1965年，中國第一塊硅基數字集成電路研製成功，開啟了中國集成電路產業歷史的第一頁。伴隨著新中國的建設，中國集成電路也取得了一系列令人矚目的發展成就。下面就讓我們回顧一下，中國集成電路產業發展的主要歷程。

中國集成電路產業從無到有的創業階段（1965—1978年）

1965年，第一批國內研製的晶體管和數字電路在河北半導體研究所鑑定成功。

1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物一半導體）集成電路。

1970年，北京878廠、上海無線電十九廠建成投產。

1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川一四二四研究所製成。

1976年，中科院計算所採用中科院109廠（現中科院微電子研究所）研製的ECL（發射極耦合邏輯電路）研製成功1000萬次大型電子計算機。

中國集成電路產業的探索前進階段（1978—1989年）

1980年，中國第一條3英寸線在878廠投入運行。

1982年，江蘇無錫742廠從東芝引進電視機集成電路生產線，這是中國第一次從國外引進集成電路技術。

1982年，國務院成立電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了中國IC發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。

1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試製成功。

1988年，上無十四廠建成了我國第一條4英寸線。

1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發展戰略研討會，提出振興集成電路的發展戰略。

1989年，742廠和永川半導體研究所無錫分所合併成立了中國華晶電子集團公司。

中國集成電路產業進入重點建設的階段（1990—2000年）

1990年，國務院決定實施“908”工程。

1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。

1992年，上海飛利浦公司建成了我國第一條5英寸線。

1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試製成功。

1994年，首鋼日電公司建成了我國第一條6英寸線。

1995年，國務院決定繼續實施集成電路專項工程（“909”工程），集中建設我國第一條8英寸生產線。

1996年，英特爾公司投資在上海建設封測廠。

1997年，由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司，主要承擔“909”主體工程超大規模集成電路芯片生產線項目建設。

1998年，華晶與上華合作生產MOS圓片合約簽定，開始了中國大陸的Foundry時代。

1998年，由北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心承擔的我國第一條8英寸硅單晶拋光片生產線建成投產。

1999年，上海華虹NEC的第一條8英寸生產線正式建成投產。

我國集成電路產業發展的加速期（進入21世紀至今）

2000年，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司成立。

2000年，國務院18號文件加大了對集成電路企業的扶持力度，投資巨大的製造業獲得重點扶持。

2002年，中國第一款批量投產的通用CPU芯片——“龍芯一號”研製成功。

2003年，臺積電（上海）有限公司落戶上海。

2004年，中國大陸第一條12英寸線在北京中芯國際投入生產。

2006年，國務院《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006—2020年）》設立了“國家重大科技專項”：《核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品》(業內稱“01”專項)和《極大規模集成電路製造裝備及成套工藝》（業內稱“02”專項）等科技重大項目。

2006年，無錫海力士意法半導體正式投產。

2008年，中星微電子有限公司宣告“星光移動”手機多媒體芯片全球銷量突破1億顆。

2008年，中芯國際宣佈其第一批45納米產品已成功通過良率測試。

2009年，國家“核高基”重大專項項目課題進入申報與實施階段。

2011年，國務院印發了《關於印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策的通知》（簡稱“4號文”）。

2012年，我國發布《集成電路產業“十二五”發展規劃》。

2012年，韓國三星一期投資70億美元的閃存芯片項目落戶西安。

2013年，紫光收購展訊通信、銳迪科，產業格局生變。2013年，大陸IC設計公司進入10億美元俱樂部。

2014年，《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發佈實施。

2014年，“國家集成電路產業發展投資基金”（大基金）成立。

2015年，長電科技以7.8億美元的價格收購星科金朋公司。

2015年，中芯國際宣佈28納米產品實現量產。

2016年，大基金、紫光投資長江存儲，中國進軍存儲器產業。

2016年，中國第一臺全部採用國產處理器構建的“神威太湖之光”奪得世界超算冠軍。

2017年，紫光集團長江存儲一期項目封頂，存儲器產線建設全面開啟。

2017年，寒武紀成全球首家AI芯片獨角獸初創公司。

2017年，華為發佈全球第一款人工智能芯片麒麟970。

2018年，紫光集團長江存儲量產32層3D NAND 存儲芯片“零”突破。

2019年，中芯國際14納米工藝量產。

2019年，紫光集團長江存儲64層3D NAND閃存芯片實現量產

2019年，長鑫存儲DRAM內存芯片宣佈投產。

2019年，全球首款5G SoC芯片海思麒麟990面世，採用了全球先進的7納米工藝。