2019年12月13日
1. 2019年世界集成電路晶圓代業營收情況
2. SEMI調整2019年世界半導體制造設備額
3. 三季度世界半導體公司業績排名
4. 中環股份無錫工廠預計明年第一季度投產
5. SKC半導體設備再生製造項目落戶無錫
6. 長鑫存儲獲得大量DRAM內存專利
7. 西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段投資啟動
8. 復旦大學國家集成電路產教融合創新平臺揭牌
9. 中國區入選ISSCC 2020論文數達23
1. 2019年世界集成電路晶圓代業營收情況
據拓墣產研院報道：2019年第四季度世界集成電路前十大晶圓代工企業營收額預計為186.29億美元，同比增長9.0%，環比增長8.5%，佔到晶圓代工總值的95.6%。
2019年第四季度世界集成電路晶圓代工營收額預計為194.86億美元，環比增長12.2%。
2019年全年，世界集成電路晶圓代工營收額預計為668.3億美元，同比增長4.1%，較2018年同期增長率提升1.0個百分點。在2019年世界半導體產業銷售收入同比下降12.8%的大環境下取得如此業績實屬不易。
（協會秘書處）
2. SEMI調整2019年世界半導體制造設備額
2019年12月11日，SEMI在其2019年年終設備預測報告中指出：2019年世界半導體制造設備銷售額預計為576.3億美元，較2018年曆史峰值的644.3億美元，下降10.6%。但到2020年預計可達608.2億美元，同比增長5.5%；到2021年世界半導體制造設備銷售額預計可達到667.9億美元，同比增長9.8%，再創歷史新高。
（協會秘書處）
3. 三季度世界半導體公司業績排名
市場研究公司IHS Markit於英國當地時間12月5日宣佈了2019年三季度十大半導體公司排行榜，英特爾第一，索尼首次進榜。
據IHS公佈數據看，2019年三季度半導體市場銷售總額1113億美元，去年同比下降了14.7%，二季度環比下降15.3%。內存市場2019年前三個季度和去年同比下降34.4%，降幅較大。據HIS分析師預測，2019年四季度內存銷售量將有所回升，但由於全年內存價格大幅下跌，半導體市場整體回覆勢頭不高，預計2019年全年市場規模同比去年縮小12.4%。（集微網）
4. 中環股份無錫工廠預計明年第一季度投產
近日，中環股份在投資者互動平臺上表示，，公司在江蘇宜興規劃8英寸75萬片/月、12英寸60萬片/月（其中一期15萬片），目前8英寸已於2019年9月開始順利投產，12英寸預計2020年第一季度開始投產。天津工廠已實現產能8英寸30萬片/月、12英寸2萬片/月。
目前，8英寸天津工廠滿產，無錫工廠2條線已於9月完成驗收進入投產狀態。12英寸天津工廠已向客戶供樣，無錫工廠預計2020年第一季度開始投產。（JSSIA整理）
5. SKC半導體設備再生製造項目落戶無錫
12月10日，SKC Solmics半導體設備再生製造項目簽約儀式在江蘇無錫舉行。
據無錫高新區在線報道，SKC為應對中國地區半導體設備再生製造需求的快速增長，計劃在無錫高新區第一期總投資約3000萬美元，投資建設半導體設備再生製造生產基地，主要客戶及未來潛在客戶，主要為全球半導體巨頭。
本次簽約後，新公司計劃2020年4月份開始裝修，年底正式竣工量產。同時，隨著雙方合作的加深，SKC還計劃將旗下其它業務板塊引入到高新區，開啟基地化發展模式。
SKC是韓國最大的綜合薄膜生產商，SKC旗下SKC Solmics是韓國最大的半導體精密陶瓷生產企業，同時也是韓國最大的半導體設備再生製造生產企業之一。SKC為應對中國地區半導體設備再生製造需求的快速增長，計劃在高新區投資建設半導體設備再生製造生產基地。本次SKC半導體設備再生製造項目的落戶對完善無錫半導體產業鏈，提升半導體產業競爭力及全面擴大與韓國SK集團核心主力公司的戰略合作具有積極意義。（JSSIA整理）
6. 長鑫存儲獲得大量DRAM內存專利
近日，長鑫存儲技術有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣佈，就原動態隨機存取存儲芯片(DRAM)製造商奇夢達開發的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris InnovationsLimited達成專利許可協議和專利採購協議。
依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術專利的實施許可。這些專利來自Polaris於2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。
依據獨立的專利採購協議，長鑫存儲從Polaris購得相當數量的DRAM專利。此專利許可和專利採購協議中所包括的交易金額等商業秘密條款在此不予披露。（全球半導體觀察/JSSIA整理）
7. 西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段投資啟動
12月10日，西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資正式啟動。
據悉，三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元，主要製造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。
二期項目建成後將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，解決上千人就業，並帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片製造基地。
陝西省委常委、西安市委書記王浩表示，三星電子決定啟動二期項目第二階段投資，有利於西安市做大電子信息產業、加快建設先進製造業強市步伐，也有利於三星電子鞏固產業優勢地位。隨著西安市營商環境不斷改善，近期還有施耐德電氣、世邦魏理仕、第一太平戴維斯等世界500強企業在西安擴大投資或落戶。（微電子製造）
8. 復旦大學國家集成電路產教融合創新平臺揭牌
12月6日，在上海推進科技創新中心建設辦公室第十一次全體會議上，微納電子與量子國際創新中心核心科研平臺之一的“國家集成電路產教融合創新平臺”揭牌。
國家集成電路產教融合創新平臺於2019年6月，在國家發改委、教育部和上海市的支持下獲批建設，項目總投資4.7億元。
平臺以復旦大學微電子學院為建設主體，重點將針對我國集成電路發展中的關鍵“卡脖子”難題，深入研發新一代節點集成電路共性技術，涵蓋芯片設計、EDA工具、器件工藝與芯片封裝等方向，著力推進長三角集成電路產業發展。
同時，在產教融合攻克關鍵技術的實際過程中培養我國集成電路的領軍人才和產業急需、創新能力強的工程型、技能型人才，建成後具備每年為2000人次提供集成電路實訓手段的能力。（集微網/JSSIA整理）
9. 中國區入選ISSCC 2020論文數達23篇
2020年的ISSCC國際固態電路會議論文入選工作已結束，國內共有23篇論文入選，創造了歷年來的新高，位列全球第三，僅次於美國、韓國。
據悉，本次入選論文涵蓋模擬設計（1篇），電源管理（2篇），無線通訊（3篇），數據轉換器（5篇），前瞻技術領域（2篇），射頻技術（4篇），數字電路（2篇），圖像、MEMS、（1篇），以及機器學習和人工智能（3篇）等9大領域。
從數量看，中國區入選論文數2020年創新高，比2019年的18篇增加了5篇；從地區來看，大陸入選論文15篇，澳門入選論文6篇，香港有入選論文2篇；從領域看，國內15篇ISSCC論文設計的領域也在不斷延伸，數據轉換器、射頻技術領域的累計最多；從機構組織來看，清華大學有5篇入選，電子科大有3篇，北大、東南大學、西安交大、天津大學、復旦大學、上海交大各有1篇，還有1篇來自重慶線易電子科技公司。（集微網/JSSIA整理）
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