本周英特尔和海力士最新一季度财报均超预期，需求侧增长是超预期的共同因素！
数据中心回暖明显，引起需求共振，拉动英特尔的 CPU、海力士 的 DRAM，推动“芯”拐点来临！移动端（预计明年高端手机 DRAM 平均 增长至 5GB，NAND 增长至 100GB 以上）持续扩容和渗透，是存储拐点 的另一个关键催化，明年 5G 手机在单机容量和换机需求两重维度下将带 动半导体需求侧的进一步超预期！
国盛证券认为需求端被贸易战、宏观经济下行影响所推迟和压抑之后，本轮 “芯”拐点重要特点将是需求的复苏比往往更加强劲，数据中心、移动端、 AIOT、汽车电子将持续会有新的爆点。
数据中心回暖是英特尔财报超预期的关键词！英特尔在 2019 年 10 月 25 日发布季度财报，提高了全年收入和利润率指引。19Q3数据中心增长4%， 预期 19Q4 增长 6~8%，数据中心持续回暖成为英特尔财报超预期的关键 因素。
海力士财报关键词是存储拐点！ DRAM 价格单季度上涨，NAND 跌幅收 窄，下游库存逐渐回到健康水位，需求显著回暖及供给端的收缩，共同推 进存储拐点。
存储需求侧方面，移动端存储扩容（预计明年高端手机 DRAM 平均增长至 5GB，NAND 增长至 100GB 以上），数据中心采购回暖推动 DRAM 增加，PC 端 SSD 快速渗透，共同带动存储需求端的迅速增长。
存储供给侧方面，海力士继续降低 DRAM 和 NAND 的资本开支，并将 M10 部分 DRAM 产能向 CIS 转移。
智能手机消耗 35%的 DRAM Bit，消耗 40%的 NAND Bit。因此，移动端扩容的幅度和持续性是存储需求增长的长期动力。2019 年将迎来智 能手机创新大年，5G 促进移动端存储进一步提升，移动端需求将迎来出货量和单机容量的双重提升！预计明年高端手机 DRAM 平均增长至 5GB， NAND 增长至 100GB 以上！
区块链分布式记账方式需要消耗较多资源，对于算力、存储乃至电力等资 源要求较高，将带动晶圆、存储、GPU、mos 等综合需求。
国盛证券建议重点关注：
【半导体】
存储：兆易创新、北京君正；光学芯片：韦尔 股份；
射频：三安光电、卓胜微；模拟：圣邦股份；
设计：紫光国微、汇 顶科技、博通集成、景嘉微、中颖电子；
IDM：闻泰科技、士兰微、扬杰 科技；
设备：长川科技、北方华创、精测电子、至纯科技、万业企业；
材 料：兴森科技、中环股份、石英股份；
封测：长电科技、华天科技、晶方 科技、通富微电；
【5G 之消费电子】
立讯精密、精研科技、领益智造、 歌尔股份、蓝思科技、电连技术、苏大维格、智动力、信维通信、硕贝德、 大族激光、共达电声、瀛通通讯；
【5G 之光学】
韦尔股份、联创电子、 苏大维格、水晶光电、舜宇光学、立讯精密、歌尔股份、欧菲光、永新光 学；
【5G 之 PCB】
鹏鼎控股、生益科技、深南电路、沪电股份、东山 精密、景旺电子、弘信电子、奥士康、崇达技术；
【5G 之散热】
精研科 技、领益智造、中石科技、碳元科技、飞荣达；
【安防】
海康威视、大 华股份。
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