2020 年 4 月 3 日是中芯國際成立 20 週年的日子。
Let's start our new "chip era" in 2020!
二十年是中芯國際發展史上的一個重要里程碑，也是厚積薄發、銳意進取的助推器。
中芯國際從 250 納米起步，到今天 14 納米 FinFET量產，第二代 FinFET 工藝已經進入客戶導入階段。
芯思想研究院為您特別梳理了中芯國際 20 年的輝煌發展歷程。
20 週年 2000 年
2000 年 4 月 3 日，中芯國際集成電路製造有限公司（SMIC）在開曼設立。
2000 年 6 月 24 日，《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》發佈。
2000 年 8 月 1 日，中芯國際在上海浦東新區張江高科技園區打下第一根樁。
2000 年 8 月 24 日，中芯國際在上海浦東新區張江高科技園區開始正式開工建設。
2000 年 12 月 21 日，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司正式成立。
20 週年 2001 年
2001 年 7 月 23 日，中芯國際光罩廠設備順利搬入。
2001 年 8 月 15 日，中芯國際 FAB 1 開始設備搬入。
2001 年 9 月 25 日，中芯國際上海 FAB 1 舉行了投產慶典，第一片 0.25 微米產品上線生產，計劃 2002 年第 1 季度量產。
2001 年 9 月 25 日，中芯國際宣佈通過發行優先股（Series A Preferred Shares）的方式進行增資擴股，上海實業（集團）有限公司出資 1.84 億美元，佔股 17%，成為第一大股東，高盛（Goldman Sachs）、漢鼎亞太（H&Q Asia Pacific）、華登國際（Walden）和淡馬錫（Temasek）旗下祥峰投資管理集團（Vertex Management）各出資 1 億美元，分別佔股 10%，其餘 11 名股東持股 1%-10%不等。
2002 年 11 月 22 日，中芯國際舉行開業典禮，正式進入營運階段。
2001 年 12 月 20 日，中芯國際與東芝（Toshiba）共同宣佈技術授權和代工協定，中芯國際獲得東芝低功率靜態存組器（Low Power SRAM）0.21 微米制程技術。
2001 年 12 月 21 日，中芯國際和特許半導體（Chartered）共同宣佈締結聯盟，中芯國際獲得線寬 0.18 微米標準邏輯製程技術以及特許半導體所賦予的專利使用權。
20 週年 2002 年
2002 年 2 月 1 日，中芯國際與富士通（Fujitsu）宣佈代工協定，中芯國際於上海工廠為富士通代工製造 0.22 微米和 0.18 微米 FCRAM（Fast Cycle RAM）。
2002 年 4 月 22 日，中芯國際宣佈與比利時微電子研究中心（imec）已經簽署合作意向書，並在半導體工藝先進製程研發領域建立長期合作伙伴關係。雙方將在先進的半導體工藝技術方面進行信息交流，中芯國際將參與比利時微電子研究中心大部分有關硅加工工藝技術的工業合作項目（imec industrial affiliation programs，IIAPs）。
2002 年 7 月 25 日，中芯國際集成電路製造（北京）有限公司正式成立。
2002 年 8 月 16 日，中芯國際宣佈 0.18 微米 CMOS 邏輯製程通過全面技術認證並實現量產。
2002 年 8 月，中芯國際上海 FAB2 開始設備搬入。
2002 年 9 月 25 日，中芯國際上海 0.18 微米工藝正式投產。
2002 年 9 月 29 日，中芯國際（原中芯環球）北京基地 12 英寸廠房舉行奠基儀式。
