AMD官方內存調整和超頻指南

（本文轉自techpowerup，可能有些地方翻譯有所錯誤，請諒解。本文詳細描述AMD內存超頻的選擇，對AMD玩家很有幫助）
更新記錄：

• 2019年4月4日：完全重寫並簡化了“內存時序之間的關係”頁面

在過去的兩年中，AMD與Ryzen一起推出了兩代高性能處理器。偉大的產品基於具有巨大潛力的全新架構，互聯網上仍然充滿關於這些產品的恐懼和錯誤信息，其中一些是品牌的疑慮，而其他則與底層實施的技術和產品的功效有關。性能潛力。這些疑慮是基於對第一代Ryzen處理器發佈時產品所面臨的批評。
我叫Yuri Bubly（@ 1usmus）。我是Ryzen的DRAM計算器的開發人員，許多BIOS mod的作者，以及與這些處理器相關的數十個主題的策展人。經過兩年的研究和開發，我準備分享在Ryzen驅動的系統上優化內存的秘密。通過優化，我特別是要以正確的方式對系統RAM進行超頻和調優-不會破壞它。

您可能已經將“ AMD vs. Intel” CPU選擇與AMD Ryzen系統上內存超頻的複雜性掛鉤了。我在這裡告訴您，這比您想像的或被人們相信的容易得多。本指南的目的是向您展示購買內存時要尋找的內容，以及如何通過避免常見錯誤來快速正確地設置系統，以及通過對RAM進行超頻獲得什麼結果。

有人可能會問，內存超頻能帶來什麼真正的好處。好吧，對於初學者來說，我的研究表明，遊戲的FPS比默認值提高了+ 50％。聽起來很誘人，不是嗎？您會發現，Ryzen處理器比Intel處理器對內存時鐘速度更為敏感。Ryzen處理器同步Infinity Fabric時鐘速度，以與內存時鐘成線性比例。這很重要，因為Infinity Fabric是“ Zen”處理器芯片上所有組件的主要互連，包括兩個CCX（Zen計算中心）之間的所有重要鏈接。

由於要涵蓋的變量和細微差別眾多，因此該材料將分為兩個部分：（1）理論，其中包含與內存設置和測試有關的所有詳細信息的描述，以及（2）結果，其中展示優化結果對遊戲的影響。

專業術語

以下是與對Ryzen驅動的機器進行超頻相關的技術術語列表。Ryzen使用行業標準的DDR4內存體系結構，因此您可能熟悉其中一些術語。其他一些術語是新的，並且特定於“ Zen”體系結構。

• SOC電壓-片上系統電壓; 負責與內存控制器相關的電壓。
  限制：最高1.2V。
• DRAM引導電壓-系統啟動時進行內存訓練的電壓。
  限制：最高1.45–1.50V。
• VDDP電壓-設置存儲器內容的晶體管的電壓。
  限制：最高1.1V。
• CLDO VDDP電壓-SoC上DDR4 PHY的電壓。DDR4 PHY或物理層接口將來自內存控制器的信息轉換為DDR4內存模塊可以理解的格式。
  有點與直覺相反，降低VDDP通常比提高CLDO_VDDP更有利於穩定性。高級超頻者還應該知道，更改CLDO VDDP可以移動或解決內存漏洞。VDDP的微小變化會產生很大的影響，並且不能將VDDP設置為大於VDIMM-0.1 V（不超過1.05 V）的值。如果更改此電壓，則需要冷重啟。
  
  限制：最高1.0V。
• VPP（VPPM）電壓-確定訪問DRAM行的可靠性的電壓。
  限制：高達2.7V。
• Vref電壓-存儲器參考電壓; “配置” CPU和內存模塊的電壓電平將被認為是“ 0”或“ 1”的電壓電平分開；也就是說，內存總線上MEMVREF以下的電壓應視為“ 0”，而高於該電平的電壓應視為“ 1”。默認情況下，該電壓電平為VDDIO的一半（aka 0.500x）。一些主板通常允許用戶通過兩個選項來更改此比例：（1）“ DRAM Ctrl Ref Voltage”（用於內存總線的控制線； JEDEC的官方名稱是VREFCA），以及（2）“ DRAM Ctrl Data Ref Voltage”（用於來自存儲器總線的數據線； JEDEC的正式名稱為“ VREFDQ”）。這些選項被配置為乘數。
• VTT DDR電壓-用於控制總線阻抗以實現高速並保持信號完整性的電壓。這是通過電阻器並聯端接完成的。
• PLL（1P8）電壓-此選項可用於在高BCLK時穩定CPU。
  限制：最高1.9V。
• CAD_BUS-命令和地址總線；適用於能夠高速（> = 3466MHz）訓練內存，但由於信號問題而無法穩定內存的用戶。我建議您嘗試減小與“命令和地址”相關的驅動電流（增大電阻）。
  限制：無。
• CAD_BUS時序-收發器延遲。值設置位掩碼。
  限制：無。
• procODT-電阻值（以歐姆為單位），用於確定如何終止完整的存儲信號。較高的值可以幫助穩定較高的數據速率。
  限制：無。
• RTT（信號完整性優化）-在DDR4接口上使用多個等級的DRAM需要額外的選項，以便為各個等級選擇片上終端電阻。
  DDR4 DRAM提供了一系列的終端電阻值。如果啟用了動態管芯端接，則通過初始芯片配置和DRAM操作命令的組合來選擇呈現給接口的特定DQ引腳接收器電阻。
  限制：無。
• 減速模式-允許DRAM設備使用其內部生成的½速率時鐘運行，以鎖存在命令或地址總線上。
  速度高於DDR4-2667時默認為ON。但是，隨存儲套件的不同，開啟與關閉的優勢也會有所不同。啟用減速模式將覆蓋您當前的命令速率。
• 掉電模式-通過在一段時間不活動後使DRAM進入靜態，可以適度地節省系統功率，但會增加DRAM延遲。
• 理論：無限結構和RAM類型

