本期問題：關於常用活性汙泥法——氧化溝工藝的這些小細節，你注意過嗎？
上一篇文章中給大家簡單介紹了一下有關於混凝工藝的一些知識點，今天小編髮現群內有水友問了一個有關於氧化溝內汙泥濃度不高該如何解決的問題，群內各路大神紛紛解答，小編就此問題也想了一個有關於氧化溝的小知識，順便和大家分享一下，說得有不到之處，還望各位補充交流。
首先咱們先看一看水友問的關於氧化溝內汙泥濃度的問題。
問題1：氧化溝泥少，微生物因為天氣寒冷，難培養，怎麼辦？
對於這個問題，也就是單純的汙泥濃度不足，是要分情況看待的，假如是在系統剛剛啟動時的培養，汙泥量少是正常的，這時候注意隨著培養的進行汙泥量會增多。注意培養時不要過度的曝氣，培養階段溶氧過多或者過少都是不利於汙泥培養的。
假如不是培養初期，就需要看進水中的碳源是否足夠了，畢竟微生物的總量是和進水中的有機物含量直接相關，有機物碳源不足自然無法使微生物數量上升，就像人類社會，沒有那麼多的糧食，怎麼可能養得活那麼多的人口呢？所以針對這種情況，假如來水中的有機物本就不多，且以去除COD為主要目的，出水又沒有太大問題的話，是不需要考慮池中汙泥濃度是高是低的，只要汙泥濃度和水中COD物質能夠達到一個平衡就行，畢竟我們的目的是為了保證出水達標，而不是為了給微生物開粥廠。
還是接著上面的問題說，假如來水COD本就不高，這時候還特意地提高汙泥濃度的話，將導致食微比進一步縮小，會加速汙泥老化，反而不利於出水水質的。而根據F/M值的大小，可以知道你的微生物數量是否太低，該值不大於0.25，就說明你的微生物數量不是太低。
至於溫度的話，只要水溫不低於10℃，一般來說是不會造成太大的影響的。如果水溫太低，則需要考慮保溫措施了。
某廠氧化溝轉角處的曝氣裝置
問題2：卡羅賽氧化溝轉彎處，為啥大多設置一道導流牆？
接下來咱們說一個可能很多水友們從沒有考慮過的小問題，也可能是一個熟視無睹的小問題，當然這個問題並不涉及到實際運行操作，相反更像是設計方面的一個小問題，不過作為環保水友，多知道些也是沒有啥壞處的，所以小編就分享一下這個小知識。
這個小知識是有關於氧化溝轉角處的導流牆設置問題，多見於卡羅賽氧化溝，不知道大家想過沒想過，這道隔牆的作用是什麼？想必很多小夥伴們能夠憑藉經驗回答上來這個問題，那就是平順水流，那為什麼在溝中間建一道隔牆就能夠起到平順水流的作用呢？不知道大家有沒有想過這個問題呢？
這涉及到水力學上的幾個概念：過水斷面（A）、溼周（x）、水力半徑（R）、雷諾數（Re）、弗勞德數（Fr），這幾個概念的大致解釋如下所示。
1.過水斷面（A）：水流流過某一研究時刻的水面線與溝底線包圍的面積，稱過水斷面。
2.溼周（x）:溼周是過流斷面上流體與固體壁面接觸的周界線。
3.水力半徑（R）：水力半徑指某輸水斷面的過流面積與水體接觸的輸水管道邊長（即溼周）之比，也即R=A/x。
4.雷諾數（Re）：一種可用來表徵流體流動情況的無量綱數。Re=vR/μ，其中v為流體的流速、R為水力半徑、μ為粘滯係數。利用雷諾數可區分流體的流動是層流或湍流，當Re＜500時水流為層流，當Re＞2000時水流為紊流。
5.弗勞德數（Fr）：是衡量水流穩定性的參數，Fr=v2/Rg，其中v為流體流速，R為水力半徑，g為重力加速度，Fr值越大代表水流越穩定。
下面我們來看一看氧化溝轉彎處加設導流牆，會造成什麼樣的影響。首先我們假設溝內底寬為b，水深為h，導流牆厚度相比較溝寬很小，忽略不計，因此溝內過水斷面積為A=hb，原有溼周為x=2h+b，且溝內加設導流牆並沒有改變此處的過水斷面面積，但是卻增加了溼周x’=4h+b，因此加設導流牆後水力半徑減小了，從而導致雷諾數減小、弗勞德數增大，帶來的有利影響就是此處的水流更加穩定，更加趨近於層流，對於處理效果提升有很大的幫助。
注意看該氧化溝前端轉角處的兩道隔牆
其實不僅僅是氧化溝轉彎處，傳統平流式沉澱池，那種很寬的池子中，也經常可見增設導流隔牆的情況，這和上述所說的原因是一樣的。
平流式沉澱池中間也常設置隔牆保證水流穩定
好了那關於這個問題咱們就說到這裡，小夥伴們還有其他問題的話，可以在留言區留言，小編將在第一時間回覆大家，這樣才能夠最快的提升大家的技術水平哦！
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