2002 年 12 月 9 日，中芯國際和英飛凌（Infineon）宣佈簽訂生產 DRAM 的合作協議，英飛凌將其 0.14 微米的 DRAM 溝槽（Trench）技術轉移給中芯國際，並在今後考慮轉移 0.11 微米技術。中芯國際上海 8 英寸廠房裝配有 0.14 微米生產技術的設備，預計產品將於 2003 年年中通過技術認證。隨著中芯國際廠房設備的進展，預計該項合作將使英飛凌 2005 年的月投片提高 20000 片。
2002 年 12 月 27 日，中芯國際和爾必達公司（Elpida）簽署一份為期五年的芯片代工協議，根據協議，在初期合作計劃中，爾必達將把該公司的 0.13 微米的堆疊（Stacked）DRAM 交給中芯國際位於上海的 8 英寸廠房生產，而中芯國際將自 2003 年內起，為爾必達代工生產。
2002 年 12 月，中芯國際的 8 英寸月產能達到 30000 片。
20 週年 2003 年
2003 年 1 月 9 日，中芯國際和東芝共同宣佈技術授權和代工協議，東芝將 0.15 微米低功率靜態存儲器製程技術轉讓給中國上海的中芯國際，加強了雙方的策略聯盟關係。
2003 年 5 月 1 日，中芯國際上海 FAB1 和英特爾 FAB11X 被《半導體國際》（Semiconductor International）雜誌評為“2003 年度最佳半導體廠”。
2003 年 9 月 15 日，中芯國際發表聲明，稱其已向原有股東和新投資人私募成功，獲 6.3 億美元。新一輪投資者包括上海實業、漢鼎亞太、華登國際、祥峰投資管理集團，還包括新的投資者 New Enterprise Associates（NEA）、Oak Investment Partners、北大微電子（香港）和其他策略投資人等。
2003 年 10 月 24 日，中芯國際和摩托羅拉（Motorola）宣佈簽署長期策略合作協議。摩托羅拉將位於天津的 MOS17 轉移給中芯國際，換取其股份；雙方還將在專利和先進 CMOS 製程技術授權領域展開合作。
2003 年 11 月 3 日，中芯國際集成電路製造（天津）有限公司正式成立。
20 週年 2004 年
2004 年 1 月 16 日，中芯國際與摩托羅拉完成轉移位於天津的 MOS17 於的全部事宜。與此同時，雙方建立策略代工夥伴關係。中芯國際將作為摩托羅拉的策略代工夥伴，為摩托羅拉提供從 MOS17 到其他芯片廠的全面技術支持。此外，雙方在專利和先進 CMOS 製程技術授權領域也展開合作。摩托羅拉獲 11.4%的股份。隨後中芯國際投資 7.1 億美元在行擴產，建設滿足 0.13 微米的生產線。
2004 年 3 月 17 日，中芯國際在美國納斯達克發行預託證券（ADR），成為首家在美國納斯達克掛牌上市的中國晶圓製造公司。
2004 年 3 月 18 日，中芯國際集成電路製造有限公司在香港主板上市，發行股票 25757.6 萬股，每股發行價 2.69 港元，共募集資金 692879440 港元。上海實業持股攤薄至 13.6%，為第一大股東。
2004 年 6 月 2 日，中芯國際位於北京的 12 英寸生產線（FAB4）開始設備進廠。
2004 年 6 月，中芯國際的凸塊生產線開始安裝設備。
2004 年 7 月 23 日，中芯國際第一條 12 英寸生產線（FAB4）在北京試投產。
2004 年 9 月 25 日，中國第一條 12 英寸晶圓生產線中芯國際 FAB4 在北京正式投產，開始為英飛凌 110 納米、爾必達 100 納米產品代工 512Mb DDR2 SDRAM。
2004 年 9 月 28 日，採用中芯國際 0.18 微米工藝成功的 64 位微處理器龍芯 2C 芯片 DXP100 流片成功。
2004 年 10 月，中芯國際的凸塊生產線第一批產品成功地通過了可靠性驗證，良率在 98%以上。為了提供全方位的 CMOS 成像傳感晶圓代工服務，中芯國際和日本凸版印刷株式會社於 2004 年合資成立了凸版中芯彩晶電子（上海）有限公司，在中芯國際上海廠區專業生產 CMOS 成像傳感器芯片專用的芯載彩色濾光鏡和微鏡頭。