正如我們前面提到的，Infinity Fabric是AMD部署的最重要的互連，用於鏈接“ Zen”處理器上的各種片上組件，包括CPU計算複合體（最多4個CPU內核的組）。Infinity Fabric具有自己的時鐘域，儘管該時鐘與內存時鐘速度同步。
從結構上講，Infinity Fabric是256位雙向總線。在Ryzen處理器的六核和八核模型的幫助下，兩個四核複合體（CCX）與其他模塊交換數據，包括根PCIe複合體和南橋。Infinity Fabric的頻率已設計為與系統RAM的頻率匹配。例如，如果內存控制器工作在DDR4-2133上，則開關的矩陣將以1066 MHz的頻率進行同步（回想一下，有效頻率在內存名稱中指明）。這意味著更快的內存可讓您增加內部Infinity Fabric連接的帶寬。
在創建多核處理器時，這項技術帶來了廣闊的前景。我還想指出，此總線的更新版本將在新的Zen 2處理器中實現，這些處理器是AM4封裝上最多三個芯片的多芯片模塊，最多兩個CPU芯片和一個I / O控制器芯片。

查看圖片，您可以看到這種情況下的瓶頸是RAM。我們需要高頻率和低延遲才能更快地訪問數據。

記憶類型

在過去的十年中，英特爾一直在人們的腦海中傳播RAM是裝飾性組件的想法。有時，它具有裝飾性的LED照明或時尚的散熱器，看起來很酷。通過一般的想法，即RAM更多地與樣式有關，人們不再考慮其真正意義。
目前，RAM市場上有大量的選擇可能使我們感興趣，並且大量功能試圖使它們與競爭對手區分開。這些功能中的一些功能很棒，但是某些功能可能對某些用戶完全沒有用。一個人如何選擇最適合自己的呢？
用於超頻的最佳內存之一（可能是根據我的測試得出的最佳內存）是三星b-die（20納米）RAM，通常開箱即用地具有創紀錄的頻率和延遲。我想在這裡強調一個重點-您不必購買昂貴的套件即可獲得4200+ MHz令人印象深刻的高頻信號，從而獲得所需的性能。在大多數情況下，對這種套件進行超頻將可與CAS延遲（“ CL”）為14的3000 MHz套件進行比較。當然，硅彩票始終是一個因素，並且可能會證明3000 MHz CL14上的套件可以勝過運行不穩定的3600 MHz套件。我將在本文後面的部分中介紹一些我回顧過的記憶，以進行演示。

檢查清單上的第一個是G.Skill Sniper X 3400C16。這是單列DIMM，具有無明顯的存儲設置和時序，至少與超頻後獲得的結果相反。

上面的屏幕截圖顯示，花時間超頻內存是值得的。我在CL14上可以達到3667 MHz的速度。在其他測試中，我還設法在這些模塊上達到了CL14所珍視的3733 MHz，但並非沒有使用1.51 V的相當高的電壓。我認為1.51 V不適合日常使用，因為它會降低性能並降低性能。內存模塊過早死亡。

在我推薦的內存列表中，接下來是基於SK-Hynix CJR芯片（18 nm）的模塊。為了說明這一點，我使用了一組G.Skill Sniper X 3600 C19模塊。該內存套件幾乎是基於三星b-die的Sniper X 3400內存價格的一半，並且沒有“ AMD Ryzen兼容”標籤。認為像Flare X一樣，Sniper X系列也是“ Ryzen友好型”產品，許多不知情的Ryzen買家可能會被此套件吸引。
使用該套件，我能夠在CL16頻率上達到3933 MHz，這是我發現的關於頻率和吞吐量的絕對頻率記錄。不過，我必須為此付出一些CAS延遲。

