三星電子(Samsung Electronics)宣佈完成適用於行動裝置的8Gb LPDDR5(Low Power Double Data Rate)DRAM研發，進入量產準備階段。日前三星已啟動90層3D NAND Flash存儲器量產，與競爭對手維持1~2年技術差距，量產LPDDR5將讓差距再次擴大。
據朝鮮日報報導，三星電子宣佈完成LPDDR5 DRAM研發，最快2018年下半就能進入量產。這次產品採用10y納米制程，每秒傳輸速度約6,000Mbit/s。
三星電子利用這次LPDDR5 DRAM將存儲器帶寬提高2倍，同時也將功耗降低30%，可讓智能型手機等行動裝置的存儲器性能大幅提升，符合人工智能(AI)解決方案對信息處理的需求。
最快三星在2018年底或2019年初就會啟動LPDDR5 DRAM量產，目前已開始對客戶送樣，即將進行小量試產。
韓國業界表示，LPDDR5 DRAM是5G通訊商用化後，發展AI、自駕車這類有大量資料處理需求的必備硬件，未來SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等競爭業者也會加速相關研發。
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