2004 年中芯國際實現首個年度盈利。
20 週年 2005 年
2005 年 1 月 30 日，中芯國際和臺積電的專利及商業機密訴訟案達成和解。和解協議中規定，中芯國際將在六年內以分期方式支付臺積電 17500 萬美元；臺積電也將撤銷在美國聯邦法院、美國加州地方法院、美國國際貿易委員會、以及新竹地方法院所有正在進行中的訴訟案件；然而，臺積電仍保留再提告訴的權利。此項協議中同時載明，到 2010 年 12 月底止，雙方就相關專利進行交互授權。在此項協議當中，臺積電不允許中芯國際使用臺積電的商業機密，但同意針對某些特定臺積電的商業機密不對中芯國際提出告訴。
2005 年 3 月，中芯國際北京 FAB4 正式量產，使用 0.11 微米及 0.10 微米生產工藝為英飛凌、爾必達製造 512Mb DDR2 SDRAM，首季 12 英寸晶片的產能約為 4550 片。
2005 年 7 月 28 日，中芯國際宣佈王陽元院士接替張汝京博士擔任董事長。
2005 年 10 月，中芯國際上海 12 英寸（FAB8）開工建設。
2005 年，中芯國際營收首次超過 10 億美元。
20 週年 2006 年
2006 年 1 月 6 日，中芯國際和英飛凌共同宣佈，雙方已經簽署合作協定，進一步擴展在 DRAM 產品生產領域中的現有合作，開始 90 納米工藝產品合作生產。根據協議，英飛凌將 90 納米 DRAM 溝槽技術和 12 英寸產品生產技術轉讓於中芯國際北京，並可以在未來期間靈活進行其 70 納米技術的進一步轉讓。預計在 2006 年中期完成產品的最終驗證後，中芯國際將開始將其目前用於英飛凌 110 納米 DRAM 產品的 12 英寸生產線轉移至 90 納米產品上。
2006 年 12 月，天津廠月產能達到 18000 片。
20 週年 2007 年
2007 年 5 月，中芯國際上海 12 英寸（FAB8）設備開始搬入。
2007 年 7 月，中芯國際上海 12 英寸（FAB8）開始試投產。
2007 年 8 月 21 日，中芯國際和奇夢達（Qimonda）共同宣佈，雙方已經簽署合作協定，進一步擴展在 DRAM 產品生產領域中的現有合作，開始 80 納米工藝產品合作生產。根據協議，奇夢達將 80 納米 DRAM 溝槽技術和 12 英寸產品生產技術轉讓於中芯國際北京，並可以在未來期間靈活進行 75 納米技術的進一步轉讓。
2007 年 10 月 24 日，中芯國際和飛索（Spansion）宣佈展開合作，飛索將向中芯國際轉讓 65 納米 MirrorBit 技術，從而使中芯國際進入特定的快閃存儲器細分市場。
2007 年 12 月 10 日，中芯國際上海 12 英寸（FAB8）成功投產進入正式運營階段。FAB8 於 2005 年 10 月開工建設，2007 年 5 月設備遷入，7 月開始試生產 90 納米及以下邏輯芯片。
2007 年 12 月 24 日，中芯國際和 IBM 聯合宣佈，雙方已簽訂 45 納米 bulk CMOS 技術許可協定。根據協定，IBM 將會把 45 納米 bulk CMOS 技術轉移給中芯國際，此技術可用於移動通訊產品的應用，例如整合了 3G、多媒體、圖像處理以及芯片組功能的高端手機。
20 週年 2008 年
2008 年 3 月 20 日，中芯國際集成電路製造（深圳）有限公司正式成立。
2008 年 09 月 10 日，S2/FAB 8 以“零缺陷”的優異成績通過了 BSI ISO27001:2005 信息安全體系的擴大認證審核，成為中芯國際第一個通過 ISO 27001 信息安全認證的芯片製造生產線。信息安全是取得客戶信賴的基礎，也是公司拓展業務的一個重要的通行證。中芯國際非常注重保護客戶的 IP，不僅嚴格控制生產中 IP 的使用以確保客戶的利益，而且建有安全的獨立數據存儲和網絡環境。通過 ISO 27001 認證，將促使我們更加精益求精，進一步加大保護客戶信息安全的力度，強化自身優勢，成為廣大客戶的最佳合作伙伴。