這不是極限！將其進一步提高到4000 CL16是現實的。

因此，我的計算器的最新版本為帶有SK-Hynix CJR內存模塊的內存套件提供了高達3867 MHz的預設。
今年還推出了新的Micron H / E-die（16 nm）存儲模塊。不幸的是，我還無法接觸到這些芯片。根據我的同事進行的一些初步測試，該內存同樣擅長超頻，因此值得考慮使用這些內存模塊的套件。
那雙列DIMM呢？相比之下，目前對雙列RAM配置超頻的結果非常可悲。內存控制器目前難以處理四個等級。使用Samsung b-die內存模塊可以達到3400 MHz CL14，使用Hynix CJR內存模塊可以達到3600 MHz CL16。根據我的測試，使用四個等級的唯一好處是，由於等級技術的影響，容量的增加和交替都令人印象深刻，這增加了遊戲的系統性能。
考慮到AMD的文檔指出，當使用兩個雙列模塊時，Ryzen處理器限於2400 MHz，因此3600 MHz CL16仍然是一個很大的收益。到目前為止，雙排位是內存製造商能夠構建客戶端段16 GB模塊（構成32 GB雙通道套件）的唯一方法。如果確實需要超過16 GB的RAM，則必須相應地降低對超頻的期望。

理論：主板的類型

目前，有許多主板具有不同的芯片組供您選擇，這些主板具有不同的外形尺寸和各種隱藏功能。但是，Ryzen系統上的內存超頻的一項關鍵功能是DIMM拓撲和內存插槽數量。

雙插槽

為了獲得最快的RAM頻率，可能需要雙插槽主板，例如ASUS ROG STRIX B450-I Gaming。由於缺少兩個額外的存儲插槽，因此大大提高了線路上信號和反射的質量。但是，這確實會限制容量並提高淨空。

接下來是實現菊花鏈拓撲的電路板。它們的優勢在於處理器與A2和B2內存插槽之間的線路（總線）長度的優化。華碩ROG Crosshair VII，華碩Prime X470-Pro和MSI X470 Gaming M7 AC就是採用這種方式的主板。

為了完成這些板子的列表，還有那些具有T型拓撲的板子（即ASUS ROG Crosshair VI和ASRock X470 Taichi）。相比之下，這些板卡對內存的中頻性能極低-高達3466–3533 MHz。這種板的主要優點是四個模塊配置都具有超頻潛力。

理論：調整RAM / SOC的順序

最重要和最基本的步驟是能夠以所需的頻率啟動系統。為此，我們需要在BIOS中手動設置特定設置：

• XMP內存配置文件（某些主板製造商使用不同的名稱，但功能未更改）
• RAM的頻率（這是用戶所需的頻率）
• BCLK頻率（如果主板在BIOS中支持此設置）
• 計時（由計算器建議）
• SOC和DRAM的電壓（由計算器建議）
• procODT + RTT值（NOM，WR和PARK）。

有關更多詳細信息，可在此處找到用於Ryzen的DRAM計算器教學視頻。

首先，從計算器輸入procODT + RTT的參數（NOM，WR和PARK），嘗試使用推薦值和替代值，直到系統出現最少錯誤為止。為此，請使用帶有基本預設的TM5 0.12測試軟件包。當然，這不會消除可能出現的所有錯誤。為此，我們還需要繼續下一步。
接下來，找到DRAM和SOC的最佳電壓，這將進一步減少系統的錯誤數量。首先，為SOC選擇電壓，然後為DRAM選擇電壓（計算器會告訴您每種電壓的可用範圍）。有時，數字萬用表或電壓監視軟件可以幫助確定BIOS中設置的值是否為實際交付的數量。這些可能不匹配的原因有很多，超出了本文檔的範圍。但是由於可能會產生影響，因此無論設置了哪個值都無法建立穩定性，因此最好使用諸如HWInfo之類的程序來驗證電壓。要檢查錯誤，請使用帶有基本預設的TM5 0.12測試包。

在一半的情況下，您可以在此階段獲得一個完全穩定的系統。如果TM5 0.12測試包沒有發現錯誤，請增加測試程序的範圍以檢查穩定性。這些可以包括Linx，HCI，Karhu和其他程序。如果這些程序都沒有發現錯誤，請繼續下一步-調試。
如下圖所示，調試的主要目標是更改某些時間。

您應該檢查每個定時調整如何影響系統的穩定性。我不建議一次更改所有提到的時間。在此階段，耐心是關鍵。一次做一個變量。如果測試的時序不能改善情況，請將其重置為先前值，然後檢查列表中的下一個時序。

此後的任何進一步建議和所有其他步驟均適用於熟悉超頻的經驗豐富的用戶（通常有一個月以上的經驗）。我將主要以流程圖的形式顯示這些步驟，並在這些圖像上方指示主要參數。

調整CAD_BUS

調整附加電壓

每個圖列出了每個階段要嘗試的一組參數。我以具有較高優先級設置的方式創建了這些圖，這些設置可以提高首先檢查的穩定性。當然，您可以採取其他方法，因為目前尚無明確的規則和法律可用於使系統穩定的設置。

