05.22 每顆晶粒容量達1Tb！Intel與Micron推出3D堆疊64層QLC快閃記憶體

無論你喜不喜歡，市場追求高容量與低成本的快閃記憶體腳步並不停歇，Intel與Micron正式宣佈推出QLC紀錄形式快閃記憶體，採用第二代3D堆疊64層製程，每顆晶粒擁有1Tb儲存容量，相較過往TLC內存提升33%。

Intel與Micron這對快閃記憶體領域的合作伙伴，宣佈推出第一款商業化的QLC紀錄形式快閃記憶體，每個cell可以儲存4bit資料，每顆晶粒容量達1Tb，也就是128GB，提供相當良好的儲存容量與面積比值。目前此QLC內存採用第二代3D堆疊64層製程，依然是Floating Gate儲存電子，並使用CMOS under array結構，且相較競爭對手僅安排2層CMOS，這款QLC採用4層，可以同步對更多的cell進行讀寫操作增加性能。

與此同時，Micron也利用這款QLC紀錄形式快閃記憶體，推出針對讀取密集型應用的5210 ION SSD，該ION系列預計將落在5200 MAX、PRO、ECO系列SSD之下與傳統硬盤HDD之間，採用7mm高度、2.5寸外觀、SATA 6Gb/s界面，容量為1.92TB至7.68TB，目前Micron並未公佈較為詳細的5210 ION SSD資訊，只強調該系列應用可節省機櫃空間、降低耗電量。

5210 ION SSD為企業級產品，Intel和Micron雙方面目前都未有QLC實際應用在消費端市場產品的詳細時程，唯有Intel前陣子曾經藉由經銷商曝光660p型號產品，660p將採M. 2外觀規格PCIe 3.0 x2界面，並推出512GB/1TB/2TB容量版本，讀寫速度最快可達1800MB/s和1100MB/s，相較600p表現好得多。