2008 年 9 月 22 日，中芯國際和飛索宣佈擴大合作，飛索將向中芯國際轉讓 43 納米 MirrorBit 技術。
2008 年 10 月 23 日，中芯國際宣佈成功開發 0.11 微米 CMOS 圖像傳感器（CIS）工藝技術，同時適用於鋁和銅後端金屬化工藝，可廣泛應用於攝像手機、個人計算機、工業和安全市場等領域。
2008 年 11 月 10 日，中芯國際宣佈和大唐電信科技產業控股有限公司達成股權購買協議，大唐控股以 1.718 億美元獲得了中芯國際 16.6%股份，成為最大股東。
2008 年 12 月 8 日，中芯國際宣佈，第一批 45 納米產品成功通過良率測試，標誌著 45 納米工藝進入一個新的里程。
20 週年 2009 年
2009 年 1 月 21 日，中芯國際宣佈發佈三套自主設計的 65 納米標準單元庫的初始版本。該單元庫包括一套高性能的超高速（VHS）單元庫、一套密度和速度優化的高速（HS）單元庫、以及高速單元庫的功耗管理工具包（PMK）。
2009 年 5 月 15 日，中芯國際宣佈為自主開發的 65 納米低漏電工藝提供一整套 IP 產品給客戶，其中包括一組六款的存儲器編譯器的初始版本，廣泛應用在消費性電子應用的設計方面，例如手機、移動多媒體播放器、全球定位系統、數位電視、機頂盒和移動存儲設備等。
2009 年 6 月 23 日，中芯國際宣佈，江上舟接替王陽元擔任董事長。
2009 年 6 月 30 日，中芯國際宣佈 45 納米高性能工藝在首批完整流程芯片上獲得良率驗證，適用於更多應用，包括系統級芯片，圖形和網絡處理器，電信和無線消費電子產品，並作為技術平臺，應用於快速成長的中國市場。中芯國際與 IBM 於 2007 年 12 月簽訂了 45 納米 bulk CMOS 技術許可協議，該技術轉移已於 2009 年 3 月成功完成。
2009 年 11 月 10 日，中芯國際宣佈王寧國（David N.K. Wang）博士接替張汝京擔任總裁兼首席執行官。
2009 年 11 月，中芯國際和臺積電達成和解，臺積電獲得 17.89 億新股，約佔 8%股權，成為第三大股東。
2009 年 11 月 18 日，中芯國際深圳 12 英寸廠房封頂，建成後將引進 IBM 先進的 45 納米工藝技術。
20 週年 2010 年
2010 年 7 月，中芯國際第一次新股配售，總額 15 億股，籌資 1 億美元，配售後股權變為：大唐控股 14.35%、上海實業 8.7%、臺積電 6.94%、北大微電子 2.58%。
2010 年 8 月 3 日，中芯國際宣佈，北京基地 12 英寸 65 納米工藝成功進入量產，自 2009 年第三季開始出貨累計已超過 10000 片。
2010 年 11 月，大唐 1.02 億美元參與增發，股權升到 19.06%。
2010 年，中芯國際實現年度盈利，終結連續 5 年虧損的局面。
20 週年 2011 年
2011 年 2 月 9 日，《進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》發佈。
2011 年 3 月 15 日，中芯國際宣佈，正式啟用“藍橙組合、代表高科技與活力”的企業新形象標識。新形象標識中，科技藍代表著高科技企業，沉穩、創新和高效；橙色和金黃漸變色，代表著中芯國際更富有激情和活力，也象徵著不斷收穫的喜悅。
2011 年 4 月 19 日，中芯國際宣佈與中投公司達成投資協議。根據協定條款，中投公司將投資中芯國際 2.5 億美元，以每可轉換優先股 5.39 港元獲得 360589053 股的可轉換優先股。新股發行及轉換後，中投公司擁有中芯國際已發行約 11.6%的股權，成為第二大股東。6 月完成。