時間：限制和好處

最近，我注意到內存優化已成為某些人的狂熱愛好，其結果可能會令他們和其他用戶滿意。實際上，在極低的時間運行系統將無法保證最佳性能。根據我的研究結果，事實並非如此。有時，低時機甚至可能是“凍結”的原因。
我使用不同等級的內存（SR 3466和DR 3200）廣泛測試了計時對遊戲性能的影響。處理器超頻至4.2 GHz。在這些測試中使處理器超頻的主要原因是使內存成為整個系統的瓶頸。在這兩種情況下，我都將XMP預設與手動調整每個時序所獲得的結果進行了比較。我更改的時間已加粗。我可以根據自己的判斷選擇交替調整的時間優先級，從最重要的到次要的。

您可能會注意到，低估某些時間（例如tWTRS）可能會對系統性能產生不利影響。還可以得出結論，儘管XMP配置文件被稱為“ eXtreme”，但它不是極端的。平均而言，XMP配置文件調整可使您獲得高達14％的平均FPS。同樣，在大多數情況下，XMP配置文件的另一個缺點是系統的穩定性。專注於計算器的建議，選擇最佳時序以獲得最佳遊戲性能應該沒有問題。

記憶時序之間的關係

DRAM訪問延遲已成為當今系統性能的關鍵瓶頸，因為現代計算機主要使用DRAM內存。儘管由於製造工藝技術的擴展而使DRAM容量增加，但數十年來訪問延遲並未顯著降低。由於不斷增加的內核數量，現代應用程序越來越密集地使用數據，並且對增加內存帶寬和DRAM訪問延遲的固有限制正日益成為改善整體系統性能的障礙。

基本DRAM操作

訪問DRAM中的數據時，需要執行五項基本操作。

• 激活將打開存儲體中的DRAM行之一，並將打開的行中的數據複製到行緩衝區中。
• 恢復可確保在激活期間從DRAM行中每個單元中流失的電荷恢復到滿水平，以防止數據丟失。
• 一旦將已激活行的數據複製到行緩衝區，就可以執行讀寫操作。
• 當存儲控制器完成對激活的行的讀寫操作後，預充電會從行緩衝區釋放數據，並準備好存儲體以激活其他行。

其中，DRAM訪問延遲主要由三個操作的延遲組成：激活，恢復和預充電。
上圖顯示了發出的命令的時間軸，以執行對單個高速緩存數據行的讀取（頂部）或寫入（底部）操作。內存控制器發出四個命令：（1）ACT（激活），（2）READ或（3）WRITE和（4）PRE（預充電）。請注意，恢復沒有明確的命令，而是在ACT命令之後自動觸發的。每個操作所花費的時間由DRAM供應商確定的一組定時參數決定。儘管每個命令都以行粒度進行操作，但為簡單起見，我們描述了DRAM操作如何影響單個DRAM單元。

在初始預充電狀態（1）中，位線保持在VDD / 2的電壓電平，其中VDD是完整的DRAM電源電壓。字線為0 V，因此位線與電容器斷開連接。在存儲器控制器發出ACT命令（2）之後，字線被升高到Vh，從而將DRAM單元電容器連接到位線。如在該示例中一樣，電容器的電壓高於位線的電壓，電荷流入位線，從而將其電壓電平提高到VDD / 2 +δ。此過程稱為電荷共享。然後，讀出放大器測量位線上的偏差，並相應地放大該偏差（3）。此階段稱為讀出放大，最終將位線和單元的電壓電平驅動回到單元的原始電壓狀態（在此示例中為VDD）。

一旦讀出放大器已經充分放大了位線上的數據（例如，電壓電平達到3VDD / 4），則存儲控制器可以發出READ或WRITE命令來訪問行緩衝區中的單元數據。如第一幅圖所示，在ACT命令之後達到此狀態（3）所需的時間由定時參數tRCD指定。發出READ或WRITE命令後，感測放大階段將繼續驅動位線（4）上的電壓，直到位線和單元的電壓電平達到VDD。換句話說，對於一次讀取，該單元的原始充電水平已完全恢復到其原始值，或者對於一次寫入，已被正確更新為新的值。
對於DRAM讀取請求，在ACT之後要完全恢復的單元的等待時間由定時參數tRAS確定。對於DRAM寫請求，完全更新單元所花費的時間由tWR確定。恢復後，可以使用PRE命令對位線進行預充電，以準備子陣列以備將來訪問其他行。該過程通過降低字線上的電壓將單元與位線斷開。然後，它將位線的電壓重置為VDD / 2。完成預充電操作的時間由定時參數tRP指定。

tRCD和tRAS時序可能大大低於數據手冊中的時序。怎麼樣？

傳統的DRAM芯片使用固定的等待時間執行激活和恢復操作，該等待時間由第一張圖片中所示的時序參數的值確定。然而，存在通過利用電池的當前電荷水平可以減少激活和恢復潛伏期的方式。如果一個單元具有高電荷水平，則激活期間位線上的相應電壓擾動過程會更快，因此，讀出放大器需要更少的時間才能到達第二張圖片中的狀態3和4。“ ChargeCache”是一種先進的機制，利用這種見解可以安全地減少高電荷電池的tRCD和tRAS時序參數。

