟動：2017年12月，士蘭微發佈公告將在廈門建設兩條12英寸特色工藝生產線，主要產品為MEMS和功率半導體。2018年1月，華潤微宣佈將在重慶打造全國最大的功率半導體生產基地；5月18日，中芯國際正式啟動紹興廠的建設，項目總投資58.8億元，將引進一條8英寸生產線，面向MEMS和功率器件集成電路領域的代工生產。
除了市場因素外，經過這些年的研發投入，我國企業在技術上也取得了大量進展。超級結(Super Junction)新結構器件是MOSFET發展的主要方向。
據相關研究機構調研，2017年全球超級結產品將有10億美元的市場規模。華虹宏力是業內首個擁有深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)工藝平臺的8英寸代工廠，目前已經推出第三代DT-SJ工藝平臺，技術參數達業界一流水平，導通電阻與第二代工藝相比，下降30%以上。
近年來，華虹宏力和全球多家設計公司合作，已經生產了多種超級結產品，利用該工藝平臺生產的DT-SJ產品展現出優異性能，獲得客戶好評。
總之，隨著產業的升級、市場需求的爆發性增長，給了中國企業一個難得的發展機會，而機遇往往青睞有準備的“人”。
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