長鑫存儲官方網站已經公開列出自家符合國際通行標準規範的DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售諮詢，相信它們很快就會出現在市面上。
根據此前消息，這些芯片都採用國產第一代10nm級工藝製造，預計到2020年底月產能可達4萬片晶圓。據介紹，長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求，支持多領域應用、多產品組合，並有充分的可靠性保障。
長鑫存儲提供單顆容量8Gb(1GB)，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別這是第一顆國產的DDR4內存芯片。DDR4內存條是長鑫自主開發設計，搭載原廠顆粒，種類齊全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型，容量均為單條8GB，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃。
LPDDR4X內存芯片號稱匹配主流需求，兼備高速度與低功耗，可提供超高續航能力、超低功耗設計、穩定流暢體驗，規格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ball FBGA封裝。
長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術專利的實施許可，這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。
長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠並投產，並通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。
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