ChargeCache跟蹤最近訪問過的行，這意味著它們的單元格具有較高的電量，因為自上次將單元格恢復到完全電量級別以來僅經過了很短的時間。因此，如果最近訪問的行在短時間間隔（例如1毫秒）內再次被激活，ChargeCache將對該行使用較低的tRCD和tRAS值，這將減少總體DRAM訪問延遲。可以應用類似的方法來減少恢復延遲。在常規DRAM芯片中，每個ACT命令觸發恢復操作，該操作完全恢復激活行中單元的電荷水平。同樣，每個刷新操作將以固定的時間間隔（DDRx DRAM中每64 ms）完全恢復單元的電荷水平。
還有一種“還原截斷”機制，該機制可以部分還原單元的電量，足以保留正確的數據-直到單元的下一次刷新。此機制的控件之一是tWR和tRAS時序。
我的文章中已發佈的一些預設使用了這些機制，因此建議您不要在Internet上找到典型的公式。

結論

• 由於DRAM單元由電容器組成，因此即使不訪問該單元也會洩漏電荷。為了防止數據丟失，DRAM必須向所有單元發出定期的刷新操作。刷新操作使單元的電荷水平恢復到其全部值。
• 藉助恢復截斷機制和ChargeCache，現代內存芯片可讓您設置激進的時間間隔。
• SDRAM芯片使您可以在某種意義上並行執行第三和第四操作。準確地說，可以在發出請求的數據包的最後一個數據元素的那一刻之前，將PRECHARGE線路充電命令發送一定的滴答聲x，而不必擔心所傳輸數據包出現“中斷”情況（如果向PRECHARGE命令發送的讀取命令的時間間隔小於x，則會發生後者）。
• 為防止單元中的數據丟失，可以增加DRAM電壓或更改負責預充電和刷新的時間特性。調整tRP和tRFC將產生最大的影響，tWR和tRTP也可以提供幫助。我不建議將tWR的值提高到12以上。
• tRC> = tRAS + tRP。在大多數情況下，這應該是最佳公式。
• tRAS = tRCD + tCL。對於這個時間，我沒有一個明確的定義，它可以等於tRCD + tCL，但有時由於上述機制而大大降低。同樣，不要忘記餘量，其極限是完全由實驗手段確定的，因為每個芯片的電池特性都不同。
• 對於高頻，我使用第一張圖片中的公式。tRAS = tRCD + tBL + tWR（調整為12或10）。DDR4的tBL = 4或2。
  理論：procODT，RTT和CAD_BUS

我想特別注意重要的術語“ procODT”和“ RTT”，描述它們的影響，如何調整它們以及它們可以告訴我們什麼。

正如我之前提到的，當第一代Zen處理器發佈時，用戶面臨著許多問題。評論中出現了恐慌，論壇上的真正專家很少。從字面上看，內存無法超頻。一段時間後，受人尊敬的“ Stilt”的第一個預設出現了，它們是AMD社區的奇蹟，但是，秘密和依賴性並沒有被發現。今天，我將關閉過去兩年中文檔和指南中最大的漏洞。
論壇上最常見的Ryzen內存問題之一是“內存超頻依賴於什麼？”
在我們的案例中，超頻的成功取決於三個組件：主板，IMC（內存控制器）和內存本身。

主板選擇

所有基於3xx芯片組的板均具有T型拓撲，並且在大多數情況下，最大內存時鐘被限制為3466 MHz，同時不干擾CAD。如果我們設法配置CAD，那麼我們可以獲得3600 MHz。為了理解為什麼超頻僅限於如此低的頻率，我們應該查看主板的PCB。

PCB上的每個信號走線都是一條導體，一條信號線。每個痕跡都會對其他痕跡產生不利影響。最重要的是，存在寄生連接的可能性（寄生電感和高頻干擾）。為了消除負極連接，每個主板設計人員必須正確設計所有信號走線。

上圖是這樣的設計更改，它增加了“曲線”，代替了直線，可以顯著改變信號線的功能。

同樣，形狀因數，PCB層數和導體組成也會影響母板的質量。對於電路板，通常會為更昂貴的產品提供更多的設計時間，並且通常使用質量更高的基本組件。
如何識別高質量的主板？procODT。並且工作procODT越低，在此主板上可獲得的結果越好。特別是為了更好地理解，我為您創建了幾個表，它們可以向您顯示差異。

結果，我們看到了主板之間的巨大差異。我認為這是用戶的主要問題之一。在他們的選擇中，我認為主板的審閱者有罪。在過去的兩年中，我還沒有在YouTube上看到過評論，在該評論中，我們對主板的拓撲及其功能進行了評論。他們查看包裝盒，包裝盒的內容，RGB模式，VRM冷卻效果是什麼樣的，或者審閱者穿著的漂亮的髮型/ T恤。

