中芯國際、華力微、長江存儲今年將紛紛啟動進入1x納米以下製程技術的深水區，中芯國際明年上半14納米FinFET將風險試產，並推進7納米研發進程；上海華力Fab6未來也將成為14納米量產重要基地；長江存儲今年首顆大陸自主研發快閃存儲器芯片也將邁入量產，未來數月將進入密集裝機期。
中芯國際
據外媒報導，中芯國際已經訂購了一臺EUV設備，首臺EUV設備購自ASML，價值近1.2億美元。EUV是當前半導體產業中最先進也最昂貴的半導體制造設備，全球僅荷蘭設備商ASML供應。
EUV是未來1x納米繼續走向1x納米以下的關鍵微影機臺，包括英特爾、三星、臺積電等大廠都在爭搶購買該設備。設備供應商ASML曾表示，一臺EUV從下單到正式交貨約長達22個月，若以中芯目前訂購來看，按正常交期也要2020年初左右才能到貨。
按照中芯國際的技術藍圖規劃，2019年上半肩負14納米FinFET將風險試產任務，若2020年順利取得EUV，將可進一步向前推進至7納米。而目前研發團隊最高負責人、中芯國際聯席CEO梁孟松則扮演先進技術藍圖規劃的推手。
儘管中芯目前在製造製程上仍落後於臺積電等市場領導者2~3代，但此舉已經凸顯了中芯在研發團隊重整旗鼓之後的雄心，此時下單EUV也屬正當其時。
不過下單歸下單，未來技術挑戰仍擁有幾大內外變數考驗，一是先進高階設備的進口能否順利進入大陸；二是設備啟動的上海能否給予充足的電力供給；三是順利裝機之後設備的調試與良率，畢竟從浸潤式微影機，改成EUV系統，不是一個世代的跨越這麼簡單，而對中芯國際研發先期量產團隊來說全然陌生，涉及到微影膠、光罩、pellicle、檢測等全環節的良率提升，相對來說，更新換代的學習週期會較長。
半導體行業專家莫大康則分析認為，中芯有錢提前佈局7nm是件好事，對於中芯來說，要從人員培訓開始，未來中芯要能做7nm可能至少還需5年以上時間，仍有很多挑戰需要克服。
中芯國際
日前，中芯國際財報顯示，今年將全年資本支出從19億美元上調至23億美元，用於先進製程的研發、設備開支以及擴充產能。顯示未來將加強先進製程技術的佈局。
值得注意的是，同樣也在緊追1x納米制程技術的華力上海Fab6也正式搬入的首臺ASMLNXT1980Di微影機。這臺微影機是目前大陸積體電路生產線上最先進的浸沒式微影機。
華力表示，Fab6主廠房完成淨化裝修，相關配套機電設備準備就緒，具備了製程設備搬入條件，較原計劃進度提前1個半月，僅約16個半月。
根據華虹集團的規劃，Fab6總投資人民幣387億元，建成後月產能將達4萬片12吋晶圓，製程涵蓋28~14納米技術節點。項目計劃於2022年底建成投產，主要投入邏輯芯片量產。在接下來的五個月內，華虹Fab6製程設備將搬入並完成安裝調試，年底前完成生產線串線並實現試投片。
無獨有偶，長江存儲的首臺微影機也已運抵武漢天河機場，這臺微影機為ASML的193nm浸潤式微影機，售價7,200萬美元用於14nm~20nm製程，陸續還會有多部機臺運抵。
長江存儲主要攻關3DNAND快閃存儲器芯片製程量產，計劃共建三座3DNANDFlash廠房。總投資240億美元，其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設，計劃2018年投產，2020年形成月產能30萬片的規模。
回顧長江存儲發展3DNAND快閃存儲器的歷程：2014年與大陸中科院微電子所啟動雙方3DNAND合作項目；2015年，完成了9層結構的3DNAND測試芯片，實現了電學性能驗證；2016年，實現了32層測試芯片研發及驗證，注資240億美元建設國家存儲器基地；2017年，測試芯片良率大幅提升，並實現了首款芯片的投片；2018年，即將開始了3DNAND存儲芯片生產線試產。
長江存儲首臺光刻機運抵武漢天河機場
日前紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全更是透露，長江存儲的3DNANDFlash已經獲得第一筆訂單。明年，長江存儲力爭64層堆疊3D快閃存儲器實現量產，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領先水準差距縮短到2年之內。
閱讀更多 競爭制高點 的文章