2011 年 6 月 27 日，中芯國際董事長江上舟因病去世。
2011 年 7 月 18 日，中芯國際集宣佈，張文義先生獲委任為中芯國際董事長、執行董事及代理首席執行官，未來將繼續物色適當的人選填補首席執行官的職務。
2011 年 8 月 5 日，中芯國際宣佈，邱慈雲（Chiu Tzu-Yin）博士獲委任首席執行官兼執行董事。
2011 年 9 月，大唐 0.59 億美元認購 0.85 億股可轉換優先股，交易後持股達 19.3%。
20 週年 2012 年
2012 年 5 月 15 日，中芯國際與北京市經濟和信息化委員會、北京經濟技術開發區管理委員會共同簽署合作框架文件，以合資的方式建設中芯北京二期項目（中芯北方）。中芯北京於 2006 年實現 90 納米技術產品量產，2009 年實現 65 納米技術產品量產，2011 年實現 55 納米技術產品量產。中芯北京二期項目將在北京市政府的支持下在現有的廠區內建設新廠房，並引入 45/40 納米以及 32/28 納米的生產設備，實現先進技術節點產品的量產。
2012 年 9 月 25 日，中芯國際（北京）二期項目奠基。
2012 年 12 月 20 日，中芯國際宣佈在背照式 CMOS 成像傳感技術研發領域取得突破性進展，首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像，將於 2013 年與客戶夥伴進行試產。2005 年中芯國際提供前照式 CMOS 影像傳感工藝以來，中芯國際即成為 CMOS 成像傳感芯片的主要晶圓代工廠商，主要應用於手機及消費電子。
20 週年 2013 年
2013 年第 1 季度，單季營收首度超過 5 億美元。
2013 年 4 月 25 日，原北區運營資深副總裁趙海軍博士獲任中芯國際首席運營官。趙海軍博士於 2010 年加入中芯國際，2011 年 9 月擔任北區運營中心副總裁，2012 年 6 月升任為資深副總裁。
2013 年 6 月 3 日，中芯國際及子公司中芯國際集成電路製造（北京）有限公司與北京工業發展投資管理有限公司、中關村發展集團共同簽署合同，成立合資公司 -- 中芯北方集成電路製造（北京）有限公司，建設中芯北京二期項目。預計投資總額為 35.9 億美元，專注於 45 納米及更精細集成電路的量產，預期目標產能達到每月 35000 片晶圓。
2013 年 7 月 12 日，中芯北方集成電路製造（北京）有限公司註冊成立。
2013 年 8 月 30 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）上樑。
2013 年 10 月，發行每股 20 萬美元可換股債券，總值 2 億美元，大唐和中投行使優先認購權，分別認購 5460 萬美元、3220 億美元，股權變為 19.05%、11.23%。
2013 年 11 月 30 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）封頂。B2A 廠寬 133 米，長 201 米，單層 28000 平方米，整體建築面積達 91000 平方米，工廠建成後將引入 45/40 納米以及 32/28 納米 2 條產能各為 3.5 萬片的生產線，實現技術水平為 32-28 納米的芯片在國內量產“零”的突破，進一步減弱國內高技術芯片對進口的依賴。
2013 年，中芯國際年度營收超過 20 億美元。
20 週年 2014 年
2014 年 1 月 26 日，中芯國際宣佈正式進入 28 納米工藝時代。28 納米工藝擁有來自中芯國際設計服務團隊以及多家第三方 IP 合作伙伴的 100 多項 IP，可為全球集成電路（IC）設計商提供包含 28 納米多晶硅（PolySiON）和 28 納米高介電常數金屬閘極（HKMG）在內的多項目晶圓（MPW）服務。這是中芯國際發展歷程中的重要里程碑，標誌著中芯國際生產及研發能力的極大提升。進入 28 納米工藝時代，夯實了公司在移動計算相關 IC 製造領域中的有利地位。中芯國際首個包含 28PolySiON 和 28HKMG 的多項目晶圓流片服務已於 2013 年年底推出，供客戶進行產品級芯片驗證。