沒有評論可讓您真正瞭解VRM功能。取而代之的是，使用的數字僅在25°C的理想條件下以及完美的表面安裝條件下才存在於數據表中。一個值乘以其他值。
另外，我為您提供兩項建議，即購買主板時應注意的事項。
1）這是DRAM和VTT DDR電壓階躍。有些板的VDRAM階躍為0.01 V，有些板的為0.005V。也就是說，在第一種情況下，我們得到1.35 V，1.36 V，依此類推，在第二種情況下，我們得到1.35 V，1.355 V，1.36 V在第二種情況下，我們將大大增加穩定DRAM的機會，因為任何過高的電壓都可能導致錯誤。
2）您在BIOS中設置的DRAM電壓並不總是準確的。它可能會更低，也可能會更高。有時在某些情況下，VTT DDR最終不會成為DRAM電壓的一半。您將需要相應地調整其他值。回憶一下公式，V​​TT DDR = 1/2 * vDRAM。具有步長的電路板會自動獲得優勢。

記憶選擇

我經常在論壇上聽到“那裡有三星b-die，但是它們工作頻率低，電壓高，這是AMD不能怪的。” 我會解釋。RAM模塊不僅由特定製造商的芯片組成，而且還包括PCB上的一些信號線。電容器（帶子）以及芯片裝倉當然會產生巨大影響。
例如，我們可以使用Samsung b-die芯片從Corsair中找到RAM，但不會發現該產品破壞了記錄（如果您查看Ryzen平臺）。相比之下，還有G.Skill Sniper-X 3400c16，與Corsair模塊相比，它看起來並不特別。但是，如果我們比較所達到的頻率，那麼使用G-Skill套件的結果將是3200-3466 MHz與3666-3733 MHz。因此，在選擇RAM時，我建議您訪問論壇。

多個存儲芯片組合成一個模塊，這使得其中一個芯片具有獨特的頻率-電壓特性成為可能。這樣的芯片可能需要比其同級產品多幾步的電壓才能穩定在某個頻率上。這樣，其他芯片可能會由於電壓升高而變得不穩定。對於用戶而言，理想的選擇是購買一套出廠超頻超過3600 MHz的套件。這將給您額外的保證，即所有芯片都可以達到目標頻率。

內存控制器

在大多數情況下，兩代Ryzen的內存時鐘都限於1733-1766 MHz（DDR-3466至DDR-3525）。當然，有些實例可以更高的頻率運行。為了使我們的內存控制器的生活更輕鬆，可以使用能夠以非常低的procODT運行的內存模塊，這會大大改變信號匹配。根據AMD的說法，內存控制器procODT的工作範圍在40到60歐姆之間。68歐姆已經在綠色區域之外。該區域的穩定性將在很大程度上取決於CAD設置和母板的質量。

上表顯示瞭如何根據頻率更改procODT / RTT。
為幫助理解，請想象一下機械錶的錶盤。procODT將計算小時數，RTT_PARK將計算分鐘數，而CAD將充當秒針。對於每個頻率，手錶的錶盤將顯示不同的結果。
為了穩定系統，首先我們必須檢查相鄰的RTT / PARK值，然後才嘗試更改procODT。您不應該急於更改CAD，因為變量太多，可能會浪費大量時間來穩定系統。有幾種選擇CAD的算法，但是目前我不能肯定地說它們的有效性。我認為CAD與基本值24-24-24-24之間不會有顯著差異，並且在大多數情況下，其中一個值可以上下波動。也就是說，對於3466+ MHz的頻率，選項24-30-24-24可能具有額外的安全裕度。
請記住，每次BIOS更新都可以更改工作procODT或RTT。

電壓對procODT和RTT的依賴性

我做了一點測試，對procODT和DRAM電壓使用了不同的設置。這個想法是在測試過程中避免BSOD。

根據在此簡單而簡短的測試中獲得的結果，我們可以得出以下結論：更改procODT後，DRAM的穩定工作電壓可能會發生變化。RTT對存儲器的工作電壓也有輕微影響。

冷啟動或雙啟動

沒有Ryzen的用戶沒有遇到過冷啟動或兩次啟動（有時甚至兩次）。我可以立即向您保證，這沒有錯。這與記憶訓練密切相關。當系統第一次無法啟動時，將觸發算法，該算法將更改用戶無法訪問的某些設置，然後嘗試再次啟動系統。procODT，RTT和CAD可能會影響此現象。
有時，外部時鐘會產生雙重啟動。無論如何，請嘗試遵循計算器的建議。

