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碳化硅VS氮化鎵 誰牛逼 一個新材料 一箇舊材料 碳化硅完爆氮化鎵！
第三代半導體材料—寬禁帶半導體材料
當前，電子器件的使用條件越來越惡劣，要適應高頻、大功率、耐高溫、抗輻照等特殊環境。為了滿足未來電子器件需求，必須採用新的材料，以便最大限度地提高電子元器件的內在性能。近年來，新發展起來了第三代半導體材料 -- 寬禁帶半導體材料，該類材料具有熱導率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數低等特點，這就從理論上保證了其較寬的適用範圍。目前，由其製作的器件工作溫度可達到 600 ℃以上、抗輻照 1×106 rad；小柵寬 GaN HEMT 器件分別在 4 GHz 下，功率密度達到 40 W/mm；在 8 GHz，功率密度達到 30 W/mm；在 18 GHz，功率密度達到 9.1 W/mm；在 40 GHz，功率密度達到 10.5 W/mm；在 80.5 GHz，功率密度達到 2.1 W/mm，等。因此，寬禁帶半導體技術已成為當今電子產業發展的新型動力。
進入 21 世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場後，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——並稱為第三代半導體材料的雙雄。
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