2014 年 6 月 5 日，中芯國際發行本金額 9500 萬美元 2018 年到期零息可換股債券，大唐和 Country Hill 潛在行使優先認購權。
2014 年 6 月 24 日，《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發佈，成為我國集成電路產業發展重要戰略機遇期和攻堅期的重要指導綱要，掀開了中國集成電路發展新的里程碑。
2014 年 6 月 24 日，中芯國際宣佈，與日本凸版印刷(Toppan)的合資公司凸版中芯彩晶電子（上海）有限公司（TSES）合作的國內首條 12 英寸芯載彩色濾光片和微鏡生產線已建成投產，結合中芯國際 12 英寸 CMOS 圖像傳感器（CIS）晶圓生產線，將形成一條完整的 12 英寸 CIS 產業鏈。原原創創原創原創原創原創原創原創原創原創原創原創原創原創
2014 年 9 月 26 日，國家集成電路產業投資基金股份有限公司（大基金）正式成立，募集資金 1387.2 億元。
2014 年 7 月 3 日，中芯國際和高通（Qualcomm）擴大了在 28 納米工藝節點上的合作，高通宣佈將旗下的部分 28 納米芯片交給中芯國際代工製造。
2014 年 12 月 17 日，中芯國際宣佈位於深圳的 8 英寸晶圓廠正式投產，這是中國華南地區第一條 8 英寸生產線投入使用。同時這也是今年《國家集成電路產業發展推進綱要》出臺後，國內第一條投產的集成電路生產線。
2014 年 12 月 18 日，中芯國際和高通共同宣佈，雙方合作的 28 納米驍龍™410 處理器成功製造，這是雙方在先進工藝製程和晶圓製造合作上的重要里程碑。之前在 7 月，雙方宣佈了在 28 納米晶圓製造方面達成合作的初步計劃。
20 週年 2015 年
2015 年 2 月 13 日，中芯國際與大基金達成一項投資協議。根據協議規定，大基金將以每股 0.6593 港元的認購價認購 47 億股新股份。這筆投資將會用作中芯國際的資本支出、債務償還以及整體運營支出，約佔發行後新股本的 11.58%。
2015 年 3 月 6 日，中芯國際宣佈，周子學博士獲委任為中芯國際董事長、執行董事，於當日生效。
2015 年 5 月 15 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）潔淨室交付使用。
2015 年 6 月 23 日，中芯國際、華為、比利時微電子研究中心、高通舉行簽約儀式，宣佈共同投資中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司，開發下一代 CMOS 邏輯工藝，打造中國最先進的集成電路研發平臺。
2015 年 8 月 10 日，中芯國際宣佈採用其 28 納米工藝製程的高通驍龍™410 處理器已成功應用於主流智能手機，這是 28 納米核心芯片實現商業化應用的重要一步，開啟了先進手機芯片製造落地中國的新紀元。
2015 年 10 月 29 日，中芯北方 12 英寸廠（B2B）奠基。
20 週年 2016 年
2016 年 2 月 16 日，中芯國際和聯芯科技（Leadcore）共同宣佈，中芯國際 28 納米高介電常數金屬閘極（HKMG）製程已成功流片，基於此平臺，聯芯科技推出適用於智能手機等領域的 28 納米 SoC 芯片，包括高性能應用處理器和移動基帶功能，目前已通過驗證，準備進入量產階段。
2016 年 5 月 18 日，中芯北方 12 英寸廠（B2B）上樑。