方便的技巧和竅門

• 請勿使用對SOC和DRAM而言過高的電壓。計算器會告訴您應該嘗試在哪個值範圍內獲得穩定的結果。通常，最佳SOC值介於0.97–1.025 V之間。
• 當騎行或下降沿發生在與理想時間不同的時間時，會發生抖動。一些邊緣較早發生，一些邊緣較晚發生。在數字電路中，所有信號均參考時鐘信號進行傳輸。由於反射，符號間干擾，串擾，PVT（過程電壓-溫度）變化和其他因素而導致的數字信號偏差導致抖動。一些抖動只是隨機的。
• 始終為RAM使用額外的冷卻裝置。較低的電壓也意味著較少的熱量。通過減少熱量，可以減少熱輻射和衰減，從而使系統更穩定。
• 當系統不開機自檢，有大量錯誤或發生BSOD時，需要更改procODT或RTT。
• 可以通過手動更改以下時間來解決單個錯誤和罕見錯誤：（1）tFAW（tRRDS * 4 <=最佳值<= tRRDS * 6），（2）將tRRDS增加1或2，或（3）更改tRTP（從1/2 * tWR到12）。
• 可以通過將tRDWR（從6更改為9）和tWRRD（從1更改為4）來修復單個錯誤和罕見錯誤。請注意，時序必須成對配置。示例：tRDWR 6和tWRRD 2，tRDWR 6和tWRRD 3，tRDWR 6和tWRRD 4，tRDWR 7和tWRRD 1，依此類推。
• 可以通過更改tRFC修復單個錯誤和罕見錯誤。計算器為tRFC提供了幾種選擇。同樣，不要忘記tRC是tRFC的倍數。例如，tRC = 44-> tRFC 6（或8）* 44；不需要為Ryzen配置tRFC 2/4。
• 啟用Geardown可以提高系統穩定性。
• VDDP可以提高系統的穩定性。推薦範圍是855 mV至950 mV。嘗試以10–15 mV的步長增加它。
• 禁用擴頻可以提高系統的穩定性。
• 錯誤的來源也可能是Windows，這不一定是超頻問題。
• 將tRCDRD和tRP增加1可以提高穩定性並降低存儲器電壓要求。
• 禁用RTT_NOM有時會具有更好的穩定性。
• 增加RTT_PARK或procODT的電阻可以提高穩定性。
• 不要忘記遵循規則tRC = tRAS + tRP。
• CLDO_VDDP。最佳值：默認（850 mV），950 mV，945 mV，940 mV，915 mV，905 mV，895 mV，865 mV和840 mV。
• 即使tWRWR SCL和tRDRD SCL的值也可以提高系統穩定性。例如4-4或6-6。
• 處理器超頻過多可能會對RAM的穩定性產生負面影響。
• CAD_BUS 24 30 24 24可用於具有兩個模塊的配置，而24-20-24-24可用於包含四個模塊的配置。
• 請注意主板BIOS更新，其中包括AGESA的更新，因為較新的版本改進了內存調整功能。

用於性能測試的預設

發佈的所有預設都具有完全的穩定性。不要忘記沒有通用預設；主板，內存和處理器的不同拓撲始終是彩票。如果不穩定，請首先嚐試SOC和DRAM的相鄰電壓。
更多信息和預設可以在Ryzen的DRAM計算器中找到。

2133 MHz-默認

• SOC電壓：自動
• 內存電壓：自動
• 省電模式：自動（啟用）
• 減速模式：自動（啟用）

三星b-die 3200 MHz CL14 XMP（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.35 V
• 省電模式：自動（啟用）
• 減速模式：自動（啟用）

三星b-die 3200 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.36 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

三星b-die 3200 MHz CL14（雙列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.37 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

三星b-die 3200 MHz CL14（多列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.35 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

三星b-die 3200 MHz CL12（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.50 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

三星b-die 3333 MHz CL14（雙列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.39 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

三星b-die 3400 MHz CL14（多列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.39 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

三星b-die 3466 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.42 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

三星b-die 3533 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.44 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用
• RTT_PARK：48歐姆（RZQ / 5）或60歐姆（RZQ / 4）

三星b-die 360​​0 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.1 V
• 記憶電壓：1.45 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

Hynix CJR 3200 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.37 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

Hynix CJR 3200 MHz CL14（多列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.37 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用
• procODT：48歐姆
• RTT_NOM：34歐姆（RZQ / 7）
• RTT_WR：已禁用
• RTT_PARK：40歐姆（RZQ / 6）

Hynix CJR 3400 MHz CL14（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.45 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

Hynix CJR 3466 MHz CL16（單列）

• SOC電壓：1.025 V
• 記憶電壓：1.35 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：已禁用

Hynix CJR 3600 MHz CL16（單列）

• SOC電壓：1.1 V
• 記憶電壓：1.40 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

Hynix CJR 3800 MHz CL16（單列）

• SOC電壓：1.1 V
• 記憶電壓：1.42 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

Hynix MFR / AFR，微米b-die 3200 MHz CL16（單列）

• SOC電壓：1.025vV
• 記憶電壓：1.35 V-1.37 V
• 掉電模式：禁用
• 減速模式：啟用

測試設置和軟件

測試系統處理器：AMD銳龍2700X母板：微星X470 GAMING M7 AC
AMD X470，BIOS V1.51記憶：2個8 GB G.SKILL Sniper X 3600C19
（Hynix CJR 18 nm，單列）記憶：2個8 GB G.SKILL Sniper X 3400C16
（Samsung B-die 20 nm，SR）記憶：2個16 GB G.SKILL Trident Z 3000C14
（Samsung B-die 20 nm，Dual Rank）存儲：三星970 PRO 512 GB SSD圖形：微星GeForce GTX 1080 Ti GAMING X電源：海盜船HX750i冷卻器：NZXT海妖X62軟件：Windows 10 64位
Fall Creators更新驅動因素：NVIDIA GeForce 417.35 WHQL

