中国内存发展遇打击?被国外厂商控告盗用内存芯片技术!

2017年即将完结了,在过去的一年中,全球内存和闪存芯片价格暴涨,想必这也是大家感受很深刻的。

为了在内存产业获得话语权,中国厂商致力于用技术打破此前国内集成电路产业的空白,积极开拓着存储芯片业务!

但是,市场竞争确实是激烈的,这不,最近引发了厂商间的诉讼!

据台湾电子时报报道称,美光科技在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状,指控联华电子以及下属的福建省晋华集成电路公司盗用了自身的内存芯片技术。

中国内存发展遇打击?被国外厂商控告盗用内存芯片技术!

中国台湾地区的半导体产业是比较发达的,此前引发诉讼纠纷时,国外行业大牌往往针对是台湾公司,而这次美光科技同时对台湾和大陆地区的半导体公司发起诉讼是罕见的。

诉状中指控称,美光科技的两位前员工通过闪存盘盗取了公司的技术资料,然后交给了新东家联华电子公司,当然旗下的福建晋华集成电路公司也分享并拿到这个技术。

对于这样诉讼,联华电子否认了美光科技的指控,表示并未侵犯第三方公司的知识产权。

中国内存发展遇打击?被国外厂商控告盗用内存芯片技术!

而关于这次诉讼纠纷,行业人士表示,美光科技的诉讼,不单单是他们强调的在保护知识产权,而是意在打击中国内存产业的发展。

要知道福建省晋华集成的内存生产线在2018年中期开始投产,一旦投产,国外的竞争对手必定会受到一定的影响,也会有所行动及应对策略。

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目前国内存储器厂商正紧锣密鼓加快量产进程

紫光集团主导的国家存储器基地(3D NAND),总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

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长江存储,预计2018年4月将实现设备安装,第一阶段每月的产能大约在50000片,大规模生产的产品将是长江存储64层的3D NAND产品。而且目前长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,预计2018年实现量产。

合肥长鑫12寸存储晶圆厂,总投资额达72亿美元,以生产 19nm DRAM 产品为主,预计2019年底将实现达12.5万片的月产能。据悉,该厂的生产设备安装时间预计在2018年第一季度,目前已开始与晶圆供应商进行商谈,以确保2018年内获得稳定的晶圆供应。


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