據外媒報道，目前中國內地最大的芯片代工企業中芯國際（SMIC）已經計劃在今年第四季度開始7nm芯片的生產。
中芯國際聯合首席執行官梁夢松博士曾表示：7nm作為14nm工藝的繼承者，性能提高了20%，功耗降低了57%。7nm工藝可以減少63%的邏輯電路面積和55%的SoC芯片面積，其晶體管密度是14nm工藝的兩倍以上。梁夢松博士先後任職臺積電和三星電子，在半導體制造領域可謂是經驗豐富。
中芯國際在2019年才開始了14nm工藝的量產，這是其首次涉足FinFET工藝，當時被認為落後國際一流水平兩代。如果中芯國際如預測在今年第四季度實現7nm工藝的量產（哪怕是小規模的），那麼也就意味著其正式追上了國際一流水平。雖然此時距離臺積電量產7nm已經過去了兩年時間，但是二者之間的差距正在逐漸縮小。而隨著中芯國際工藝的提升，華為海思半導體已經將部分芯片代工業務交給了中芯國際。
當然，中芯國際在追趕的過程中依然面臨著很多問題。首先就是國際先進製造設備的限制，之前中芯國際花費1.5億美元訂購的荷蘭ASML光刻機，就因為美國向荷蘭施加壓力而遲遲無法拿到出口許可。而在前幾天運抵中國的光刻機，其實並非最先進的EUV光刻機，而只是已經成熟的DUV設備。中芯國際7nm工藝量產所採用的設備，目前還不確定其來源。
第二就是更加劇烈的國際半導體制造行業競爭。在去年，三星電子宣佈計劃在2030年之前投資1160億美元用於半導體業務。而臺積電則計劃在2020年投資160億美元用於新工藝的研發，目前已經規劃到了2nm，同時5nm EUV工藝也將在今年上半年量產。
競爭對手加速投資升級工藝，也給中芯國際帶來了巨大的壓力。為了升級先進的製造能力，中芯國際今年的資本支出預計將達到31億美元，而其年收入也僅為30億美元左右。作為一名追趕者，中芯國際顯然還有很長的路要走。不過有了京東方的成功榜樣，我相信以中芯國際為代表的內地半導體制造能力將會持續進步。
等到中芯國際能站到國際一流水平的時候，也許像美國限制華為這樣的事情就不會發生了。
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