• Ryzen™1.4.1的DRAM計算器
• 用於Ryzen™的DRAM計算器的視頻說明
• YouTube上的Larry B
• Linx 0.7.0 2019
• TM5 0.12（基本預設）
• 配置為TM5 0.12
• 素95

AIDA 64

SiSoftware桑德拉

對處理器的多核效率進行基準測試，表明與其他典型處理器相比，處理器內核及其互連的效率如何。
測量了核心處理數據塊並將其傳遞到另一個核心以處理不同大小和不同鏈大小的能力（生產者-消費者範例）。因此，對內核之間的互連效率進行了基準測試；但是，內核（和處理器）的數量也可以算作更多的數據緩衝區可以同時處理（也稱為“運行中”）。

在此測試中，我想向您展示時序和頻率如何影響處理器的多線程性能。我們可以看到Infinity Fabric的延遲（21–28％）和吞吐量方面的改善（+ 17％）。這是一種僅在Ryzen處理器上可用的獨特現象。

Cinebench

攪拌機

不幸的是，內存超頻並不能顯著提高主要在片上處理器緩存中運行的工作負載，而只有很少的內存訪問。

Futuremark 3DMark

地鐵出埃及記

您可能會問為什麼我選擇瞭如此低的圖形設置。我只是想向您展示不依賴於圖形卡功能的結果；不會有GPU瓶頸。
該遊戲（與其他許多遊戲一樣）對超頻的響應良好。我們可以看到最高提升了28％（平均FPS）。此測試中的最低FPS完全不可預測，可能是因為遊戲引擎尚未正確優化。這通常是在補丁程序中修復的。

刺客信條：奧德賽

在此遊戲中，即使在最低質量設置下，圖形卡也存在部分瓶頸。GPU的最小核心負載為85％。這意味著該測試是混合場景，並且為了釋放Ryzen 7 2700X處理器的潛力，您可能需要比GeForce GTX 1080 Ti更強大的圖形卡。
不過，由於RAM正確超頻（平均FPS + 30％），我們可以觀察到性能顯著提高。

巫師3

古墓麗影的影子

結論

不幸的是，Internet上有很多評論和文章沒有對內存的微調給予足夠的重視，而且我並不是在談論XMP配置文件，在許多情況下，XMP配置文件並不完全穩定或不能提供中等性能（在Ryzen上） 。例如，由於缺乏穩定性，我沒有在本指南的測試中包括典型的XMP 3600 CL16-19配置文件。儘管處理器以默認模式工作，本文中的手動優化設置仍顯示出巨大的FPS提升。遊戲中的平均處理器頻率範圍是3975至4075 MHz。

我在測試期間遇到的更有趣的問題之一是，當處理器以4200 MHz運行時，內存有不穩定的趨勢。原因是CPU和內存超頻並不是完全獨立的-從物理上講，它們形成一個單元，因此一個會影響另一個。處理器和RAM位於鞦韆的相對側。極度超頻的處理器意味著，在鎖定RAM方面，我們損失了一些步驟。
因此，如果您主要將機器用於遊戲，我不建議您只關注處理器超頻。在任何遊戲中，圖形卡都是整個系統中最薄弱的環節。在每個遊戲中，內存超頻都會提高性能。一張RTX 2080 Ti不足以滿足您的需要，在某些遊戲中，假設您的遊戲支持SLI，則可能需要兩張SLI中的RTX 2080 Ti顯卡才能釋放處理器的潛力。
毫無疑問，三星的芯片是Ryzen內存中最好的。3200 MHz CL14有一些選項，您也可以達到4200 MHz CL18，但是在大多數情況下，您會為此多付錢。三星芯片上的所有內存均可在3533 MHz CL14上正常工作。如果您不想為三星付出高昂的代價，我建議您專注於Hynix CJR，這使G.Skill Sniper X 3600 C19成為一個合理的選擇。目前，2x 8 GB套件的零售價為120美元。您將獲得可與Ryzen處理器完美搭配的經濟高效的高質量存儲套件。
我的建議是還應該在論壇上詢問何時選擇組件。目前，有很多線索可供其他讀者提出建議並談論某些選擇的優缺點，其中許多可以幫助解決問題或幫助超頻。您並不孤單，所以不要害羞-也可以直接與我聯繫。最後，請留意主板的BIOS更新，因為其中一些更新可能包括AGESA更新，從而提高了內存超頻能力。
特別感謝AMD，並分別感謝James Prior和Steve Bassett提供的樣品。我還要感謝Adam J Cain的設計幫助和TechpowerUp的全方位幫助。
我計劃不斷更新和補充本指南。也許，其他測試將添加到遊戲部分。請在評論部分中留下一些改進意見。