宏旺半導體告訴你SLC、MLC、TLC、QLC究竟有什麼不同

有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同,也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什麼意思,今天宏旺半導體就跟大家系統地梳理一下這些名詞分別指什麼,它們又有什麼不同。

在瞭解這些之前,首先要了解什麼是 Flash Memory。Flash Memory就是快閃存儲器,即通常說的閃存,是一種非易失性存儲器,斷電數據也不會丟失。宏旺半導體瞭解到,根據硬件上存儲原理的不同,Flash Memory 主要可以分為 NOR Flash 和NAND Flash 兩類:

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Nor FLASH使用方便,易於連接,可以在芯片上直接運行代碼,穩定性出色,傳輸速率高,在小容量時有很高的性價比,很適合應用於嵌入式系統中作為 FLASH ROM。

相對於Nor FLASH,Nand FLASH強調更高的性能,更低的成本,更小的體積,更長的使用壽命。這使Nand FLASH很擅於存儲純資料或數據等,在嵌入式系統中用來支持文件系統。目前,絕大部分手機和平板等移動設備中所使用的 eMMC 內部的 Flash Memory ,都屬於 NAND Flash。PC 中的固態硬盤中也是使用 NAND Flash。

NAND Flash根據存儲方式可分為四種:SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-Level Cell )單層式存儲,即1bit/cell,存儲密度最低、寫入數據時電壓變化區間小,壽命最長約10萬次擦寫壽命,穩定性最好,多數應用高端企業級產品。

MLC(Multi-Level Cell)閃存,即2bit/cell,多層式存儲,雙層存儲電子結構,存儲密度高於SLC,壽命在3000-5000次,應用民用中高端SSD上。

TLC(Trinary-Level Cell)閃存,即3bit/cell,是目前最流行的閃存芯片,存儲密度是MLC的1.5倍,成本更低,使用壽命也更短,在1000-1500次,但穩定性比較差。

QLC(Quad-Level Cel),每單元可存儲4比特數據(4bits/cell),性能、壽命進一步變差,只能經受1000次編程/擦寫循環,但是容量進一步提升,成本也繼續降低。

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宏旺半導體稍稍總結一下,簡單來說,這四類當中,SLC的性能最優,價格超高,一般用作企業級或高端發燒友;MLC性能夠用,價格適中為消費級SSD應用主流;TLC綜合性能最低,價格最便宜,但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高TLC閃存的性能;QLC出現的時間很早,價格便宜,容量大。

SLC是企業級服務器用的,MLC已經逐漸退出市場,目前TLC是普通用戶主流存儲顆粒。宏旺半導體也有SLC顆粒高性能存儲產品,有需要可以來找宏旺聊聊。

根據與CPU 端接口的不同,NOR Flash可以分為Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 兩類。Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上,所存儲的內容可以直接映射到 CPU 地址空間,不需要拷貝到 RAM 中即可被 CPU 訪問,因而支持片上執行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低,主要通過 SPI 接口與 Host 連接。

相信通過上述的分享,大家應該對這些名詞有了一定的瞭解。宏旺半導體ICMAX後期會給大家帶來更多與存儲行業相關的文章,有什麼不明白的歡迎留言私信,一定要記得關注宏旺半導體哦!


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