近年來,我國政府為了實現可持續發展的戰略方針,一直通過政策扶持,大力推進新能源產業發展,鼓勵新能源核心技術創新突破。
IGBT芯片
【IGBT定義】
面對如此尷尬的局面,大家難免發問,IGBT究竟是個什麼鬼,竟然難倒了我泱泱大國的各路英雄漢。
IGBT芯片
這麼重要的小玩意兒,想我大中華人才濟濟,就真的突破不了這個技術瓶頸了麼?當然不。此時此刻,小編就要驕傲的跟大家介紹一下我們的“民族英雄”比亞迪,這個為國爭光且極具創新能力的存在了。早在2005年,比亞迪就組建了IGBT研發團隊,正式佈局IGBT產業。
就這樣,經過幾代技術升級,比亞迪全新一代車規級IGBT4.0已經成為業界標杆性產品,成就比亞迪新能源產品的超凡特性。經過小編的一番瞭解,IGBT4.0在諸多關鍵技術指標上都是十分領先的,接下來小編就為大家一一說明。
【損耗小,電控效率高】
首先比亞迪IGBT4.0芯片的晶圓厚度薄,所以損耗小,電控效率高。要知道,IGBT損耗是整個電控的最主要能耗,在大規模應用的1200V車規級IGBT芯片的晶圓厚度上,IGBT4.0的晶圓厚度已經減薄到120um,大約也就是兩根頭髮絲直徑加起來的厚度。同等工況下,綜合損耗較當前市場主流的IGBT降低了約20%。這意味著電流通過IGBT器件時,受到的阻礙降低,使得整車電耗顯著降低。這樣低的損耗顯然已經達到了國際領先的水平,代表了電控效率提升到了新的高度,可以有效的提升電動續航節約電能。以比亞迪全新一代唐為例,在其他條件不變的情況下,僅此一項技術,就可將百公里電耗降低約3%。
【電流輸出能力強,車輛加速能力強】
其次,IGBT4.0電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15%(電機功率及扭矩提升15%),支持整車具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。
【溫度循環能力強,節溫提升,性能穩定可靠】
再者,由於比亞迪 IGBT4.0搭載的V315封裝模所用的封裝材料——AlSiC(鋁碳化硅
【半導體材料】
雖然IGBT4.0已經使比亞迪在新能源領域獲得了領先地位,但以其前瞻性的戰略眼光,追求卓越當然不會就此止步。隨著新能源產業的不斷髮展,電動車性能的不斷提升,對功率半導體組件的要求也會不斷提高。由於現在IGBT已經發展到逼近Si(硅)材料的性能極限,學界和業界也逐步認識到,尋求芯片損耗更低、電流輸出能力更強、更耐高溫的全新半導體材料已經勢在必行。
第三代半導體材料SiC
比亞迪正是搶先意識到了這一點,所以順勢而為,率先投入巨資,佈局性能更加優異的第三代半導體材料SiC(碳化硅)。與此同時,也將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈,進一步降低SiC器件的製造成本,加快其在電動車領域的應用。如今比亞迪已成功研發SiC MOSFET(汽車功率半導體包括基於硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等)。預計到2023年,比亞迪將採用SiC基半導體全面替代硅基半導體(如硅基IGBT),將整車性能在現有基礎上再提升10%。
正是在這樣優秀技術的加持下,比亞迪新能源汽車銷量一直領跑市場,高性能產品更是層出不窮。比亞迪全新一代唐更是跑出了百公里加速4.3秒的好成績,最大功率441kw,峰值扭矩高達950Nm,可達到怪獸級動力性,可以和賽車比肩。除了霸氣的動力性能,全新一代唐的純電動款續航里程可達520km,續航里程相較同級別產品遙遙領先,一經上市便供不應求。正是由於比亞迪IGBT在其自家產品上的批量應用後的出色表現,現如今比亞迪IGBT芯片產量迅猛攀升,比亞迪IGBT芯片晶圓的產能已經達到5萬片/月,預計明年可達到10萬片/月,一年可供應120萬輛新能源車,隨著IGBT芯片的性能升級,想必比亞迪旗下的新能源產品的性能也會更加出色。
正是有了比亞迪這樣具有創新能力的自主良心企業,我國才能研發出具有自主知識產權的IGBT產品,打破歐美和日本巨頭對IGBT的技術壟斷。隨著IGBT的量產以及大批量供應,中國已逐步實現和歐洲、日本三分天下。而正是有了IGBT4.0這樣的“中國芯做後盾”,我國的新能源產業才能高枕無憂,加速逆襲。未來,相信比亞迪將以逐步強大的“中國芯”帶領新能源技術推陳出新,促進我國新能源產業健康、快速、可持續發展,助力中國夢。