2016 年 6 月 22 日，中芯國際宣佈北京廠成功量產高通驍龍 28 納米系列產品，這是繼高通驍龍 410 處理器在中芯國際上海廠成功量產後，中芯國際再次取得重大進展。中芯國際成功完成由上海母廠至北京廠的技術轉移，並相繼通過驍龍 425 和 MDM9x07 兩顆新產品的客戶驗證，在北京廠進入批量生產。驍龍 425 在北京廠的成功量產，標誌著中芯國際在 28 納米技術節點又向前跨出了重要的一步。28 納米在北京工廠的成功量產，使得中芯國際 28 納米邁上了一個新的臺階，進一步鞏固了中芯國際作為中國內地晶圓代工龍頭企業的地位，提高了中芯國際在全球先進工藝晶圓代工領域的競爭力。
2016 年 6 月 24 日，中芯國際宣佈出資 4900 萬歐元，收購由 LFoundry Europe GmbHLFE 以及 Marsica Innovation S.p.A. 控股的意大利 LFoundry 的 70%股份。這也是中國內地集成電路晶圓代工業首次成功布局跨國生產基地，標誌著中芯國際在國際化的道路上邁進了一大步，中芯國際也將憑藉此項收購正式進駐全球汽車電子市場。
2016 年 7 月 6 日，中芯國際和深圳出入境檢驗檢疫局簽訂《進口成套設備檢驗合作備忘錄》，這意味著坪山新區投建的華南地區首條 12 英寸集成電路生產線進入建設階段。根據備忘錄，深圳檢驗檢疫局將為該公司即將進口的 2.18 億美元成套設備提供全方位的監管服務。
2016 年 7 月 9 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）月產達一萬片。
2016 年 7 月，中芯國際發行 4.5 億美元 2020 年到期的零息可轉換債券。
2016 年 9 月 2 日，中芯北方 12 英寸廠（B2B）封頂。
2016 年 10 月 13 日，中芯國際在上海廠區舉行新的 12 英寸集成電路生產線廠房奠基儀式，該 12 英寸集成電路生產線項目包含 2 條生產線，覆蓋 14 納米至 10/7 納米工藝節點，投資百億美元（675 億元），滿產後規模可達每月 7 萬片，產品主要面向新一代移動通訊和智能終端領域。
2016 年 10 月 18 日，中芯國際宣佈正式啟動中芯天津產能擴充項目，新增投資 15 億美元，該項目建成達產後有望成為世界上單體規模最大的 8 英寸集成電路生產線。中芯國際天津公司位於天津西青經濟技術開發區，目前擁有一條成熟工藝的 8 英寸集成電路生產線，已實現 4.5 萬片月產能。該擴建項目全部達產後中芯天津月產能將達 15 萬片 8 英寸晶圓。廠房進度和產能安排將按客戶市場需求而定。主要產品應用方向包括物聯網相關、指紋識別、電源管理、數模信號處理、汽車電子等。
2016 年 11 月 3 日，中芯國際宣佈，配合物聯網時代對於集成電路芯片大規模的需求，將在深圳現有廠區已建好的廠房內，啟動建設一條 12 英寸集成電路生產線項目，產品方向定位於主流成熟技術。這是華南地區第一條 12 英寸集成電路生產線，該項目計劃 2016 年底開工，預計 2017 年底投產，屆時將根據客戶需求擴充產能，預期目標產能將達每月 4 萬片晶圓。
2016 年 12 月 1 日，中芯南方集成電路製造有限公司正式成立。
2016 年 12 月 9 日，中芯國際已發行普通股每 10 股換 1 股正式生效。
2016 年，中芯國際淨利潤率達 10.86%，創下歷史最高紀錄。
20 週年 2017 年
2017 年 5 月 10 日，中芯國際宣佈趙海軍博士接替邱慈雲博士擔任首席執行官（CEO）。
2017 年 8 月 1 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）月產達兩萬片。
2017 年 7 月 23 日，中芯國際天津 T1B 主廠房正式破土動工。
2017 年 9 月 30 日，中芯北方 12 英寸廠（B2A）月產達 3 萬片。
