原标题：SK Hynix将为下一代HBM内存启用DBI Ultra内部互联技术来源：cnBeta.COM SK Hynix刚刚与Xperi Corp签署了一项广泛的专利与技术授权协议，其中包括了Invensas开发的DBI Ultra2.5D/3D互联技术。作为一项专有的管芯-晶片混合互联技术，DBI Ultra的间距低至1μm，可实现每平方毫米100~1000k的互联。制造商可将之用于16-Hi芯片制造，下一代内存和高度集成的多层SoC有望用上。
(题图via AnandTech)
该公司称，与传统的铜柱互连技术(每平方毫米625个互联)相比，DBI Ultra支持更多的互联数、可提供更大的带宽。
此外，DBI Ultra能够缩短三维高度，在常规8-Hi相同的空间里实现16-Hi的芯片堆叠，从而带来更大的存储密度。
与其它下一代互连技术一样，DBI Ultra支持2.5D和3D集成。此外，它允许集成不同尺寸、以及使用不同工艺技术生产的半导体器件。
这种灵活性不仅可以造福于下一代大容量高带宽内存解决方案(比如3DS和HBM)，还适用于各种高度集成的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC等应用。
DBI Ultra使用的化学黏合剂，可以不增加互连层的支撑高度，且无需铜柱或底部填充。
尽管与传统堆叠工艺使用的工艺流程有所不同，但DBI Ultra可继续套用现有的模具、且无需高温，因此成品率相对较高。
当然，这么做肯定需要付出一定的代价，或许这也是Invensas和SK Hynix没有明确透露DBI Ultra在下一代存储芯片上的使用成本的一个原因。
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