刻蚀设备国产化率达到18%，比率处于逐年上升态势（附报告目录）
1、刻蚀设备行业概述
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模占比超过集成电路设备整体市场规模的80%。
相关报告：北京普华有策信息咨询有限公司《刻蚀设备行业细分市场深度调研与投资投资可行性分析报告（2020-2026年）》
晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。刻蚀（Etch）是IC制造中相当重要的工艺，成本仅次于光刻（刻蚀20%，光刻30%），与光刻相联系的图形化处理。刻蚀，狭义上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。
按照原理不同，刻蚀可分为干法和湿法两种，其中干法刻蚀工艺占比90%以上。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，湿法刻蚀由于需要大量对人体和环境有害的腐蚀性化学试剂，逐步被干法刻蚀替代。
按被材料不同，刻蚀可分为硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀等，其市场占比分别为47%、48%和3%。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅，接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，而具有高深宽比（窗口的深与宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。硅刻蚀应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。
2、全球刻蚀设备行业市场规模分析
随着集成电路制造线宽不断缩小、芯片结构3D化，互连层数增多，带动刻蚀和镀膜需求增多，从2013年之后，刻蚀设备在产线中价值占比显著提升。目前，全球刻蚀设备市场以介质刻蚀和硅刻蚀为主，分别占比合约48%和47%，而金属刻蚀仅3%，这与2010年后整个集成电路工艺从铝互连（刻蚀铝金属）转向铜互联（刻蚀介质）有关，金属刻蚀与介质刻蚀此消彼长。
先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀行业迎增量。受限于193nm的浸没式光刻机限制，晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展，除了采用昂贵的EUV光刻机之外，14nm及以下的芯片制造很多都通过多重模板效应来实现制程微缩，刻蚀加工步骤增多。10nm制程是关键节点，相较于14nm，其刻蚀步骤为115步，增加77%，到5nm制程刻蚀步骤将是14nm的2.5倍及以上。
2014-2016年全球刻蚀设备市场规模处于60亿美元左右震荡态势。2017、2018年增长率出现突破式增长，尤其是2017年增长率高达41%以上，到2018年市场规模创出新高，突破100亿美元。预计未来几年，全球刻蚀设备行业规模将处于稳健增长趋势。
2014-2018年全球刻蚀设备市场规模增长分析
资料来源：普华有策市场研究中心
3、全球刻蚀设备行业竞争格局分析
从全球市场分析，在需求增长较快的刻蚀设备领域，行业集中度较高，泛林半导体占据刻蚀设备市场份额半壁江山。泛林半导体市场份额约55%，东京电子其次，市占率约20%，应用材料与东京电子相当，市占率约19%。
4、刻蚀设备国产化程度分析
目前，刻蚀机国产化率达到18%，晶圆加工核心设备中国产化率占比最高的，且比率处于逐年上升态势。中微公司和北方华创市场份额占比较大，国产化贡献率较高。根据中芯国际、长江存储和合肥睿力的招标情况看，从中微采购的刻蚀机台数占整体刻蚀机台采购比例约15-20%，逼近东京电子和应用材料，进步明显。
相比国际企业来说，国产刻蚀设备品类还不够完整，针对不同工艺的刻蚀设备逐步验证和量产。中微国际大厂泛林半导体和应用材料可实现CCP和ICP、介质/硅/金属刻蚀、7nm及以上的全方位覆盖，中微公司和北方华创尚未实现全覆盖。中微介质刻蚀设备较强，该企业5nm蚀刻设备已经获得批量订单。客户包括台积电、三星、中芯国际等国内外大厂，其用于多晶硅栅工艺的硅刻蚀设备正在验证中。北方华创在介质刻蚀和硅刻蚀设备均由布局，用于浅槽隔离的介质刻蚀设备已量产，硅刻蚀设备也已量产，金属刻蚀设备也有布局，拥有中芯国际、华虹、华力等国内一流客户。
5、主要竞争企业分析
（1）泛林半导体
公司成立于1980年，系美国纳斯达克证券交易所上市公司（股票代码：LRCX），主要从事半导体设备的研发、生产和销售，主要产品包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、晶圆清洗设备、光致抗蚀设备等。泛林半导体于2001年在上海成立了全资子公司“泛林半导体设备技术（上海）有限公司”。
（2）东京电子
公司成立于1963年，系东京证券交易所上市公司（股票代码：8035），主要从事半导体设备的研发、生产和销售，主要产品包括热处理成膜设备、等离子刻蚀机、单晶圆沉积设备、表面处理设备、晶圆测试设备、涂胶机和显影机等。
（3）应用材料
公司成立于1967年，系美国纳斯达克证券交易所上市公司（股票代码：AMAT），主要从事半导体设备的研发、生产和销售，主要产品包括原子层沉积设备、化学薄膜沉积设备、电化学沉积设备、物理薄膜沉积设备、刻蚀设备、快速热处理设备、离子注入机、化学机械抛光设备等。
（4）维易科
公司成立于1945年，系美国纳斯达克证券交易所上市公司（股票代码：VECO），主要从事薄膜加工设备的研发、生产和销售，主要产品或技术包括MOCVD设备、分子束外延、光刻设备等。
（5）爱思强
公司成立于1983年，系法兰克福证券交易所上市公司（股票代码：A0WMPJ），主要从事沉积系统设备的研发、生产和销售，主要产品包括MOCVD设备、有机薄膜沉积设备、聚合物薄膜沉积设备、等离子体增强化学薄膜沉积设备和化学薄膜淀积设备等。
（6）北方华创
北方华创成立于2001年，系深圳证券交易所上市公司（股票代码：002371），主要从事基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务业务，主要产品包括刻蚀机、物理气相沉积设备、化学气相淀积设备、氧化炉、扩散炉、清洗机及锂电极片装备等半导体设备及零部件。
（7）中微公司
中微公司涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域，瞄准世界科技前沿，坚持自主创新。公司的等离子体刻蚀设备已在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装中有具体应用。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占领先地位的氮化镓基LED设备制造商。