2017 年 10 月 16 日，中芯國際宣佈任命趙海軍博士、梁孟松博士為中芯國際聯合首席執行官兼執行董事。
2017 年第 4 季度，中芯國際深圳 12 英寸生產線正式投產，月產能為 3000 片。
2017 年 12 月，中芯國際完成新股配售 3.3 億美元，並且完成發行 6500 萬美元永續可轉換證券。
2017 年，中芯國際年度營收超過 30 億美元。
20 週年 2018 年
2018 年 3 月 30 日，中芯北方 12 英寸廠（B2B）潔淨室交付使用。
2018 年 4 月 28 日，中芯國際天津 T1B 主廠房舉行封頂儀式。
2018 年 6 月，中芯國際完成向大唐配售約 0.84 億美元新股以及 2 億美元永續可轉換證券。芯思想
2018 年 6 月 27 日，中芯國際天津 P2 Full Flow 設備搬入，科天（KLA-Tencor）的檢測設備 RS200 成為首臺搬入設備。
2018 年 7 月 12 日，由中芯國際聯合上下游合作單位共同創建的北方集成電路創新中心正式揭牌，這是一個開放性的、實體性的集成電路產業協作平臺，將為北京地區設計企業、科研院所提供試製平臺，為裝備和材料企業提供驗證平臺，有助於加快北京打造全國集成電路產業的技術創新中心。
2018 年 8 月，中芯國際完成向大基金配售約 0.78 億美元新股以及 3 億美元永續可轉換證券。交易完成後，2018 年 9 月 30 日，大唐 17.01%，鑫芯 15.77%，紫光 6.93%，其餘持股者持股比例不超過 5%。
2019 年 10 月 22 日，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司正式成立，募集資金 2041.5 億元。
2018 年第 4 季度，中芯國際第一代 14 納米 FinFET 技術進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率進一步提升；同時，12 納米的工藝開發也取得突破。
20 週年 2019 年
2019 年第 1 季度，上海中芯南方 FinFET 工廠順利建造完成，開始進入產能布建；12 納米工藝開發進入客戶導入階段；第二代 FinFET 研發在過去積累的基礎上進度喜人。
2019 年 5 月 24 日，中芯國際發佈公告稱，公司董事會批准將其美國預託證券股份從紐約證券交易所退市。
2019 年 6 月 27 日，中芯國際發佈公告稱，出售 LFoundry 給無錫錫產微芯半導體有限公司，交易金額為 1.13 億美元。
2019 年第 2 季度，第一代 14 納米 FinFET 進入客戶風險量產；第二代 FinFET N+1 技術平臺開始進入客戶導入階段。
2019 年第 3 季度，第一代 14 納米 FinFET 已成功量產；第二代 FinFET 工藝 N+1 研發穩步推進，客戶導入進展順利。
2019 年第 4 季度，中芯國際 14 納米工藝貢獻有意義的營收。
2019 年 11 月，中芯國際發行 2 億美元 2022 年到期的零息可轉換債券。
20 週年 2020 年
2020 年 2 月 20 日，中芯國際在全球資本市場順利完成 5 年期美元公司債券的發行定價工作，募集資金 6 億美元，票面利率 2.693%。本次發行是公司時隔 6 年再次重返國際債券市場，以 BBB- 的國際評級取得了 TMT 行業內 A- 評級公司的票息水平，體現出全球資本市場對於中芯國際近年來信用結構、財務戰略與產業發展的高度認同，中芯國際在全球資本市場的融資能力和定價基準邁上了一個新的臺階。
2020 年 2 月 28 日，北方集成電路技術創新中心（北京）有限公司研發樓項目正式開工建設。
祝願中芯國際下一個 20 年更輝煌！
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