2020 年 3 月 27 日，昆山市科技创新发展推进会暨祖冲之攻关计划表彰仪式举行。
华天科技（昆山）电子有限公司的“12 英寸圆片级高密度硅基扇出型封装技术的研发及产业化”项目荣获首届“金π奖”，也是唯一获得金π奖的项目。
华天昆山 2015 年开始扇出封装技术开发，2018 年开发成功具有自主知识产权的埋入硅基板扇出型封装技术 eSiFO®（embedded Silicon Fan-out）并进入量产。与使用模塑料塑封不同，eSiFO®使用硅基板为载体，通过在硅基板上刻蚀凹槽，将芯片正面向上放置且固定于凹槽内，芯片表面和硅圆片表面构成了一个扇出面，在这个面上进行多层布线，并制作引出端焊球，最后切割，分离、封装。
华天科技 eSiFO®示意图
eSiFO®技术具有如下优点：
可以实现多芯片系统集成 SiP，易于实现芯片异质集成
满足超薄和超小芯片封装要求
与标准晶圆级封装兼容性好，无污染
良好的散热性和电性
可以在有源晶圆上集成
工艺简单，翘曲小，无塑封 / 临时键合 / 拆键合
封装灵活：WLP/BGA/LGA/QFP 等
与 TSV 技术结合可实现高密度三维集成
由于技术的创新型和巨大应用潜力，2018 年 3 月获评集成电路产业技术创新联盟创新奖。
该技术目前有三个主要应用领域，多芯片系统级封装，5G 毫米波射频以及三维扇出堆叠。在 5G 射频领域，其中多芯片堆叠产品包括 4G 射频前端，毫米波芯片。2018 年 11 月，华天科技与微远芯发布新闻，成功完成 40GHz 毫米波 eSiFO®封装技术开发，性能优异。
2018 年华天昆山进一步开发了基于硅基板的三维扇出技术，值得一体的是埋入硅基板扇出型 3D 封装结构已获得国家发明专利授权（授权号 CN105575913B）。该技术的特点是利用 TSV 作为垂直互联，互连密度可以大大高于目前的台积电 InFO 技术。
台积电与华天三维晶圆级技术比较
eSiFO®封装技术为后摩尔时代高性能芯片集成封装提供了新的解决方案，随着产品应用的不断丰富，必将推动整个行业的技术发展。
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